2022 tsmc oip 文章 進入2022 tsmc oip技術社區(qū)
先進封裝:TSMC在FOPLP和CoPoS方面的戰(zhàn)略推動
- 先進封裝被廣泛認為是擴展和超越摩爾定律的關鍵技術途徑。面對芯片擴展的物理限制和工藝節(jié)點小型化步伐的放緩,先進封裝通過系統(tǒng)級封裝 (SiP)、異構集成和高密度互連實現(xiàn)計算性能和能效的持續(xù)改進。臺積電的技術論壇即將舉行,據(jù)外媒報道,預計臺積電將在活動中討論 CoPoS 的技術概念。這將與 2025 Touch Taiwan 技術論壇同時進行,產(chǎn)生協(xié)同效應。SemiVision Research 將對 CoPoS 技術進行深入討論,并分析臺灣和全球供應鏈格局。由于這種封裝技術與基于面板的工藝密切相關,臺灣面板制
- 關鍵字: 先進封裝 TSMC FOPLP CoPoS
TSMC展示用于AI的kW集成穩(wěn)壓器
- TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器 (IVR),其垂直功率密度是分立設計的五倍。最新的 AI 數(shù)據(jù)中心芯片需要 1000A 的電流,下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關鍵方法是使用垂直功率傳輸,并將功率饋送到 AI 芯片的背面。TSMC 開發(fā)的 IVR 使用基于 16nm 工藝技術的電源管理 IC (PMIC),該 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”電感器與硅通孔 (TSV)。該 PMIC 將具有陶瓷層來構建電感器,PMIC 將位于襯底上,與使用 TSMC
- 關鍵字: TSMC AI kW 集成穩(wěn)壓器
“最后也是最好的FINFET節(jié)點”
- 在該公司的北美技術研討會上,臺積電業(yè)務發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體,創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源?!拔覀兊哪繕耸亲尲尚酒阅艹蔀橐粋€平臺,”Zhang 說。 截至目前,可用或計劃中 N3 變體是:N3B:基準 3nm 工藝。N3E:成本優(yōu)化的版本,具有更少的 EUV 層數(shù),并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3,但具有更好的良率。N3P:N3E 的增強版本,在相
- 關鍵字: FINFET TSMC
Avicena與TSMC優(yōu)化I/O互連的光電探測器陣列
- Avicena 將與臺積電合作,為 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互連優(yōu)化光電探測器 (PD) 陣列。LightBundle 互連支持超過 1 Tbps/mm 的海岸線密度,并以一流的 sub-pJ/bit 能效將超高密度晶粒到晶粒 (D2D) 連接擴展到 10 米以上。這將使 AI 縱向擴展網(wǎng)絡能夠支持跨多個機架的大型 GPU 集群,消除當前銅互連的覆蓋范圍限制,同時大幅降低功耗。日益復雜的 AI 模型推動了對計算和內(nèi)存性能的需求空前激增,需要具有更高密度、更
- 關鍵字: Avicena TSMC I/O互連 光電探測器陣列
TSMC 選擇更小的襯底進行初始 PLP 運行
- 一位消息人士告訴《日經(jīng)新聞》(Nikkei),決定生產(chǎn)“應該從稍小的方形開始,而不是在早期試驗中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學品均勻地涂覆整個基材尤其具有挑戰(zhàn)性。首次生產(chǎn)將于 2017 年在桃園市試行。據(jù)報道,日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產(chǎn)線,但在聽說臺積電的決定后,決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點生產(chǎn)線。PLP 技術由 Fraunhofer 于 2016 年推出,當時它與 17 個合作伙伴成立了面板級封裝聯(lián)盟 (PLC)。
- 關鍵字: TSMC 襯底 PLP
臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國,以滿足當?shù)乜蛻舻男枨?/a>
- 上個月臺積電(TSMC)宣布,有意增加1000億美元投資于美國先進半導體制造,擴大投資計劃包括了三座新建晶圓廠、兩座先進封裝設施、以及一間主要的研發(fā)團隊中心。臺積電在美國亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠名為Fab 21,前后花了大概五年時間才完成第一間晶圓廠。不過隨著項目的推進,臺積電在當?shù)氐脑O施建造速度變得更快。據(jù)TrendForce報道,臺積電打算將FOPLP封裝技術帶入美國,以滿足當?shù)乜蛻羧找嬖鲩L的需求。臺積電正在確定FOPLP封裝的最終規(guī)格,以加快大規(guī)模生產(chǎn)的時間表。初代產(chǎn)品預計采用300mm x
