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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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Renesas RX 系列產(chǎn)品從開發(fā)軟件兼容性中獲益
- IAR Systems今日宣布在為Renesas RX定制的IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中支持應(yīng)用程序二進(jìn)制(ABI)接口，從而能夠兼容于其他Renesas RX工具鏈的輸出。當(dāng)編譯器對于軟件重用放低門檻后，基于組件的應(yīng)用程序開發(fā)將變得更為簡單，并大大節(jié)約了開發(fā)時間和工程成本。 任何與Renesas RX ABI 相兼容的工具鏈所編譯的軟件都可以被鏈接到IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中。比如，原先在Renesas的專用工具上開發(fā)完成的硬件驅(qū)動
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計
- 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問題與日俱增，清潔的可再生能源市場應(yīng)運而生。作為一種彌補石油、...
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Samplify Systems推出首款16通道、12位、65Msps的ADC
- Samplify Systems公司近日宣布該公司將推出一系列嶄新的16信道、12比特、每秒65兆采樣的模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片，并集成有數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)。
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IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
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貝爾金選擇Azimuth Systems信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺
- 無線寬帶測試設(shè)備及Wi-Fi、WiMAX、LTE（長期演進(jìn)）和其他4G技術(shù)的信道仿真器提供商 Azimuth Systems公司宣布，貝爾金國際公司（Belkin International， Inc.）已經(jīng)選擇了ACE（TM）信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺，來自動化測試其N及N1無線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品線。ACE信道仿真器及ADEPT-n MIMO測試平臺是專門用于MIMO測試的，可為802.11n設(shè)備的自動化及可重復(fù)的性能、互操作性及功能測試提供框架。使用Azimuth公司的ACE信道仿真器及A
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FuturePlus Systems為泰克邏輯分析儀推出高速DDR3插補器
- FuturePlus Systems公司日前為下一代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) SDRAM總線推出FS2355 DDR3 1333插補器預(yù)處理器。這款插補器是為用于泰克TLA7000系列邏輯分析系統(tǒng)設(shè)計的，以增強(qiáng)1333 DIMM卡調(diào)試，改善最新的高性能DDR存儲器技術(shù)的可靠性、加快產(chǎn)品開發(fā)周期。相關(guān)設(shè)計人員將運用它對PC游戲、服務(wù)器、超級計算和高清電視進(jìn)行DIMM驗證、故障分析和總線功能參數(shù)驗證。 新的預(yù)處理器提供了高達(dá)1333 MT/s(每秒百萬次傳送)的狀態(tài)分析和協(xié)議解碼功能，在DDR3系統(tǒng)中
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Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
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