西部數(shù)據(jù)宣布，與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的BiCS NAND閃存將進(jìn)入第六代，堆疊層數(shù)達(dá)到162層，今年即投入量產(chǎn)。

　　目前的3D NAND閃存已經(jīng)紛紛堆到176層，美光日前更是宣布全球首個(gè)達(dá)到232層。

　　但是西數(shù)指出， 自家的162層閃存單元尺寸更小，只有68平方毫米 ，小于競(jìng)品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲(chǔ)密度更高，可以提供和競(jìng)品相同的單芯片容量。

　　西數(shù)表示， BiCS6 162層堆疊下，一塊晶圓就可以做到100TB容量，而目前只有大約70TB。

　　性能方面，西數(shù)宣稱自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元，性能可達(dá) 60MB/s ，比對(duì)手快了一半。

　　西數(shù)還預(yù)告了下下一代BiCS+閃存， 堆疊超過200層，預(yù)計(jì)可帶來60％的傳輸速度提升、15％的編程帶寬提升、55％的晶圓容量提升 ，然后繼續(xù)一路堆疊， 2032年左右將超過500層！

　　另外，西數(shù)在PPT上海列出了PLC閃存，但沒有任何細(xì)節(jié)消息。