e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制，幫助設(shè)計人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實現(xiàn)整個負(fù)載范圍內(nèi)的高
- 關(guān)鍵字： TI FET 轉(zhuǎn)換器 TPS51315
ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器
- 2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz，設(shè)計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測試和測量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
- 關(guān)鍵字： ADI 運(yùn)算放大器 FET ADA4817
德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： FET TI IC－bq2407x
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
- 關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端
TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調(diào)慢啟動、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
- 關(guān)鍵字： TI 轉(zhuǎn)換器 DC/DC FET
Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
- 關(guān)鍵字： 三極管 WiMAX Cree GaN
如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話
- 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計的品質(zhì)，需要進(jìn)行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。 UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
- 關(guān)鍵字： 移動電話 UMA GAN SEGW WLAN
中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世
- 由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
- 關(guān)鍵字： 青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器
- 當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時，線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 bq241xx系列開關(guān)充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達(dá)18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
- 關(guān)鍵字： FET 鋰離子開關(guān)充電器 電源
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