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gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
關(guān)鍵字： SiC 功率元件 GaN 導(dǎo)通電阻

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器
關(guān)鍵字：動(dòng)態(tài) MOS 反相器

Linux下SANE Driver自動(dòng)化測(cè)試工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

SANE（Scanner Access Now Easy）是一個(gè)應(yīng)用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了對(duì)光柵圖像掃描硬件的標(biāo)準(zhǔn)訪問(wèn)[2]。Linux對(duì)掃描儀的支持就是通過(guò)SANE實(shí)現(xiàn)的。SANE標(biāo)準(zhǔn)中將實(shí)現(xiàn)SANE接口的驅(qū)
關(guān)鍵字： Driver Linux SANE 自動(dòng)化

硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
關(guān)鍵字： GaN LED 分析

采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路及工作原理分析

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
關(guān)鍵字：電路工作原理分析驅(qū)動(dòng) 脈沖 C-MOS 與非門發(fā)光二極管

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器石英晶體振蕩電路

可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路及工作原理

電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：工作原理電路定時(shí) 時(shí)間 C-MOS 設(shè)定

V-MOS管測(cè)試

關(guān)鍵字： V-MOS 管測(cè)試

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
關(guān)鍵字： GaN LED

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō)：英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
關(guān)鍵字： GaN LED

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關(guān)鍵字：羅姆 SiC MOS

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器自制

這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過(guò)程：　　　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
關(guān)鍵字：自制逆變器效應(yīng) MOS

高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
關(guān)鍵字：光耦可調(diào) 死區(qū)時(shí)間 MOS

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
關(guān)鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

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gan mos driver介紹

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gan mos driver電路

使用高壓 GaN 器件提高電源可靠性
數(shù)字電源控制推進(jìn) GaN PFC 設(shè)計(jì)
動(dòng)態(tài)測(cè)試證實(shí)了 SiC 開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
采用MOS晶體管的振蕩器電路圖

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電機(jī)控制器中的MOS驅(qū)動(dòng)
原廠代理AP30N15D永源微、電壓150V30A、N溝道增強(qiáng)型MOSFET、封裝TO-252-3L

gan mos driver資料下載

MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)匯總
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