所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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FinFET 電路設計
要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早…
盡管產量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠是否會采用FD
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制程 FinFET
新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產投片(production tapeout)，目前已有超過20家業(yè)界領導廠商運用這個平臺
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Synopsys FinFET
隨著半導體工藝技術的進步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領先的晶圓代工廠商已經將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點的SoC也已實現(xiàn)量產，那么半導體技術節(jié)點以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰(zhàn)?同時，進入20納米技術節(jié)點之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術與應用上帶來怎樣的發(fā)展變革?
5納米節(jié)點是目前技術極限 摩爾定律被修正意義仍在
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處理器 FinFET
臺積電7月14日首度揭露最先進的5納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術藍圖。臺積電規(guī)劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對外提供代工服務，是全球首家揭露5納米代工時程的晶圓代工廠。
臺積電透露，配合客戶明年導入10納米制程量產，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務。臺積電強化InFO布局，是否會威脅日月光、矽品等專業(yè)封測廠，業(yè)界關注。
臺積電在晶圓代工領域技術領先，是公司維持高獲利的最大動能，昨天的新聞發(fā)布會上，先進制程布局，成為法人另一個關注焦點。
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臺積電 FinFET
在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領先的獨立納米技術研究機構——IMEC的首席執(zhí)行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會繼續(xù)，我不僅相信它將會繼續(xù)，而且我認為它不得不繼續(xù)。”
他認為，目前從技術層面來說，F(xiàn)INFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經可以幫我們持續(xù)推進到3nm的制程節(jié)點。EUV光刻技術將是未來的唯一選擇。
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3nm 半導體
ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現(xiàn)更佳運算能力與功耗表現(xiàn)。 此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的
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ARM FinFET
據(jù)中新網、網易等報道，當?shù)貢r間2016年5月19日，美國總統(tǒng)奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創(chuàng)新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺灣大學。
她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進口石油的依賴。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
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FinFET
Nvidia和AMD雙方都擁有為數(shù)眾多的粉絲,每天在網上相互抨擊的文章和帖子是數(shù)不勝數(shù)，大家都認為自家購買的顯卡是最好的，而把對方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭更是如此。
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AMD FinFET
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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FD-SOI FinFET
身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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FD-SOI FinFET
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協(xié)議進一步擴展了雙方的長期合作關系，并將領先的工藝技術從移動手機延伸至下一代網絡和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術合作。 ARM全球執(zhí)行副總裁兼產品事業(yè)群總裁
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ARM FinFET
三星(Samsung)即將量產用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項消息持續(xù)引發(fā)一些產業(yè)媒體的關注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進一步的更新。
業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經在去年
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三星 FinFET
半導體業(yè)自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(DP)。再進一步發(fā)展至16/14納米時，大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級，加上193i的光學技術延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(FP)，這已引起全球業(yè)界的關注。
而對于更先進5納米生產線來說，至今業(yè)界
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5納米 finFET
3nm finfet介紹
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