ddr 文章進(jìn)入ddr技術(shù)社區(qū)

e2v宣布計(jì)劃延長(zhǎng)Micron部分SDR和DDR存儲(chǔ)產(chǎn)品的壽命

射頻功率、成像和高可靠性半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布，將延長(zhǎng)世界領(lǐng)先高級(jí)存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商之一 Mic
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DDR的前世與今生（一）

　　DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR。　　說到這里，很多人可能會(huì)問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來簡(jiǎn)單普及下關(guān)于存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)吧。　　ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱，是一種只能讀出事先
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信號(hào)在PCB走線中傳輸時(shí)延

　　信號(hào)在媒質(zhì)中傳播時(shí)，其傳播速度受信號(hào)載體以及周圍媒質(zhì)屬性決定。在PCB(印刷電路板)中信號(hào)的傳輸速度就與板材DK(介電常數(shù))，信號(hào)模式，信號(hào)線與信號(hào)線間耦合以及繞線方式等有關(guān)。隨著PCB走線信號(hào)速率越來越高，對(duì)時(shí)序要求較高的源同步信號(hào)的時(shí)序裕量越來越少，因此在PCB設(shè)計(jì)階段準(zhǔn)確知道PCB走線對(duì)信號(hào)時(shí)延的影響變的尤為重要。本文基于仿真分析DK，串?dāng)_，過孔，蛇形繞線等因素對(duì)信號(hào)時(shí)延的影響。　　1.引言　　信號(hào)要能正常工作都必須滿足一定的時(shí)序要求，隨著信號(hào)速率升高，數(shù)字信號(hào)的發(fā)展經(jīng)歷了從共同步時(shí)鐘到
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是德科技于 DesignCon 展會(huì)上展示高速數(shù)字設(shè)計(jì)與測(cè)試解決方案

　　是德科技公司日前在 DesignCon 2015 展會(huì)上展示其高速數(shù)字解決方案。本屆展會(huì)于 1 月 28 日到 29 日在美國加州圣克拉拉會(huì)展中心舉行，是德科技展位設(shè)于第 725 號(hào)展臺(tái)。是德科技非常自豪能夠接替其前身惠普公司和安捷倫公司，繼續(xù)擔(dān)任 DesignCon 展會(huì)的發(fā)起方和主辦方。一年一度的 DesignCon 展會(huì)即將迎來其 20 周年紀(jì)念日。作為主要面向高速通信和半導(dǎo)體行業(yè)中的芯片、電路板和系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師的一項(xiàng)活動(dòng)，它已成為行業(yè)中最重要的展會(huì)。　　是德科技將展出眾多仿真、建模、測(cè)試和
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DDR Memory 系統(tǒng)裕量的特性化研究

　　Memory是系統(tǒng)運(yùn)行和性能的核心。設(shè)計(jì)人員需要更好地了解內(nèi)存子系統(tǒng)，以優(yōu)化系統(tǒng)吞吐能力。　　如今Memory炙手可熱。最近在加利福尼亞州舉行的2014 MemCon盛況空前，展廳里展示了幾乎所有關(guān)于Memory的產(chǎn)品，參會(huì)的人也熱情高漲。　　會(huì)議主題是，是否有更為行之有效的方法來特性化分析DDR Memory的系統(tǒng)裕量。尤其是DDR子系統(tǒng)(DDR controller, PHY和 I/O))被嵌入到芯片用于承擔(dān)處理器和外部DDR存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交互任務(wù)，這使得這種分析變得更加困難。要知道，
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達(dá)成最佳效能/成本的服務(wù)器ASIC IP與系統(tǒng)整合實(shí)現(xiàn)40nm高成本效益制造

