600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

基于GaN的高功率密度快充正快速成長(zhǎng)

1? ?看好哪類GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(zhǎng)。這說明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當(dāng)中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應(yīng)用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達(dá)等，其中快充會(huì)繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開關(guān)器件的市場(chǎng)成長(zhǎng)。相對(duì)于硅
關(guān)鍵字： 202201 GaN 英飛凌

ST已經(jīng)做好部署，準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但長(zhǎng)期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場(chǎng)前景將如何？GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破？為此，本媒體邀請(qǐng)了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動(dòng)向。
關(guān)鍵字： 202201 GaN

GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開啟智能集成時(shí)代

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長(zhǎng)期以來，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場(chǎng)前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費(fèi)類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘釗、高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級(jí)研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖從左至右：納微半導(dǎo)體級(jí)的高級(jí)應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營(yíng)運(yùn)總監(jiān)李銘
關(guān)鍵字： GaN 集成 202201

蘋果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

　　10月19日消息，據(jù)The Verge報(bào)道，蘋果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?！　∨c傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時(shí)支持大功率。　　此外，蘋果公司還確認(rèn)，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn)，這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電?！　⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國(guó)官網(wǎng)上架?！　∑渲?，140W USB-C電源適配器的價(jià)格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
關(guān)鍵字：蘋果電源適配器 GaN 充電器

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG

InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時(shí)還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計(jì)?！　⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
關(guān)鍵字： PI InnoSwitch?3-PD GaN

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺(tái)達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本
關(guān)鍵字： GAN TI 電源供應(yīng)器

集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國(guó)于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長(zhǎng)幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
關(guān)鍵字：新能源車 GaN 功率元件

ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，GaN功率開關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
關(guān)鍵字： ST Exagan GaN

2021年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)排名

注意以下排名企業(yè)不分先后：安世半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司江蘇長(zhǎng)晶科技有限公司華潤(rùn)微電子控股有限公司樂山無線電股份有限公司揚(yáng)州楊杰電子科技股份有限公司北京燕東微電子有限公司杭州士蘭微電子股份有限公司江蘇捷捷微電子股份有限公司吉林華微電子股份有限公司無錫新潔能股份有限公司以上江蘇長(zhǎng)晶科技有限公司已更名為江蘇長(zhǎng)晶半導(dǎo)體有限公司，其經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品不變
關(guān)鍵字：功率器件

憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費(fèi)者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會(huì)率先用到氮化鎵呢？
關(guān)鍵字：氮化鎵快充 GaN

功率器件競(jìng)爭(zhēng)格局解析

功率半導(dǎo)體為半導(dǎo)體重要組成，是進(jìn)行電能（功率）處理的核心器件，用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2019年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為381億美元，預(yù)計(jì)到2022年達(dá)到426億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為5.43%，市場(chǎng)空間穩(wěn)健增長(zhǎng)。功率器件是功率半導(dǎo)體的一個(gè)重要分支，應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛，幾乎用于所有電力電子制造業(yè)，其中，汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子是功率半導(dǎo)體的前三大終端市場(chǎng)。功率器件細(xì)分領(lǐng)域中，早期二極管、三極管主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；晶閘管實(shí)現(xiàn)可控性改良；功率MOSFET和IGBT等器件實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字：功率器件

聚焦半導(dǎo)體主業(yè)，TCL科技出售廣州金服、加碼功率器件業(yè)務(wù)

日前，TCL科技連發(fā)數(shù)則公告，釋放出聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的信號(hào)。除了50億元增資TCL華星之外，TCL科技擬出售TCL 金服控股（廣州）集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“廣州金服”），而其控股子公司天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中環(huán)半導(dǎo)體”）的全資子公司天津環(huán)鑫科技發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天津環(huán)鑫”）擬引入TCL 微芯科技（廣東）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“TCL 微芯”）對(duì)天津環(huán)鑫增資5.67億元。向TCL實(shí)業(yè)出售廣州金服100%股權(quán)公告顯示，TCL科技近日簽署了《股份轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，擬向TCL實(shí)業(yè)出售廣州金服10
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 TCL科技功率器件

德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級(jí)聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室合作備忘錄

德州儀器(TI)今日宣布與中國(guó)領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司（后簡(jiǎn)稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級(jí)共同運(yùn)營(yíng)的聯(lián)合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室，實(shí)現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù)，加速包括軌道交通，電動(dòng)汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計(jì)以助力中國(guó)新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用，以響應(yīng)中國(guó)在2060年實(shí)現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動(dòng)中國(guó)城際軌道交通系統(tǒng)的快速
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET GaN