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	e-mode gan fet
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管
        
                                                            
          
                    	
        • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.
　　
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        • 關鍵字：
                        CISSOID  P-FET                          
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        一種GaN寬禁帶功率放大器的設計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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        • 關鍵字：
                        設計  功率放大器  GaN  一種                          
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        如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖
        
                                                            
          
                    	
        • 　　圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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        • 關鍵字：
                        進行  緩沖  電壓  關斷  轉換器  FET  如何                          
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        Diagnose LEDs by monitoring the switch-mode du
        
                                                            
          
                    	
        • A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
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        • 關鍵字：
                        switch-mode  monitoring  Diagnose  cycle                            
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        基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
        
                                                            
          
                    	
        • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
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        • 關鍵字：
                        GaN  LED  襯底  功率型                            
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        MOS-FET開關電路
        
                                                            
          
                    	
        • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        MOS-FET  開關電路                            
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        J-FET開關電路工作原理
        
                                                            
          
                    	
        • 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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        • 關鍵字：
                        J-FET  開關電路  工作原理                            
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        與萬用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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        • 關鍵字：
                        VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬用表                          
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        使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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        • 關鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路                            
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        可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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        • 關鍵字：
                        VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運算電路                            
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        使用結型FET的簡易電壓控制放大器
        
                                                            
          
                    	
        • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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        • 關鍵字：
                        FET  結型  電壓控制  放大器                            
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        GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
        
                                                            
          
                    	
        • 　　美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
　　目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉
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        • 關鍵字：
                        GaN  MOSFET                          
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        Vishay推出4款MOSFET
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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        • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  FET                          
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        友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術
        
                                                            
          
                    	
        • 　　友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術移轉協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發(fā)明，以及相關設備等資產(chǎn)。
　　FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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        • 關鍵字：
                        友達  FED  FET                          
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        瞄準高端市場  友達將收購FET的部分資產(chǎn)
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　臺灣友達科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據(jù)領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關技術專利，F(xiàn)ED技術實施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設備等。

　　FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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