在本章開(kāi)始之前，我們先來(lái)看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

　　在圖中，我們看到ARM11S3C6410內(nèi)存部分有SRAM、SDRAM、DDR和NANDflash幾種類型，關(guān)于這幾種內(nèi)存之間的聯(lián)系可參考ARM11s3c6410系列教程之三內(nèi)存使用的介紹。從以上幾節(jié)的介紹可以看出，若ARM11S3C6410設(shè)置為NANDflash啟動(dòng)，則NANDflash作為程序暫時(shí)儲(chǔ)存的場(chǎng)所，我們不能不認(rèn)真的理解下NANDflash的操作。

　　在硬件上，使能 NAND Flash時(shí)， XSELNAND需保持為高電平，也就是AB16為高電平。

　　在NAND Flash 控制器圖解如下圖所示：

　　在圖解中我們可以看出NAND Flash控制器片選信號(hào)、命令信號(hào)，地址信號(hào)，讀信號(hào)、寫信號(hào)、空閑/繁忙管腳和8個(gè)數(shù)據(jù)管腳組成，這大大方便了NANDflash的使用和控制。