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        Kilopass 在中國推最新VLT技術，助力國內DRAM 產業(yè)崛起
        
                                                            
          
                    	
        • 　　這幾年國產芯片替代概念推動了國內半導體公司的加速發(fā)展。除了處理器芯片外，存儲器的發(fā)展也得包括政府、市場資本、行業(yè)巨頭廠商的高度關注。不過，受制于技術等原因，全球90%的DRAM市場份被三星、海力士和美光三家廠商占據(jù)。 現(xiàn)有DRAM的最關鍵技術是電容存儲單元，它不僅帶來了特有的制造挑戰(zhàn)，還被大量專利所保護。
　　國內廠商想要有所突破，除了加大投入和研發(fā)外，一定程度也需要外力支持。近日，半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass 首席執(zhí)行官Charlie Che
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        • 關鍵字：
                        Kilopass  VLT                          
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        VLT技術 或將顛覆DRAM產業(yè)格局
        
                                                            
          
                    	
        • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術，簡稱VLT技術。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產業(yè)格局。
　　最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術
　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領域。然而當前
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        • 關鍵字：
                        VLT  DRAM                          
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        Kilopass推出VLT技術，欲改變DRAM產業(yè)格局
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品提供商Kilopass Technology, Inc.近日推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術。該技術顯著降低了存儲芯片的成本且與DDR SDRAM完全兼容，使用標準CMOS工藝制造且無需昂貴的電容結構。
　　由于當前基于1個晶體管+1個電容器(1T1C)存儲單元結構的DRAM解決方案不夠合理，電容器無法進一步縮小，尺寸太大，在20nm工藝上，電容量太低，DRAM技術自2010年以來已放緩
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        • 關鍵字：
                        Kilopass  VLT                          
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