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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand

        IC Insights:全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場預(yù)測提升至22%

        •   據(jù)IC Insights預(yù)測,2017年的IC市場增長率有望提高到22%,較今年年中預(yù)期的16%再提升6個百分點,出貨量增長率預(yù)測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預(yù)測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。   此外,IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子,傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預(yù)測??傮w而言,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計增長達20%,比年中預(yù)期調(diào)高5個百分點。   2017年,IC Insights預(yù)測DRAM的平均售價將大漲77%,預(yù)計今年將推動DRAM
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

        DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

        • DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時代的輝煌,很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲器  

        東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn):預(yù)估少生產(chǎn)40萬TB容量

        •   援引DigiTimes報道,東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊,被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間,這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。   DigiTimes消息稱為了清除惡意程序,東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復(fù)正常供應(yīng),預(yù)估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn),能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。   近年來由于智能手機和服務(wù)器的需求不斷增大,NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

        DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家?

        • DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象,在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中,也許大家都是贏家。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

        基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

        •   摘要:NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況,針對這種情況,本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法,實驗結(jié)果表明,此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外,針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù),如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等,使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?,完成NAND FLASH的時序配合,從而達到器件性
        • 關(guān)鍵字: NAND  magnum   

        DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

        • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較,弄清兩者的區(qū)別
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  RAM  

        Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析

        •   Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?! ?989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,NAND應(yīng)用越來越廣泛,但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點:分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
        • 關(guān)鍵字: Nand Flash  東芝  

        3D NAND微縮極限近了嗎?

        • 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
        • 關(guān)鍵字: 3D NAND  摩爾定律  

        群聯(lián)潘健成:未來五年 NAND供不應(yīng)求

        •   內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事,由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當(dāng)選。在市場供需方面,群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示,未來五年,儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。   臺灣東芝先進半導(dǎo)體因集團組織調(diào)整,今年8月1日辭去群聯(lián)董事,群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選,并順利由東芝內(nèi)存株式會社當(dāng)選。   潘健成表示,東芝內(nèi)存主導(dǎo)負責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè),東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資,也透過合作互補,強化技術(shù),雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密,在產(chǎn)業(yè)的競
        • 關(guān)鍵字: NAND  

        2018年NAND Flash供給年增42.9%,全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡

        •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動,加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進進度不如預(yù)期的影響下,供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年,NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長37.7%,明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。   DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來看,因為NAND制程從2D轉(zhuǎn)進3D不如預(yù)期,導(dǎo)致2017年非三星陣營的新
        • 關(guān)鍵字: NAND  西數(shù)  

        NAND閃存市場持續(xù)高漲,NAND閃存市場持續(xù)高漲,2020年將超DRAM

        • 9月6日,深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017),本文根據(jù)部分會議內(nèi)容整理了國內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
        • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  3D Xpoint  201710  

        2017年全球存儲市場規(guī)模將達950億美元

        •   日前,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、??荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓,一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會,其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會,涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等,參會觀眾超
        • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

        東芝宣布出售予美日聯(lián)盟,加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

        •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟,,由于此出售案較預(yù)期延宕,對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響,預(yù)期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言,在資金到位的情況下,將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。   DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)財團、
        • 關(guān)鍵字: 3D NAND  東芝  

        東芝半導(dǎo)體如此多嬌,引無數(shù)科技大佬競折腰

        • 到底為什么東芝半導(dǎo)體可以引起如此大的波瀾?產(chǎn)品和技術(shù)有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導(dǎo)體得到什么?小編給你一一說明。
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

        CFM:原廠加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場仍缺貨到年底

        •   9月6日,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)?! ‘?dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會,其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會,涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
        • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  
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        nand介紹

        一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

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