根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業(yè)。Yole預期EV/HEV產業(yè)將持續(xù)大力推動Si
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SiC GaN
目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構成這些系統(tǒng)的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
UNYQ是一家很有趣的3D打印公司，他們的主要業(yè)務是為殘疾人的假肢提供3D打印的精美外殼或其他配飾。天工社早先曾經報道過這家公司。UNYQ是在2014年剛剛成立的，如今已經在西班牙塞維利亞和美國舊金山設立了精品工作室。
該公司目前提供30款限量版假肢外殼，當然，所有的都是3D打印的。UNYQ稱設計師和工匠們會在這些款式的基礎上，與客戶一起創(chuàng)造獨一無二、只適合其本人規(guī)格指標和個人風格的產品。
如今UNYQ公司宣稱，他們已經與數字化設計和制造專家3D Systems公司簽訂了多層次合作協議，后
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3D Systems 3D打印
英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所
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英飛凌 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規(guī)定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 松下 GaN
近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
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德州儀器 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規(guī)定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 GaN
英飛凌和松下聯合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
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英飛凌 松下 GaN
氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色!帥呆了!
至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射頻
2015年2月9日，3D Systems公司發(fā)布公告稱，正式完成對CAD/CAM軟件廠商Cimatron的全部收購活動，收購款項約9700萬美元也已經支付。這項并購交易早在去年11月份就已經敲定。
3D Systems公司稱，對Cimatron公司制造和數字化工作流程軟件的整合將加強該公司以3D打印為中心的先進制造業(yè)務。這家總部位于美國南卡羅來納州Rock Hill的公司表示，此項交易對雙方的技術和客戶都能形成有效的互補，并會擴大3D Systems在全球范圍內的銷售。
該協議的最后細節(jié)意
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3D Systems CAD
為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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Cascode GaN 場效應管
GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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GaN.功率元件
gan systems介紹
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