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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
- 近日，為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
- 關鍵字： 英飛凌 CoolSiC JFET 固態(tài)配電
為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
- 關鍵字： 碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書完整版
- 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.antipu.com.cn/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://www.antipu.com.cn/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結果。演
- 關鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設計
SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
- 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實際上也是通過并聯(lián)芯片實現(xiàn)的。本文總結了適用于所
- 關鍵字： JFET Cascode 功率半導體
從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？
- 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術，基于雙極結型晶體管（B
- 關鍵字： SiC Cascode JFET AC-DC
安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅動器。綜合這
- 關鍵字： 安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數(shù)據(jù)中心電源
安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術
- 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經理
- 關鍵字： 安森美 收購 Qorvo SiC JFET
結型場效應管(JFET)的基礎知識
- 結構與符號： ? ? 在N區(qū)兩側擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。 導電原理： ? ? (1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！ ?2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當VGS
- 關鍵字： JFET
jfet介紹
最早具有實際結構的場效應晶體管是在N型或者P型半導體基片上制作一對PN結及相應的金屬電極，兩個PN結之間有導電溝道，通過改變外加PN界的反向偏置電壓，以改變PN結耗盡層的厚度，從而達到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場效應管也被稱為PN結型場效應晶體管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也稱JFET。
什么是 JFET
一種單極的三層晶 [ 查看詳細 ]
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