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SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
- 關鍵字： SiC
使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積
- 盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應用。相反，設備通常必須直接通過 AC 線路運行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現(xiàn)故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫(yī)療電源的設計者必須不斷提地
- 關鍵字： DigiKey GaN AC/DC
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關的現(xiàn)象。當今大多數(shù)功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現(xiàn)在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設計 TIDA-00961 FAQ
- 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
- 關鍵字： TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
SiC MOSFET用于電機驅動的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯(lián)。但在特定的
- 關鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
SiC是否會成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進入了全面的市場拓展階段。加上面向再生能源的市場，汽車使用市場的增長比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動向。然而，解決SiC容量增強問題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場全方位戰(zhàn)略已擴大工業(yè)化加速進入公司約100家?！敝袊鳶i
- 關鍵字： SIC，液晶，半導體
Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅動器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅動器還具有高
- 關鍵字： Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門極驅動器
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
- 關鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET
“四兩撥千斤”，寬禁帶技術如何顛覆性創(chuàng)新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
- 關鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件
- Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現(xiàn)了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要，同時在緊湊的封裝中實現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
- 關鍵字： Efficient Energy Technology EET SolMate EPC 氮化鎵器件 GaN
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開關
三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點不同，前者以“多個離散元件組合
- 關鍵字： 三菱電機 安世 SiC 功率半導體
理想自研芯片進展曝光：在新加坡設立辦公室，團隊規(guī)模已超160人
- 11 月 21 日消息，據(jù)晚點 LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片，和用于驅動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設計專家。報道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
- 關鍵字： 理想 自研芯片 新能源汽車 智能駕駛 AI 推理芯片 驅動電機 控制器 SiC 功率芯片。
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