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英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調電源方案
- 這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢。 例如提高效率和信號質量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅動器和碳化硅二極管在內的完整 Infineon 解決方案。 文件中提供了關于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢的信息，目標讀者是經(jīng)驗豐富的電源電子工程師和技術人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
- 關鍵字： 英飛凌 ICE3PCS01G IGBT 空調電源
能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術優(yōu)勢
- 在消費電子市場高速發(fā)展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續(xù)推動家電產(chǎn)品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產(chǎn)品，通過性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關鍵解決方案。本文將聚焦家電設備的三大核心應用場景——電機拖動、PFC（功率因數(shù)校正）電路及感應加熱，深入解析安世半導體650 V G3 IGBT平臺的技術優(yōu)勢及其在家電領域的實際應用價值。1. 電機拖動1
- 關鍵字： 安世半導體 IGBT
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
- IGBT是一種功率開關晶體管，結合了MOSFET和BJT的優(yōu)點，用于電源和電機控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）是傳統(tǒng)雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（MOSFET）的交叉產(chǎn)物，使其成為理想的半導體開關器件。IGBT晶體管結合了這兩種常見晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結合在一起，產(chǎn)生另一種類型的晶體管開關器件，能夠處理大的集電極-發(fā)射極電流，而幾乎不需要門極電流驅動。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
- 關鍵字： 絕緣柵雙極型晶體管，IGBT
英飛凌IGBT7系列芯片大解析
- 上回書(英飛凌芯片簡史 http://www.antipu.com.cn/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實現(xiàn)極低的導通壓降和優(yōu)
- 關鍵字： IGBT 電力電子
電子技術如何助力高鐵節(jié)能？
- 鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據(jù)說其每單位運輸量的CO?排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網(wǎng)對運輸基礎設施的節(jié)能有很大的推動作用。一直以來，高速鐵路網(wǎng)在發(fā)達國家運輸基礎設施中承擔著重要的作用，而近年來在新興發(fā)展中國家也出現(xiàn)了鋪設高鐵的動向。日本已經(jīng)實現(xiàn)高速鐵路網(wǎng)的實用化，擁有該項技術的國家則集聚官民各方力量，加強對正在探討鋪設的國家的推銷攻勢。在高鐵市場競爭過程中，除了高速性、安靜性、安全性之外，能否通過削減CO?實現(xiàn)碳中和等環(huán)境性能也成為需要納入視野的關鍵點
- 關鍵字： 碳中和 逆變器 IGBT
意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
- 關鍵字： 意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計
- 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
- 關鍵字： Microchip IGBT 7 功率器件
采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
- 本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應用工程師Marcel Morisse與高級技術市場經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內元件數(shù)
- 關鍵字： 英飛凌 IGBT
功率模塊選得好，逆變器高效又可靠
- 全球正加速向電氣化轉型，尤其是在交通和基礎設施領域。無論是乘用車還是商用/農業(yè)車輛(CAV)，都在轉向電動驅動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯示，太陽能發(fā)電量首次超過風電，達到1300TWh。轉換能量需要用到逆變器和轉換器。太陽能光伏(PV)板產(chǎn)生直流電，而電網(wǎng)中運行的是交流電。電動汽車(EV)的情況類似，其主驅電池系統(tǒng)提供直流電，而發(fā)動機中的主驅電機需要交流電。在這兩種情況下，電力轉換過程的能效具有重要影響，因為任何能量損失都會轉化為熱量，這就需要風扇或散熱器等散熱措施，進而會擴大整體解決方案
- 關鍵字： QDual3 電源轉換 IGBT
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