中文字幕 另类精品,亚洲欧美一区二区蜜桃,日本在线精品视频免费,孩交精品乱子片免费

<sup id="3hn2b"></sup>

    1. <sub id="3hn2b"><ol id="3hn2b"></ol></sub><legend id="3hn2b"></legend>

      1. <xmp id="3hn2b"></xmp>

      2. 首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

        英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開多年期供應(yīng)及合作協(xié)議

        • 英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴(kuò)展合作關(guān)系,宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應(yīng)及合作協(xié)議,以補(bǔ)充并擴(kuò)展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作,根據(jù)合約內(nèi)容,Resonac將供應(yīng)英飛凌未來10年預(yù)估需求量中雙位數(shù)份額的SiC半導(dǎo)體。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應(yīng)6吋的SiC晶圓,并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓,英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財(cái) (IP)。雙
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  

        碳化硅MOSFET尖峰的抑制

        • SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比,SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動(dòng)作成為可能。但是,由于開關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化,器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視,導(dǎo)致漏極源極之間會(huì)有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格,那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中,針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
        • 關(guān)鍵字: Arrow  碳化硅  MOSFET  

        安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

        • 2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高能效的性能,并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
        • 關(guān)鍵字: 安森美  EliteSiC  碳化硅  

        簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

        • 電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實(shí)現(xiàn)更高的效率,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)等電力電子設(shè)備為令人興奮
        • 關(guān)鍵字: 國晶微半導(dǎo)體  SIC  

        羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器

        • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動(dòng)汽車(以下簡(jiǎn)稱“EV”)的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會(huì)的努力中,汽車的電動(dòng)化進(jìn)程加速,在這種背景下,開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域,為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題,業(yè)內(nèi)對(duì)碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動(dòng)汽車逆變器  

        意法半導(dǎo)體第3代SiC碳化硅功率模塊,這品牌用上了?

        • 現(xiàn)代-起亞集團(tuán)的 E-GMP 純電平臺(tái)以 800V 高電壓架構(gòu)、高功率充電備受肯定,原先 E-GMP 平臺(tái)在后馬達(dá) Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導(dǎo)體,成本與轉(zhuǎn)換效率比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體更高,更能提升續(xù)航。如今瑞士半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊,并確認(rèn) E-GMP 平臺(tái)的起亞 EV6 等車款將采用,預(yù)計(jì)在動(dòng)力、續(xù)航都能再升級(jí)。E-GMP 平臺(tái),原先已在后馬達(dá)逆變器采用 Si
        • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅功率模塊  起亞 EV6  意法半導(dǎo)體  ACEPACK DRIVE  

        轉(zhuǎn)型中的安森美:整合提升智能水平,打造價(jià)值導(dǎo)向解決方案

        • 安森美在過去的兩年間通過成功的轉(zhuǎn)型之旅,實(shí)現(xiàn)了業(yè)績和利潤的雙豐收。在轉(zhuǎn)型路上公司又有哪些關(guān)鍵技術(shù)和策略的調(diào)整呢?帶著這些問題本刊記者采訪了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術(shù)支柱的創(chuàng)新支持和打造可持續(xù)發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng),這是驅(qū)動(dòng)安森美投資的主要?jiǎng)恿?,也是企業(yè)職責(zé)所在。
        • 關(guān)鍵字: 202212  安森美  碳化硅  

        10分鐘狂充80%電量!東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

        • 近日消息,從東風(fēng)汽車官方獲悉,東風(fēng)碳化硅功率模塊項(xiàng)目課題已經(jīng)順利完成,將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高,除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求,作為IGBT模塊的升級(jí)產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體,碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代,從而實(shí)現(xiàn)10分鐘充電80%,并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程,降低整車成本。同時(shí),總投資2.8億元的功率模塊二期項(xiàng)
        • 關(guān)鍵字: 東風(fēng)  碳化硅  功率模塊  IGBT  

        國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線:可用于傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、充電樁等

        • IT之家 12 月 12 日消息,國星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù),全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”,可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲(chǔ)能逆變器市場(chǎng),國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能,提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率,降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸,最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝,半橋拓?fù)?/li>
        • 關(guān)鍵字: 國星光電  碳化硅  NS62m  MOSFET  

        純電動(dòng)捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布,搭載先進(jìn) Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

        • 2022年12月5日,英國倫敦、美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.(NYSE: WOLF)宣布為捷豹 TCS 車隊(duì)近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動(dòng)方程式世界錦標(biāo)賽 Formula E(以下簡(jiǎn)稱:Formula E)設(shè)計(jì)、研發(fā)打造,標(biāo)志著 Formula E 賽事正式邁入第三代(Gen3)賽車新時(shí)代。  
        • 關(guān)鍵字: 純電動(dòng)  捷豹 I-TYPE 6  Wolfspeed  碳化硅  

        宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估

        • 汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn),車載充電器(OBC)與DCDC轉(zhuǎn)換器(HV-LV DCDC)的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展,同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣,設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù),以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅(Super Junction Si)技術(shù)以及碳化硅(SiC)技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時(shí),對(duì)于車載產(chǎn)品來說,可靠性也是一個(gè)重要的話題。在車載OBC/DCDC應(yīng)用中,高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來越多。對(duì)于汽車級(jí)高壓半導(dǎo)體功率器件來說,門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及,但事實(shí)是無論
        • 關(guān)鍵字: Infineon  OBC  SiC  

        日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體:提高用電效率、增加電動(dòng)車?yán)m(xù)航里程

        • 據(jù)日本共同社日前報(bào)道, 日本電子零部件巨頭羅姆(ROHM)將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體,以碳化硅(SiC)為原材料。據(jù)悉,羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)的用電效率, 若裝在純電動(dòng)汽車上,續(xù)航里程可提升一成,電池體積也可更小。據(jù)悉,羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn),還計(jì)劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元(約合人民幣114億元),并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示, 碳化硅具備
        • 關(guān)鍵字: 羅姆  功率半導(dǎo)體  碳化硅  新能源車  

        通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題

        • 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí),應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
        • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  功率轉(zhuǎn)換  

        以碳化硅技術(shù)牽引逆變器 延展電動(dòng)車行駛里程

        • 目前影響著車輛運(yùn)輸和半導(dǎo)體技術(shù)的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法,即以潔凈的能源驅(qū)動(dòng)我們的汽車,同時(shí)重新設(shè)計(jì)支撐電動(dòng)車(EV)子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,大幅提升功效比,進(jìn)而增加電動(dòng)車的行駛里程。政府監(jiān)管機(jī)構(gòu)持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量,對(duì)于違規(guī)行為給予嚴(yán)厲的處罰,同時(shí)開始沿著道路和停車區(qū)域增設(shè)電動(dòng)車充電基礎(chǔ)設(shè)施。但是,盡管取得了這些進(jìn)展,主流消費(fèi)者仍然對(duì)電動(dòng)車的行駛里程存有疑慮,使電動(dòng)車的推廣受到阻力。更復(fù)雜的是,大尺寸的電動(dòng)車電池雖然可以增加其行駛里程,緩解消費(fèi)者關(guān)于行駛里程的
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅  牽引逆變器  電動(dòng)車  ADI  

        安森美:聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建,推出最新MOSFET產(chǎn)品

        • 近日,安森美公布了2022年第三季度業(yè)績,其三季度業(yè)績直線上揚(yáng),總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,其三大業(yè)務(wù)中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級(jí)解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業(yè)務(wù)全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域,從傳統(tǒng)的I
        • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  MOSFET  
        共677條 23/46 |‹ « 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 » ›|

        碳化硅(sic)介紹

        您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473