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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

        傳輸速度高達2400Mtps,三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

        • 據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉,三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度,搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。三星電子表示,第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案,具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數(shù)據(jù)并沒有做詳細介紹,但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示,第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
        • 關鍵字: 三星  閃存  

        三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

        • IT之家 11 月 7 日消息,雖然還沒有發(fā)布任何實際產(chǎn)品,但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,當搭配高端主控使用時,它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度,不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱,與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比,
        • 關鍵字: V-NAND  閃存  三星  

        為什么會有 80GB / 320GB 這樣 "非標準" 容量的存儲卡

        • 在過去很長時間里,存儲卡的容量都是 2 的 N 次方,比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現(xiàn)以后,市場上就出現(xiàn)了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標準規(guī)格”。這背后的原因是什么?正式動筆后,我發(fā)現(xiàn)這件事情并不是三言兩語能夠講清楚的……ET 會盡量剝離掉與大家關系不大的知識點,大家在閱讀時也可以忽略括號和 * 內(nèi)的部分??破沾鎯?、固態(tài)硬盤都以閃存顆粒(NAND Flash)作為存儲介質,而閃存顆粒本身是有擦寫次數(shù)限制的(即寫
        • 關鍵字: 存儲卡  固態(tài)硬盤  閃存  

        三星電子236層NAND閃存預計年內(nèi)開始生產(chǎn)

        • 據(jù)國外媒體報道,當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子,預計會在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外,它還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心,負責更先進NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國媒體在報道中還表示,三星目前量產(chǎn)的NAND閃存,最高是176層,在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后,三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報道來看,三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示,在NAND閃存市場,三星電子的市場份額占了35%,為全球最高。將層數(shù)增加60層后,他們計劃憑借生產(chǎn)技術、價格及
        • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  

        金士頓推出DataTraveler Max閃存盤新品

        • 中關村在線消息,金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤新品。其特點是采用了USB 3.2 Gen 2方案,具有高達1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫入速度。此外該系列閃存盤采用了帶橫紋的伸縮頭設計,能夠在收納時更好地保護USB接頭。金士頓表示,DataTraveler Max系列高性能閃存盤設計之初就充分考慮到了便攜性和便利性,黑/紅外殼可一眼分辨其接口,并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面,DataTraveler Max系
        • 關鍵字: 金士頓  閃存  USB 3.2 Gen 2  

        西部數(shù)據(jù)推出模塊化高性能存儲解決方案,助力創(chuàng)作者創(chuàng)意呈現(xiàn)

        • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上發(fā)布了旗下閃迪?及閃迪大師品牌的創(chuàng)新產(chǎn)品,包括模塊化固態(tài)硬盤系統(tǒng)以及全新升級的UHS-I SD?和microSD?存儲卡,旨在為世界各地的內(nèi)容創(chuàng)作者和專業(yè)人士提供更好的支持。無論是在工作室內(nèi)創(chuàng)作影視大片,還是在戶外現(xiàn)場拍攝素材片段,全新發(fā)布的解決方案將為內(nèi)容創(chuàng)作者帶來高性能、可擴展且極具可靠性的解決方案,助力他們實現(xiàn)無限可能。西部數(shù)據(jù)消費者解決方案高級副總裁Jim Welsh表示:“閃迪大師品牌致力于為追尋理想不斷前行的人提供高品質的存儲解
        • 關鍵字: HDD  閃存  

        西部數(shù)據(jù)擴充旗下WD_BLACK SSD產(chǎn)品組合,滿足各類游戲玩家的多樣化需求

        • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上宣布:旗下專為游戲玩家打造的WD_BLACK品牌再度擴充產(chǎn)品組合,推出WD_BLACK? SN850X NVMe? SSD和WD_BLACK P40 游戲移動固態(tài)硬盤兩款新品,旨在進一步提升玩家游戲體驗,為玩家升級PC和主機的存儲系統(tǒng)提供更多選項。AMD(超威半導體)企業(yè)科研理事兼計算與圖形首席技術官Joe Macri表示:“AMD很高興能與西部數(shù)據(jù)持續(xù)開展深度合作,為玩家提供卓越的游戲體驗。隨著游戲變得更加讓人身臨其境,玩家們也越來越青睞
        • 關鍵字: HDD  閃存  

        西部數(shù)據(jù)全新定制化SSD產(chǎn)品,助力混合工作模式,發(fā)掘數(shù)據(jù)價值

        • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上推出了全新的西部數(shù)據(jù)?PC SN740 NVMe? SSD,旨在滿足當今混合辦公趨勢的獨特需求,為用戶帶來更佳的計算體驗。西部數(shù)據(jù)公司閃存業(yè)務部門消費級及企業(yè)級SSD副總裁Eric Spanneut表示:“過去幾年,混合和遠程辦公模式已成為企業(yè)的‘新常態(tài)’,這也推動了PC出貨量的顯著增長。工作習慣和辦公場所的改變,為我們帶來了巨大的市場機遇。我們致力于為企業(yè)級和商用PC 的OEM廠商提供輕薄的存儲解決方案,在保證低能效的前提下,提供強大的性
        • 關鍵字: HDD  閃存  

        西部數(shù)據(jù)公司推出全新大容量SSD產(chǎn)品 支持大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心的高性能表現(xiàn)

        • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上宣布:公司新款Ultrastar? NVMe? PCIe? 4.0 SSD正在向部分超大規(guī)??蛻艚桓稑悠?。基于西部數(shù)據(jù)強大的垂直整合優(yōu)勢,新款SSD旨在提供大規(guī)模的高性能產(chǎn)品支持,同時降低公有云部署的TCO。如今,云基礎設施逐漸往分布式架構發(fā)展,為不斷增長的 “即服務“ 產(chǎn)品提供了彈性、可擴展性和可預測性。將存儲與計算分離,使大容量數(shù)據(jù)中心NVMe SSD 成為熱門的細分品類——可提高存儲利用率,增加數(shù)據(jù)中心機柜密度,以適應虛擬化和多租戶環(huán)
        • 關鍵字: HDD  閃存  

        西部數(shù)據(jù)推出22TB CMR和26TB ULTRASMR HDD,賦能云市場蓬勃發(fā)展新時代

        • 西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上宣布正在向部分超大規(guī)模云服務商合作伙伴提供22TB1和26TB UltraSMR HDD樣品,通過進一步擴大其在面密度技術上的優(yōu)勢,幫助客戶降低總體擁有成本(TCO),實現(xiàn)數(shù)據(jù)價值。西部數(shù)據(jù)擁有豐富的HDD產(chǎn)品組合以及在面密度技術領域的獨特優(yōu)勢,一直處于存儲技術發(fā)展革新的核心位置。借助創(chuàng)新的OptiNAND?技術、能量輔助磁記錄 (ePMR)、三階尋軌定位系統(tǒng) (TSA)、氦氣封裝(HelioSeal?)以及全新的UltraSMR技術,西部
        • 關鍵字: HDD  閃存  

        西部數(shù)據(jù)積極實踐“發(fā)掘數(shù)據(jù)價值”使命

        • 西部數(shù)據(jù)公司本月在舊金山舉行的 “What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會”上,宣布將推進其“發(fā)掘數(shù)據(jù)價值“ 的使命,滿足用戶對于數(shù)據(jù)的多樣化需求。 活動上,數(shù)位西部數(shù)據(jù)公司的領導人發(fā)表了系列主題演講,帶來多個突破性的HDD和閃存創(chuàng)新成果。這些成果皆基于對企業(yè)及用戶使用數(shù)據(jù)的深刻理解,旨在幫助他們以數(shù)造輝煌。西部數(shù)據(jù)公司首席執(zhí)行官David Goeckeler在開幕致辭中對由現(xiàn)代計算技術引發(fā)的市場快速擴張形勢進行了解讀。云計算的發(fā)展、智能網(wǎng)聯(lián)設備的爆炸性增長,以及全球每天因使用這些設備所產(chǎn)生的數(shù)字信息日益增多
        • 關鍵字: HDD  閃存  

        西數(shù)將量產(chǎn)162層閃存:一塊晶圓容量100TB

        •         西部數(shù)據(jù)宣布,與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的BiCS NAND閃存將進入第六代,堆疊層數(shù)達到162層,今年即投入量產(chǎn)?! ∧壳暗?D NAND閃存已經(jīng)紛紛堆到176層,美光日前更是宣布全球首個達到232層?! 〉俏鲾?shù)指出, 自家的162層閃存單元尺寸更小,只有68平方毫米 ,小于競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此存儲密度更高,可以提供和競品相同的單芯片容量?! ∥鲾?shù)表示, BiCS
        • 關鍵字: 西部數(shù)據(jù)  鎧俠  閃存  

        SSD硬盤價格急漲 閃存污染影響到底有多大?西數(shù)回應

        •   2022年初的時候閃存及SSD市場還是哀鴻遍野,因為價格還在下滑,沒想到2月份西數(shù)及鎧俠合資的日本工廠出現(xiàn)了閃存污染事故,損失慘重,當時消息稱西數(shù)就損失了6.5EB的閃存。  鎧俠、西數(shù)是全球TOP3的閃存供應商,份額僅次于三星,其閃存供應對全球智能手機及SSD硬盤市場影響極大,污染事故一傳出,SSD硬盤行業(yè)就躁動不安,部分廠商馬上借此機會宣布漲價15%甚至25%?! ‘敃r西數(shù)也參與了,西數(shù)全球客戶組織執(zhí)行副總裁杰里·卡格爾已經(jīng)公告了此事,稱這次的材料污染事故影響了合資閃存工廠的運營,雖然不影響當前裝
        • 關鍵字: SSD  閃存  西數(shù)  

        三星預計Q1營業(yè)利潤116億美元 同比增長50%

        • 4月7日消息,當?shù)貢r間周四,韓國三星電子公司公布了2022年第一季度初步財報數(shù)據(jù)。該公司預計,今年前三個月營業(yè)利潤達116億美元,同比增長50%,創(chuàng)下2018年以來的最高水平。三星預計,第一季度營業(yè)利潤將達14.1萬億韓元(約合116億美元),較去年第四季度的13.87萬億韓元(約合114億美元)增長1.66%,較上年同期的9.38萬億韓元(約合77億美元)增長50.32%,高于分析師普遍預期的13.3萬億韓元(約合109億美元)。三星第一季度營收預計為77萬億韓元(約合632億美元),較去年第四季度的7
        • 關鍵字: 三星  閃存  

        針對勒索軟件與網(wǎng)絡攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品

        • IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品,瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊并從中恢復;而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境,旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品,瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡彈性機構的研究,46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡攻
        • 關鍵字: NAND Flash  IBM  閃存  
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        閃存介紹

        【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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