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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES 2020展覽展示基于氮化鎵技術(shù)的應用
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）將在2020年1月7日至10日，于美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展（CES 2020）為工程師展示eGaN技術(shù)的龐大潛力，它可以推動多種消費電子應用的發(fā)展，從而改變市場的游戲規(guī)則，包括全自動駕駛汽車、機器人、無人機、無線電源、世界第一流的音頻系統(tǒng)及車載解決方案。于CES 2020 展覽，歡迎蒞臨Venetian酒店內(nèi)的EPC演示套房，與氮化鎵專家一起參觀、學習及討論氮化鎵技術(shù)如何推動改變世界的創(chuàng)新設計的發(fā)展。無線電源在家居的應用：EPC將展示在家居使用的無線充電桌面同時對多個消
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Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
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Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應用于功率及射頻元件中。
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對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案
- 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關(guān)的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓撲轉(zhuǎn)換到無刷拓撲意味著FET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
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車規(guī)級80 V EPC2214 eGaN?FET 使得激光雷達系統(tǒng)看得更清晰
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布再多一個車用氮化鎵(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其它嚴峻環(huán)境支持多種全新應用?；诘墸╡GaN）技術(shù)的產(chǎn)品已進行量產(chǎn)超過9年，累計了數(shù)十億小時的實際汽車應用經(jīng)驗，包括全自動駕駛汽車的激光雷達及雷達系統(tǒng)、應用于數(shù)據(jù)中心計算機的48 V–12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器、具有超高保真度的信息娛樂系統(tǒng)及高強度的貨車頭燈等應用。這些全新器件已經(jīng)通過嚴格的AEC Q101測試認證，隨后會推出更多面向嚴峻的車用環(huán)境的分立晶體管及集成
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支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術(shù)
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡建設
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！ ‰S著全球推出5G網(wǎng)絡并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預計
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）第十階段可靠性測試報告的亮點 是車規(guī)級氮化鎵器件超越AEC-Q101應力測試的認證標準
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十階段可靠性測試報告，成功通過車規(guī)級AEC-Q101應力測試認證。AEC-Q101認證要求功率場效應晶體管符合最高的可靠性標準，不僅僅要求器件符合數(shù)據(jù)表內(nèi)所載的條件而沒有發(fā)生故障，也同時要求在應力測試中，具有低漂移。請注意，EPC所采用的晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)也符合所有針對傳統(tǒng)封裝的測試標準，展示出該封裝具備卓越性能之同時沒有影響到器件的穩(wěn)固性或可靠性?！ 〉谑A段可靠性測試報告探討了超越AEC-Q101認證要求的可靠性測試，從而深入了解可導致器件發(fā)生故障的各
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MACOM推出寬帶多級硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能，實現(xiàn)領先的設計敏捷性
- 全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良，適用于陸地移動無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對抗 (ECM) 領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級PA架構(gòu)的高效設計，以及頂端和底端安
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盤點2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術(shù)突破。
- 關(guān)鍵字： 芯片，GaN
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景。 然而，SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?！ 嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導體 SiC GaN
看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)
- 每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導體、電子元件技術(shù)、設計、制造、物理與模型等領域中的技術(shù)突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進內(nèi)存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學現(xiàn)象、光電工程、
- 關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET
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