這幾年國產芯片替代概念推動了國內半導體公司的加速發(fā)展。除了處理器芯片外，存儲器的發(fā)展也得包括政府、市場資本、行業(yè)巨頭廠商的高度關注。不過，受制于技術等原因，全球90%的DRAM市場份被三星、海力士和美光三家廠商占據。 現有DRAM的最關鍵技術是電容存儲單元，它不僅帶來了特有的制造挑戰(zhàn)，還被大量專利所保護。
國內廠商想要有所突破，除了加大投入和研發(fā)外，一定程度也需要外力支持。近日，半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass 首席執(zhí)行官Charlie Che
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Kilopass VLT
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。
“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術的領導者而聞名，我
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Kilopass DRAM
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品提供商Kilopass Technology, Inc.近日推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術。該技術顯著降低了存儲芯片的成本且與DDR SDRAM完全兼容，使用標準CMOS工藝制造且無需昂貴的電容結構。
由于當前基于1個晶體管+1個電容器(1T1C)存儲單元結構的DRAM解決方案不夠合理，電容器無法進一步縮小，尺寸太大，在20nm工藝上，電容量太低，DRAM技術自2010年以來已放緩
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Kilopass VLT
聯華電子與半導體邏輯非揮發(fā)性內存(NVM)硅智財領導廠商Kilopass日前共同宣布，雙方已簽署技術開發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性內存硅智財將于聯華電子兩個28奈米先進制程平臺上使用，分別為：適用于生產可攜式裝置產品系統(tǒng)單芯片的高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費性電子產品系統(tǒng)單芯片設計公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。
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聯華 Kilopass 28奈米 硅智財
業(yè)界領先的半導體邏輯非易失性內存(NVM)知識產權模塊(IP)的供應商，Kilopass 科技公司，今天發(fā)布了業(yè)界第一也是迄今唯一一個4兆比特的非易失性內存半導體IP--Gusto。Gusto是唯一足以儲存?zhèn)鹘y(tǒng)上被存儲在外部串行閃存和EEPROM芯片上的固件及啟動代碼的NVM IP。對于一些對成本、功耗和面積因素比較敏感的應用，包括移動應用處理器和多媒體處理器，以及高安全性應用如移動銀行和有條件接收，它都是理想的選擇。Kilopass已經在三個頂級代工廠——IBM，TSMC和U
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KILOPASS NVM IP
根據Semico調查研究，對于可編程邏輯芯片（PLD而言，便攜式應用是一個快速增長的市場，預估可編程邏輯芯片在這些應用領域的市場值將在2010年前超過6億5000萬美元。但是PLD在便攜應用中也是優(yōu)缺點都非常明顯的解決方案。PLD提供了相比ASIC和ASSP更加靈活的設計路徑，通過提供不同的功能設置，從而設計出差異化的產品。同時，便攜電子電池供電的局限性，以及在有限空間內集成更多功能而又不影響功耗的考慮，都為FPGA帶來了不小的障礙。
當前，PLD市場不乏一些針對便攜應用專門優(yōu)化過的方案，例如Xil
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NVCM FPGA SiliconBlue Kilopass
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