3d chiplet 文章進(jìn)入3d chiplet技術(shù)社區(qū)

AMD推出Instinct MI300X GPU和MI300A APU，比英偉達(dá)H100領(lǐng)先1.6倍

AMD 的 Chiplet 策略脫穎而出。
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí)，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤位置檢測(cè)、油門和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
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奎芯科技參展ICCAD2023，以Chiplet搭建"芯"未來

2023年11月10-11日，中國(guó)半導(dǎo)體最具影響力的行業(yè)盛會(huì)之一，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)（以下簡(jiǎn)稱"ICCAD"）在廣州保利世貿(mào)博覽館盛大開幕。奎芯科技，作為專業(yè)的集成電路IP和Chiplet的產(chǎn)品供應(yīng)商，也在本次展會(huì)中亮相，展臺(tái)主題為"以Chiplet搭建'芯'未來"。直擊奎芯科技ICCAD 2023展位現(xiàn)場(chǎng)在本次展會(huì)前夕的中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事會(huì)議中，奎芯科技實(shí)現(xiàn)了從會(huì)員單位升級(jí)為理事單位的跨越。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)奎芯科技在半導(dǎo)體設(shè)
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?迎接Chiplet模塊化生態(tài) 中國(guó)臺(tái)灣可走虛擬IDM模式

隨著3D-IC與異質(zhì)整合的技術(shù)逐步成熟，半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)也進(jìn)入了新的轉(zhuǎn)折，不僅難度大幅提高，同時(shí)成本也水漲船高，這對(duì)當(dāng)前的IC設(shè)計(jì)業(yè)者產(chǎn)生了不小的壓力。對(duì)此，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈將需要一個(gè)新的營(yíng)運(yùn)模式，來應(yīng)對(duì)眼前這個(gè)新時(shí)代的芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。對(duì)此，CTIMES【東西講座】特別舉行「虛擬IDM：群策群力造芯片」的講題，并邀請(qǐng)工研院電子與光電系統(tǒng)研究所副所長(zhǎng)駱韋仲博士親臨，剖析何謂虛擬IDM，而工研院又將如何與中國(guó)臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作，一同建立虛擬IDM的模式。對(duì)于虛擬IDM這個(gè)名詞，駱韋仲解釋，之所以會(huì)虛擬IDM的發(fā)想
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極速智能,創(chuàng)見未來 2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)順利召開

高性能計(jì)算和人工智能正在形成推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的雙翼。面對(duì)摩爾定律趨近極限的挑戰(zhàn)，3DIC Chiplet先進(jìn)封裝異構(gòu)集成系統(tǒng)越來越成為產(chǎn)業(yè)界矚目的焦點(diǎn)。這種創(chuàng)新的系統(tǒng)不僅在Chiplet的設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等方面帶來了許多突破，同時(shí)也催生了全新的Chiplet EDA平臺(tái)，共同為創(chuàng)造下一代數(shù)字智能系統(tǒng)賦能。芯和半導(dǎo)體，作為國(guó)內(nèi)首家推出“3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析全流程”EDA平臺(tái)的EDA公司，在10月25日上海舉辦了2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)，總規(guī)模超過600人。大會(huì)以“極速智能，
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2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì) | AI, HPC, Chiplet生態(tài)聚會(huì)

2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)以“極速智能，創(chuàng)見未來”為主題，以“系統(tǒng)設(shè)計(jì)分析”為主線，以“芯和Chiplet EDA設(shè)計(jì)分析全流程EDA平臺(tái)”為旗艦，包含主旨演講和技術(shù)分論壇兩部分，主題涵蓋芯片半導(dǎo)體與高科技系統(tǒng)領(lǐng)域的眾多前沿技術(shù)、成功應(yīng)用與生態(tài)合作方面的最新成果。
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
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3D ToF相機(jī)于物流倉(cāng)儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉(cāng)儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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(2023.10.7)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞2023.9.28-2023.10.61. 英特爾決戰(zhàn)2nm，4年追趕5代制程，與臺(tái)積電維持競(jìng)合關(guān)系明年底，英特爾將推進(jìn)至18Ａ制程，挑戰(zhàn)臺(tái)積電2nm制程，并將用于2025年推出的服務(wù)器處理器產(chǎn)品上。英特爾認(rèn)為，屆時(shí)將用比超微更佳的制程奪回市場(chǎng)。臺(tái)積電則預(yù)計(jì)于2025年量產(chǎn)2nm制程芯片?；粮裥嬗⑻貭栂乱淮瞥?0Ａ將在明年上半年推出。A代表埃米，一埃米是10分之1nm，20Ａ代表的即是2nm制程。由于電晶體的體積極小，因此，英特爾將改采用GAA（閘極全環(huán)電晶體）技術(shù)設(shè)計(jì)的新型電晶體「Ri
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IP 廠商想要抬高「天花板」

Arm 成功上市，上市當(dāng)天股價(jià)飆升近 25%。
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英特爾展示全球首款基于UCIe連接的Chiplet CPU

英特爾 CEO 帕特·基辛格：英特爾正在開創(chuàng)人工智能電腦的新時(shí)代。
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薈聚兩大代工廠最尖端工藝：英特爾展示全球首款基于 UCIe 連接的 Chiplet 芯片，代號(hào) Pike Creek

IT之家 9 月 20 日消息，英特爾 CEO 帕特?基辛格 (Pat Gelsinger) 在 Innovation 2023 活動(dòng)上展示了全球首款基于 UCIe 連接 Chiplet（芯粒）的處理器。這顆代號(hào)為“Pike Creek”的測(cè)試芯片薈聚了兩大代工廠最尖端工藝，包括基于 Intel 3 工藝的 Intel UCIe IP 小芯片，以及 TSMC N3E 的 Synopsys（新思科技）UCIe IP 小芯片，兩個(gè)小芯片之間則通過英特爾 EMIB 接口進(jìn)行通信。UCIe（U
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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