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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)

為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應(yīng)管

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
關(guān)鍵字： GaN.功率元件

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
關(guān)鍵字： SiC GaN

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體

發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源，耗電量?jī)H約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高、不...
關(guān)鍵字： GaN on GaN LED

GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場(chǎng)上或許就可以穩(wěn)定采購(gòu)到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時(shí)GaN類(lèi)功率元件 ...
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 SiC GaN

中國(guó)科學(xué)院近日發(fā)布的一份報(bào)告稱(chēng)，中國(guó)研究人員利用應(yīng)變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
關(guān)鍵字： LED GaN MOCVD

2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)”在深圳成功召開(kāi)，來(lái)自中科院半導(dǎo)體研究所、南...
關(guān)鍵字： Si基 GaN 功率器件

近年來(lái)氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻 ...
關(guān)鍵字：大尺寸磊晶技術(shù) GaN-on-Si 基板破裂

傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)

　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來(lái)解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
關(guān)鍵字： GaN 功率器件

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開(kāi)始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
關(guān)鍵字：富士通功率器件 GaN MB51T008A

　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開(kāi)篇寫(xiě)道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)椋S著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng)，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開(kāi)始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類(lèi)產(chǎn)品已逐漸由
關(guān)鍵字： SiC GaN

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC