3d x-dram 文章 進入3d x-dram技術社區(qū)
第二季度DRAM跌幅估縮小
- 根據(jù)市調(diào)預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
- 關鍵字： DRAM 集幫咨詢
適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應傳感器的評估模塊
- TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
- 關鍵字： 精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器 霍爾效應傳感器 3D
三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用
- 今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
- 關鍵字： 三星 LPDDR5X DRAM 高通 驍龍
雙目立體賦能3D機器視覺，銀牛攜芯片模組登陸中國市場
- 1? ?幾種3D深度感知技術比較3D深度感知主要有3個技術方向：雙目立體，結構光，飛行時間（ToF），結構光起步比較早，但是技術的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結構光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點，來計算對象物深度的數(shù)據(jù)。結構光需要有一個發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結構光的弱點是在室外時，結構光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
- 關鍵字： 3D 雙目 深度
美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導入
- 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預
- 關鍵字： 美光 EUV DRAM
TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%
- 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
- 關鍵字： TrendForce PC DRAM
三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！ 〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
- 關鍵字： 三星 內(nèi)存 DRAM DDR5
EUV技術開啟DRAM市場新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
- 關鍵字： EUV DRAM
SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術的第四代10納米級DRAM
- SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
- 關鍵字： SK海力士 10納米 DRAM
AMD推動高效能運算產(chǎn)業(yè)發(fā)展 首款3D chiplet應用亮相
- AMD展示了最新的運算與繪圖技術創(chuàng)新成果，以加速推動高效能運算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展，涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術；與業(yè)界領導廠商特斯拉和三星合作，擴大了AMD運算與繪圖技術在汽車與手機市場的應用；新款AMD Ryzen處理器瞄準狂熱級玩家與消費性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領先的數(shù)據(jù)中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術。 AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
- 關鍵字： AMD 3D chiplet Ryzen
美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創(chuàng)新
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟背后，有一
- 關鍵字： 美光 176層NAND 1α DRAM
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