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        大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解
        
                                                            
          
                    	
        • 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻 ...
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        • 關鍵字：
                        大尺寸  磊晶技術  GaN-on-Si  基板破裂                          
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        硅基GaN LED及光萃取技術實現(xiàn)高性價比照明
        
                                                            
          
                    	
        • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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        • 關鍵字：
                        GaN    LED    光萃取技術                          
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        功率器件的利器 GaN
        
                                                            
          
                    	
        • 　　GaN是什么?
　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。
　　GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
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        • 關鍵字：
                        GaN  功率器件                          
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        富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
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        • 關鍵字：
                        富士通  功率器件  GaN  MB51T008A                          
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        SiC和GaN是“下一代”還是“當代”？
        
                                                            
          
                    	
        • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經(jīng)不再特別?！边@是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發(fā)布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
　　那么，在使用功率半導體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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        • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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        小功率智能化中頻逆變電源的研制
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：研制一種基于TMS320LF2407A數(shù)字信號處理器和PS21964智能功率模塊(IPM)的智能化SPWM中頻逆變電源控制系統(tǒng)。對中頻逆變電源的功率主電路、控制電路以及保護電路等進行了詳細闡述。實現(xiàn)了中頻逆變電源小型化和高性
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        • 關鍵字：
                        中頻逆變電源  DSP  SPWM  IPM                          
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        未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增
        
                                                            
          
                    	
        • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
　　據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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        • 關鍵字：
                        GaN  半導體  SiC                          
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        未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增
        
                                                            
          
                    	
        • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
　　據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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        • 關鍵字：
                        GaN  半導體  SiC                          
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        三菱化學計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能
        
                                                            
          
                    	
        • 　　因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。
　　目前，三菱化學利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。
　　而為了要達到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設生產(chǎn)設備或增設廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
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        • 關鍵字：
                        LED  GaN                          
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        GaN類功率元件，高耐壓成功率半導體主角
        
                                                            
          
                    	
        • 采用Si基板降低成本，通過改變構造改善特性那么，GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術方面存在...
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        • 關鍵字：
                        GaN類功率半導體  功率半導體  GaN                          
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        IPM自舉電路設計過程中的關鍵問題研究
        
                                                            
          
                    	
        • 通常IPM模塊應有四路獨立電源供電，下橋臂三個IGBT控制電路共用一個獨立電源，上橋臂三個IGBT控制電路用三...
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        • 關鍵字：
                        IPM  自舉電路設計                          
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        功率半導體下一個主戰(zhàn)場 電動汽車等新興領域 
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導體市場2012年增長率為5.0%，達到320億美元規(guī)模;預期2013年會恢復兩位數(shù)字增長
　　作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導體運行于弱電控制與強電之間，對降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導體的應用領域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領域，向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場邁進。關注功率器件行業(yè)的技術發(fā)展趨勢，促進相關行業(yè)的發(fā)展至關重要。
　　增長點來自新領域
　　LE
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        • 關鍵字：
                        安森美  IPM                          
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        富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
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        • 關鍵字：
                        富士通  功率器件  GaN                          
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        富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
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        • 關鍵字：
                        富士通  功率器  GaN                          
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        基于智能功率模塊(IPM)的三相感應馬達(IM)驅(qū)動
        
                                                            
          
                    	
        • 過去10年中，盡管永磁同步馬達(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標準三相感應馬達(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達。啟動IM最簡單的辦法是把馬達直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟動器
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        • 關鍵字：
                        感應  馬達  IM  驅(qū)動  三相  IPM  智能  功率  模塊  基于                          
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