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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 在高速信號(hào)處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來(lái)完成高速操作。DDR SDRAM一個(gè)時(shí)鐘周期只能傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DDR SDRAM
電源設(shè)計(jì)技巧：DDR內(nèi)存電源
- CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
- 關(guān)鍵字： 電源設(shè)計(jì) DDR 內(nèi)存電源
電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源
- CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
- 關(guān)鍵字： 電源 內(nèi)存 設(shè)計(jì) DDR
DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
- 關(guān)鍵字： SDRAM DDR 高速數(shù)據(jù) 采集系統(tǒng)
DDR測(cè)試技術(shù)與工具
- DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)
- 關(guān)鍵字： DDR 測(cè)試技術(shù)
DDR信號(hào)測(cè)量方法及信號(hào)完整性驗(yàn)證面臨的挑戰(zhàn)與建議
- 1． DDR概述 如今，存儲(chǔ)器件在計(jì)算機(jī)、汽車與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無(wú)所不在。其中DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是最常用的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)之一，而隨著該技術(shù)的發(fā)展，其傳輸速率在日益加快，功耗在日益
- 關(guān)鍵字： DDR 信號(hào)測(cè)量 方法 信號(hào)完整性
ddr介紹
DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存
嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]
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