- 關鍵字: 臺積電 TSMC FOPLP 封裝技術 美國 半導體 晶圓
臺積電將于4月1日起開始接受2nm訂單,首批芯片預計2026年到來
- 臺積電(TSMC)在去年12月已經(jīng)對2nm工藝進行了試產(chǎn),良品率超過了60%,大大超過了預期。目前臺積電有兩家位于中國臺灣的晶圓廠專注在2nm工藝,分別是北部的寶山工廠,還有南部的高雄工廠,已經(jīng)進入小規(guī)模評估階段,初期產(chǎn)能同樣是月產(chǎn)量5000片晶圓。據(jù)Wccftech報道,最新消息稱,臺積電將從2025年4月1日起開始接受2nm訂單,蘋果大概率會是首個客戶。傳聞蘋果計劃采用2nm工藝制造A20,用于2026年下半年發(fā)布的iPhone 18系列智能手機上。除了蘋果以為,AMD、英特爾、博通和AWS等都準備排
- 關鍵字: 臺積電 2nm 首批芯片 TSMC 蘋果 A20 iPhone 18
蘋果A系列芯片將集成自研5G基帶:替代高通
- 2月25日消息,蘋果記者Mark Gurman透露,蘋果計劃在未來將5G調(diào)制解調(diào)器集成到設備的主芯片組中,這意味著未來不會再有A18芯片組與獨立的C1調(diào)制解調(diào)器,而是兩者合二為一,不過這一成果需要幾年時間才能實現(xiàn)。據(jù)悉,蘋果自研5G基帶芯片由iPhone 16e首發(fā)搭載,該機同時還搭載了A18芯片,支持Apple智能。報道顯示,蘋果自研的5G基帶芯片C1由臺積電(TSMC)代工,其基帶調(diào)制解調(diào)器采用4nm工藝,而接收器則采用了7nm工藝,這種組合是兼顧性能與功耗的解決方案。按照計劃,蘋果明年將會擴大自研基
- 關鍵字: 蘋果 A系列芯片 自研 5G基帶 高通 臺積電 TSMC
臺積電暫不能在海外生產(chǎn)2nm芯片,以確保先進半導體工藝技術留在當?shù)?/a>
- 前一段時間,臺積電(TSMC)董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家表示,客戶對于2nm的詢問多于3nm,看起來更受客戶的歡迎,未來五年內(nèi)臺積電有望實現(xiàn)連續(xù)、健康的增長。目前看來,2nm不但能復制3nm的成功,甚至有超越的勢頭,為此臺積電加快了2nm產(chǎn)線的建設,并進一步擴大了產(chǎn)能規(guī)劃。由于臺積電在海外還有新修晶圓廠的計劃,據(jù)相關媒體報道,中國臺灣當?shù)氐闹鞴懿块T表示,雖然臺積電在美國、歐洲和日本都在建造先進工藝的晶圓廠,但是最先進的半導體生產(chǎn)技術不能轉移到海外的生產(chǎn)設施,這受到當?shù)胤傻谋Wo,核心技術不能外移,現(xiàn)階段無法
- 關鍵字: 臺積電 2nm芯片 半導體 TSMC
臺積電OIP推3D IC設計新標準
- 臺積電OIP(開放創(chuàng)新平臺)于美西當?shù)貢r間25日展開,除表揚包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外,更計劃推出3Dblox新標準,進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新,并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示,將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰(zhàn),幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現(xiàn)優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑,與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作,推動AI芯片設計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
- 關鍵字: 臺積電 OIP 3D IC設計
羅克韋爾自動化發(fā)布《可持續(xù)發(fā)展 2022 年度報告》

- (2023年6月27日,中國上海)近日,全球領先的工業(yè)自動化、信息化和數(shù)字化轉型企業(yè)之一羅克韋爾自動化 (NYSE: ROK) 正式發(fā)布中文版《可持續(xù)發(fā)展 2022 年度報告》。這份共計93頁的報告以數(shù)字文檔的形式發(fā)布,詳細介紹了羅克韋爾自動化的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略與成果,以及公司如何通過在制造業(yè)乃至全球各地社區(qū)開展合作,為可持續(xù)領域帶來影響和變革。?“這是我們迄今為止最富成果的一份報告?!绷_克韋爾自動化董事會主席兼首席執(zhí)行官 Blake Moret 說道,“報告反映出可持續(xù)發(fā)展日益提高的重要性。可持
- 關鍵字: 羅克韋爾自動化 可持續(xù)發(fā)展 2022 年度報告
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