　　彈性客制化IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商(Flexible ASIC Leader™)創(chuàng)意電子(Global Unichip Corp.，GUC)與高度創(chuàng)新的fabless Soc – centric IC芯片設(shè)計(jì)公司, 信驊科技(ASPEED Technology, Inc.)采用業(yè)界第一個(gè)以臺(tái)積電公司40nm低功耗(Low Power，LP)工藝節(jié)點(diǎn)的DDR3/4 PHY，大幅加速了一遠(yuǎn)程管理控制器的系統(tǒng)設(shè)計(jì), 此控制器用于服務(wù)器及桌面虛擬化。　　創(chuàng)意電子的DDR 3/4 PHY為業(yè)
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ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
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ARM11 S3C6410系列教程之三：內(nèi)存使用

當(dāng)在S3C6410跑操作系統(tǒng)的時(shí)候，我們不太會(huì)注意S3C6410的內(nèi)存使用情況，但是，當(dāng)我們做裸板測(cè)試時(shí)，該處理器的8K的片內(nèi)內(nèi)存的使用就不得不注意，一旦編寫的程序大小超過了片內(nèi)內(nèi)存的大小，我們就不能得到正確的結(jié)果，究其原因，我們先看一下S3C6410的啟動(dòng)過程。
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Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)日前宣布推出一個(gè)新的串行外設(shè)接口(SPI)閃存產(chǎn)品家族。為了滿足汽車儀表板與工業(yè)人機(jī)交互界面等多圖像應(yīng)用的需求，該產(chǎn)品家族具備業(yè)內(nèi)最高的讀取性能與最小的封裝占板面積。
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8位1.0GSPS ADC芯片MXT2001原理與應(yīng)用

高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)被廣泛運(yùn)用在高速測(cè)試設(shè)備，高速雷達(dá)，衛(wèi)星接收機(jī)，高速成像系統(tǒng)，高速存儲(chǔ)設(shè)備等領(lǐng)域，作為模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)的接口發(fā)揮著重要的作用。目前，隨著我國信息化技術(shù)的不斷深入，主流的電子產(chǎn)品加速由MHz頻段向GHz頻段推進(jìn)，迫切需要采樣率為1GSPS以上的高速采樣ADC，以滿足不斷提高的系統(tǒng)速度和實(shí)時(shí)采樣要求。
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最大限度地減小汽車 DDR 電源中的待機(jī)電流

當(dāng)您打開一部筆記本電腦或者智能手機(jī)時(shí)，會(huì)料到其啟動(dòng)需要等待一點(diǎn)時(shí)間，但是當(dāng)您啟動(dòng)車輛時(shí)，就不太會(huì)有那么大的...
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電路端接的作用

端接，是我們?cè)陔娐分薪?jīng)常用到的。在高速電路中，端接顯得尤其重要。如果在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候沒有進(jìn)行正確的端接，嚴(yán)重的可能造成電路完全不能工作。今天就來說說端接這點(diǎn)事。
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泰克推出面向DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存的實(shí)時(shí)一致性分析儀

測(cè)試、測(cè)量及監(jiān)測(cè)儀器的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商—泰克公司日前宣布，推出實(shí)時(shí)內(nèi)存執(zhí)行驗(yàn)證解決方案，以提供針對(duì)JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的更快速協(xié)議、性能及一致性分析。
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Teledyne升級(jí)DDR協(xié)議分析儀

Teledyne LeCroy,協(xié)議分析儀的全球領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了Kibra 480 DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，增加了排查問題的創(chuàng)新功能，有助于增加DRAM的可靠性。新的DRAM行(Row)使用報(bào)告專門用來識(shí)別過多的ACTIVATE命令，這類命令過多可能導(dǎo)致相鄰行的誤碼。
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先進(jìn)高速傳輸接口及高速DDR存儲(chǔ)器技術(shù)

當(dāng)今的IC設(shè)計(jì)大幅增加了許多功能，必須運(yùn)用既有的驗(yàn)證有效IP組件，以滿足上市前置時(shí)間的要求。但是，由于功能要求...
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ddr介紹

　DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存　　嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]