中文字幕 另类精品,亚洲欧美一区二区蜜桃,日本在线精品视频免费,孩交精品乱子片免费

<sup id="3hn2b"></sup>
  • 

      <sub id="3hn2b"><ol id="3hn2b"></ol></sub><legend id="3hn2b"></legend>
        

        2. <xmp id="3hn2b"></xmp>
        3. 


        
	
  	
        
	
        
		首頁(yè)　 
		資訊　 
		商機(jī) 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會(huì)展　 
		EETV　 
		百科 　
		問(wèn)答　 
		電路圖　 
		工程師手冊(cè) 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動(dòng)中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請(qǐng)
	
        




        
	EEPW首頁(yè) >> 
	主題列表 >> 
	gan ipm
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        IPM模塊實(shí)現(xiàn)通用變頻器實(shí)用電路
        
                                                            
                                        
          
                    	
        •  1 前言    變頻器已應(yīng)用于各行各業(yè)的多種設(shè)備,并成為當(dāng)今節(jié)電,改造傳統(tǒng)工業(yè),改善工藝流程,提高生產(chǎn)過(guò)程自動(dòng)化水平,提高產(chǎn)品質(zhì)量,改善環(huán)境的主要技術(shù)之一。    開關(guān)器件是變頻器的核心器件,絕緣柵雙極型品體管(ICBT)
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        實(shí)用  電路  變頻器  通用  模塊  實(shí)現(xiàn)  IPM                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        硅襯底LED芯片主要制造工藝解析
        
                                                            
          
                    	
        • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        LED芯片  硅襯底  GaN                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展
        
                                                            
          
                    	
        • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        MOCVD  GaN  LED芯片                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        三菱電機(jī)汽車用J系列EV-IPM和EV T-PMPCIM亞洲展亮相
        
                                                            
                                        
          
                    	
        •        三菱電機(jī)攜同汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月21日于上海國(guó)際會(huì)議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號(hào)A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊，大受廠家歡迎。
       受到近幾年環(huán)保意識(shí)提高的影響，混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車等市場(chǎng)不斷擴(kuò)大。由于對(duì)汽車有著很高的安全性要求，因而對(duì)用于汽車馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體模塊，
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        三菱  EV-IPM  EV T-PM                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  S波段  寬帶  放大器                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計(jì)  探測(cè)器  紅外  量子  GaN                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
                                
        
                    
        利用智能功率模塊(IPM)來(lái)驅(qū)動(dòng)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)
        
                                                            
          
                    	
        • 　　過(guò)去10年中，盡管永磁同步馬達(dá)(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標(biāo)準(zhǔn)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達(dá)。啟動(dòng)IM最簡(jiǎn)單的辦法是把馬達(dá)直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動(dòng)和軟啟
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        三相  感應(yīng)  馬達(dá)  IM  驅(qū)動(dòng)  IPM  智能  功率  模塊  利用                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計(jì)  功率放大器  GaN  一種                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
        
                                                            
          
                    	
        • 目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  襯底  功率型                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億
        
                                                            
          
                    	
        • 　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。
　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  MOSFET                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
                                
        
                    
        TMS32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)
        
                                                            
          
                    	
        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        TMS32OF2812  DSP  DIP-IPM  通用電路                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
                                
        
                    
        TMS 32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計(jì)
        
                                                            
          
                    	
        • 結(jié)合三相電機(jī)的調(diào)速控制原理，對(duì)高速數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模塊DIP-IPM進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，提出了完整的的通用變頻電路設(shè)計(jì)方案。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法控制精度高，工作穩(wěn)定，能夠?qū)崿F(xiàn)多種類型變頻調(diào)速。
          • 
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        DIP-IPM  2812  TMS  32                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                                

                
        
	                
        
		                	
        
	
        
	共393條
	25/27		|‹
			«
																																																																																																																																																																																																									18																19																20																21																22																23																24																25																26																27							»
			
	
        
		                
        
	               	
        
                
        
        	
        
            
        
        
        
	
        
	
        
  		
        
    		
        
      			
        
          			
        gan ipm介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條gan ipm!
         
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)gan ipm的理解，并與今后在此搜索gan ipm的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
        熱門主題
        
      			
        
      			
        
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
        
    		
        
  		
        
		
        
	
        
	
        

        

        
        		關(guān)于我們 - 
        		廣告服務(wù) - 
        		企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機(jī)EEPW
        		
        
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
        
      			備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473