閃存文章進入閃存技術社區(qū)

K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤不是夢

NAND閃存價格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個季度了，廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況，另一方面也在加強低成本的NAND閃存開發(fā)，今年就會開始從TLC閃存向QLC閃存轉變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號稱是首個4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。
關鍵字：閃存 SK海力士 QLC閃存

產(chǎn)業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%

　　CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
關鍵字：閃存 3D-NAND

提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦，如今又擴展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移，結構上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術已經(jīng)驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻?！　∽畛?，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
關鍵字： NAND 閃存

貿(mào)澤9月新添300余新品

致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (MouserElectronics)，首要任務是提供來自全球700多家廠商的新產(chǎn)品與技術，幫助客戶設計出先進產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤2018年9月發(fā)布了超過302種新品，這些產(chǎn)品均可以當天發(fā)貨。貿(mào)澤上月引入的部分產(chǎn)品包括：Micron串行NOR閃存 Micron串行NOR閃存具有先進的接口和低引腳數(shù)，簡單易用，是適用于代碼映射應用的簡單解決方案。先進的安全技
關鍵字： FPGA 閃存

大容量時代：閃存市場競逐5G機遇

　　5G時代的漸行漸近。對消費群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機遇。在近日舉行的“中國閃存市場峰會(CFMS20　　5G時代的漸行漸近?！　οM群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機遇?！　≡诮张e行的“中國閃存市場峰會(CFMS2018)”上，中國閃存市場總經(jīng)理邰煒表示，2018年全球半導體市場規(guī)模將達1500億美元，其中NANDFlash(閃存存儲器)將超過570億美元，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，
關鍵字：閃存 5G

NAND閃存大科普

　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
關鍵字： NAND 閃存

詳解Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟

什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同
關鍵字： Flash存儲器閃存

閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

　　幾年前突然“大火”的存儲行情，給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續(xù)到 2019 上半年?！　RAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能，是推動這一趨勢的主要原因。
關鍵字：閃存 DRAM

中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

外界普遍認為，中國存儲芯片公司逐步擴大產(chǎn)能，全球內(nèi)存閃存芯片市場的價格有望出現(xiàn)下降。
關鍵字：內(nèi)存閃存

中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

　　對于關注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說，從明年開始將會有實質性的成果，因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產(chǎn)。據(jù)臺灣電子時報報道稱，2019年，中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前，長江存儲正在準備的第一個訂單是，生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。　　在新產(chǎn)品方面，長江存儲正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。　　跟長江存儲不同的是，晉華公司和Innotron主要負責DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)
關鍵字：存儲閃存

被稱為中國“西部硅谷”的西安，在半導體科技領域有哪些實力？

對接資本市場，對接國家戰(zhàn)略，充分發(fā)揮西安的產(chǎn)業(yè)與科研、人才優(yōu)勢，西安完全有可能創(chuàng)造出一個千億級的產(chǎn)業(yè)。
關鍵字：半導體閃存三星

下半年閃存芯片行情疲軟：SSD價格或持續(xù)下滑

　　TrendForce旗下專注存儲業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場分析報告，稱2018下半年，NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升，市場會處在一種供需平衡的局面，從而自然延續(xù)NAND Flash合同價的下降趨勢。　　報告稱，由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在上半年，閃存市場已經(jīng)觀察到了連續(xù)兩個季度的價格走弱。在這樣的態(tài)勢下，一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的擴張，以避免價格走到崩盤的
關鍵字： SSD 閃存

賽普拉斯推出全球領先的閃存解決方案，助力汽車及工業(yè)領域的關鍵安全應用

全球領先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導體公司（納斯達克代碼：CY）日前宣布，正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領域，為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構和設計旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統(tǒng)，是首款符合ISO 26262 功能性安全標準的存儲產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標準，在汽車和工業(yè)的極端溫度應用環(huán)境中，仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
關鍵字：賽普拉斯閃存 nor

閃存陣營戰(zhàn)火起，2018誰爭鋒！

　　分析師從中整理出一些有趣的現(xiàn)象。　　華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷售競爭當中可謂橫空出世，較上年同期飆升十倍。與此同時，NetApp的A系列產(chǎn)品銷售額亦增長超過四倍。　　當然，這兩輪飛躍主要源自相對較小的原有銷售份額——分別為730萬美元與4680萬美元。不過增長是實實在在的，如今華為公司銷售額已經(jīng)達到8410萬美元，這意味著買家完全能夠給今天新興廠商一些機會。　　相關數(shù)據(jù)來自NetApp公司的分析師日活動，并由富國銀行分析師Aaron Rakers整理
關鍵字：閃存

三星閃存工廠突發(fā)停電30分鐘：6000片晶圓報廢

　　閃存產(chǎn)品正走在發(fā)展的快車道上，智能手機、自動駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心等需求廣闊，極大推進了發(fā)展。不過，Digitimes 3月14日發(fā)回報道，3月9日，三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠出現(xiàn)停電事故，TechNews預計損失相當于3月份的全球供應的3.5%。　　雖然停電僅持續(xù)了半小時，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星3月產(chǎn)量的11%。　　三星方面則表示，備用電源(設計為20分鐘)的有效啟動應對了突發(fā)狀況，所以不會對閃存運營造成顯著影響。　　據(jù)DRAMeXchange(集
關鍵字：三星閃存

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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]