gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

對(duì)于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）在討論前我們先做
關(guān)鍵字：吸收回路 RCD 管反峰設(shè)計(jì) MOS 開關(guān)電源

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
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Soft-start enhances LED driver

To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
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LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps

This application note presents an LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps. The circuit drives LEDs from a 12VAC input. The solution works with both magnetic and electronic transformers
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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MOS-FET開關(guān)電路

MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
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采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
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可設(shè)定10~100秒的長時(shí)間C-MOS定時(shí)電路

電路的功能若要用555芯片組成長時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
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Boost driver for long LED strings

The long strings of LEDs commonly found in TV and display backlighting, street lights, and parking garage lights require a current driver capable of producing high voltages. This reference design prov
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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無須降壓電容的低零件成本LED Driver

　　特點(diǎn)－　　工作電壓范圍：5V~450V 　　支持四種調(diào)光方式：開關(guān)調(diào)光、脈沖信號(hào)(PWM)調(diào)光、DC調(diào)光（0~5V）、熱平衡調(diào)光。　　多重保護(hù)功能：LED開路保護(hù)、LED短路保護(hù)、過電流保護(hù)、過溫度保護(hù) 　　支持隔離或非
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集成電路布圖設(shè)計(jì)登記：數(shù)量持續(xù)上升中國企業(yè)占優(yōu)

　　2008年，受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響，中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長，但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。　　最近，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計(jì)登記2008年度報(bào)告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。　　本報(bào)告數(shù)據(jù)
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端