hyper-na euv 文章 進(jìn)入hyper-na euv技術(shù)社區(qū)
EUV將在7納米節(jié)點(diǎn)發(fā)威？
- 核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點(diǎn)因?yàn)闊o法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得
- 關(guān)鍵字： EUV 7納米
KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統(tǒng)
- KLA-Tencor 公司(納斯達(dá)克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗(yàn)
- 關(guān)鍵字： KLA-Tencor SL650 EUV
EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
- 據(jù)美國科技博客Business Insider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。 在幾十年來，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強(qiáng)大，節(jié)省了更
- 關(guān)鍵字： EUV 摩爾定律
ASML提升新EUV機(jī)臺技術(shù)生產(chǎn)效率
- 微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每小時(shí)晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計(jì)2013年底前，可達(dá)到80瓦的目標(biāo)，2015年達(dá)250瓦、每小時(shí)產(chǎn)出125片。 半導(dǎo)體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
- 關(guān)鍵字： ASML EUV
ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺2015年就位
- 極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺。 ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對相關(guān)設(shè)備的開發(fā)計(jì)劃仍抱持觀望態(tài)度。 ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
- 關(guān)鍵字： ASML EUV
全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)
- 5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達(dá)328億美元之后，2012年再度增長16%，達(dá)到393億美元，預(yù)計(jì)2013年還將有14%的增長。 臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺積電。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體代工 EUV
Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)
- Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點(diǎn)。 Rattner指出，Intel
- 關(guān)鍵字： Intel 晶圓 EUV
MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度
- 美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV
光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題
- GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries EUV
hyper-na euv介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條hyper-na euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hyper-na euv的理解，并與今后在此搜索hyper-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hyper-na euv的理解，并與今后在此搜索hyper-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
hyper-na euv電路
hyper-na euv相關(guān)帖子
hyper-na euv專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473