GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來越廣泛的應用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會?此次GaN FET的突破性技術是什么?為此,電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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GaN FET SiC
John Grabowski:安森美半導體電源方案部門的首席應用和市場工程師,部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體,此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計,應用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統。最近,他的團隊積極推動將高功率半導體應用于汽車電子化。引言為應對氣候變化,汽車減排降油耗勢在必行。如今,許多國家/地區(qū)的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現這一目標,其中一種方式就是采用混合動力,即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
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GaN 48V
日前, KLA公司 宣布推出Kronos? 1190晶圓級封裝檢測系統、ICOS? F160XP芯片分揀和檢測系統以及下一代的ICOS? T3 / T7系列封裝集成電路(IC)組件檢測及量測系統。這些新系統具有更高的靈敏度和產量,并包含下一代增強算法,旨在應對特征尺寸縮小、3D結構和異構集成所帶來的復雜性,從而在封裝階段推進半導體元件制造。憑借更可靠地實施這些先進封裝技術,KLA的客戶將無需依賴縮小硅設計節(jié)點就能夠提高產品性能。該產品組合的性能提升將提供良率和質量保證,幫助
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IC EPC
延續(xù)9月4日以來的火熱行情,9月17日,A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁,雙良節(jié)能、易事特漲停,多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現,截至9月17日,已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產業(yè)鏈業(yè)務,或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家,其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務,或已出貨相關產品,但多數為小批量出貨,銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產業(yè)概念股異軍突起,成為低迷震蕩行情下一道亮
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第三代芯片 三代半導體 GaN
(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術,在該公司今天同時發(fā)布的新設計范例報告 (?DER-920?) 中,展現了
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GaN IC PWM
新基建涵蓋了廣泛的領域,并對半導體電源設計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰(zhàn),TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述:TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能,可提供優(yōu)異的開關速度和低損耗。如今,我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網基礎設施和汽車
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OBC GaN 202009
5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制:開發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術,從而為您的應用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性,還是維持在高電壓下的安全性,我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI):與您攜手推動電源進一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內實現更大的功率,從而以更低的系統成本增強系統功能2? ?低 IQ在不影響
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QFN EMI GaN MCM
在物聯網時代,連接到互聯網的設備日益增多。Strategy Analytics最近的一份報告預測,截至2025年,將有386億部設備連接物聯網。物聯網浪潮的飛速發(fā)展導致大量數據產生,邊緣計算網關正快速成為設備管理、數據收集和傳輸的關鍵要素。為此,研華推出了基于TI Sitara AM3352 Cortex-A8處理器的?邊緣計算網關EPC-R3220。作為中國經濟發(fā)展晴雨表的空氣壓縮機行業(yè),將空氣壓縮機(Air Compressor)廣泛應用于冶金、電力、石油等工業(yè)中,用于高爐鼓風、高爐和鍋爐的
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研華 邊緣計算網關 EPC-R3220 空氣壓縮機應用
全球電子元器件與開發(fā)服務分銷商 e絡盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書,旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關專業(yè)知識,助力他們更加順利地進行人工智能應用開發(fā)并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別,闡釋了人工智能、機器學習(ML)和深度學習(DL)之間的關系,并詳細介紹了神經網絡相關技術。書中還向讀者推薦了數款適用于首次進行人工智能物聯網方案開發(fā)的優(yōu)質平臺。人工智能和物聯網將徹底改變人類的工作方式。目前,人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器(PFC)等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點,包括更低的開關損耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
德州儀器(TI)是推動GaN開發(fā)和支持系統設計師采用這項新技術的領軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計,致力于幫助系統設計師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能,而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實施問題,使客戶得以設計高能效系統,建設更綠色環(huán)保的世界。
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MOSEFT GaN UPS
美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數字信號控制器(DSC)與宜普電源轉換公司(EPC)的超高效氮化鎵場效應晶體管(eGaN?FET)的結合,可實現最佳功率密度(730 W/in3),從而實現高效、低成本的DC-DC轉換。EPC公司?宣布推出1/16磚式、300 W DC/DC穩(wěn)壓器(?EPC9143?)。 EPC9143功率模塊把Microchip??dsPIC33CK?數字信號控制器(DSC)和最新一代eG
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ESC EPC POL
寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點,由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于......
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安世 GaN MOSFET
我國正在大力進行新基建,工業(yè)物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起,奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預測,并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
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