nand 文章 進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項(xiàng)目預(yù)
- 關(guān)鍵字： SSD 3D NAND
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。 盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
西數(shù)超車三星電子或點(diǎn)燃NAND價格戰(zhàn)
- 全球硬盤機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴(kuò)產(chǎn)淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。 巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報告稱，當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
- 關(guān)鍵字： 西數(shù) NAND
第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價格續(xù)揚(yáng)
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
- 關(guān)鍵字： NAND 服務(wù)器
TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價格續(xù)揚(yáng)
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長。雖然iPh
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND
中國手機(jī)出貨強(qiáng)勁 推動?xùn)|芝營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍
- 據(jù)外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年?duì)I業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預(yù)期為300億日元。 受此消息推動，東芝股價在周三快速上漲，創(chuàng)下自去年10月以來的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期，該公司在今年5月份最初預(yù)計上半財年將營業(yè)虧損200億日元。 智能機(jī)存儲芯片的強(qiáng)勁需求推動?xùn)|芝上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期。另外，比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動作用。 芯片需求的增長源于中國智能機(jī)出貨量的強(qiáng)勁表現(xiàn)。盡管全球智能機(jī)市場表現(xiàn)乏力，但是中國智能機(jī)出
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測
- 先前，因?yàn)槭艿竭B續(xù)7年作假帳風(fēng)波，因而導(dǎo)致公司商譽(yù)嚴(yán)重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測，預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn)，較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%，每股EPS也將達(dá)到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。 東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機(jī)對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機(jī)制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品，導(dǎo)致相關(guān)價格的不斷上揚(yáng)，如此以進(jìn)一
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力
- 日媒稱，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個月移動平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面，半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。 據(jù)外媒報道，“采購設(shè)備的時間提前了”，東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈設(shè)備投資欲的驚訝。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
日媒：中國半導(dǎo)體制造設(shè)備市場大幅增長
- 據(jù)韓聯(lián)社9月19日報道，韓國市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個百分點(diǎn)。 今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元，市場份額為14.7%。 三星與英特爾的市場份額差距在2012年達(dá)5.3個百分點(diǎn)，2013年為4.2個百分點(diǎn)，2014年3.4個百分點(diǎn)，2015年為3.2個百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個百分點(diǎn)以上，但
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
nand電路
nand相關(guān)帖子
nand資料下載
nand專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473