良率 文章 進入良率技術(shù)社區(qū)
臺積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上
- 近日，關(guān)于臺積電3nm工藝制程有了新消息，據(jù)外媒digitimes最新報道，半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露，臺積電3納米良率拉升難度飆升，臺積電因此多次修正3納米藍圖。實際上，隨著晶體管數(shù)量的堆積，內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，3nm工藝制程的良品率確實很難快速提升，達成比較好的量產(chǎn)水平。因此，臺積電或?qū)⒁?guī)劃包括N3、N3E與N3B等多個不同良率和制程工藝的技術(shù)，以滿足不同廠商的性能需求，正如同去年蘋果在A15上進行不同芯片性能閹割一致，即能滿足量產(chǎn)需求，還能平攤制造成本，保持利潤。此外，還有消息稱臺積電將在2023年第一季度開
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3nm 良率
泛林集團邊緣良率產(chǎn)品組合推出新功能
- 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團宣布其半導(dǎo)體制造系統(tǒng)產(chǎn)品組合推出全新功能，以進一步改善晶圓邊緣的產(chǎn)品良率，從而提高客戶的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，制造商希望在晶圓的整個表面搭建集成電路。然而，由于晶圓邊緣的化學(xué)、物理和熱不連續(xù)性都更加難以控制，良率損失的風(fēng)險也隨之增加。因此，控制刻蝕的不均勻度以及避免晶圓邊緣缺陷是降低半導(dǎo)體器件制造成本的關(guān)鍵所在。泛林集團的Corvus刻蝕系統(tǒng)和Coronus等離子斜面清潔系統(tǒng)有效地解決了大規(guī)模生產(chǎn)中的邊緣良率問題。這些解決方案被應(yīng)用于尖端節(jié)點的制造
- 關(guān)鍵字： 晶圓 良率
利用縫隙抑制型鎢填充接觸區(qū)工藝來降低良率損失
- 在早先的技術(shù)節(jié)點中，由于器件尺寸較大，能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)進行鎢(W)填充。如今，由于插塞處的超小開口很容易發(fā)生懸垂現(xiàn)象，因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷，從而留下孔洞。
- 關(guān)鍵字： 化學(xué)氣相沉積 良率 化學(xué)機械拋光
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