碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)
推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術
- 隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
- 關鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
“新一輪產業(yè)升級，全球進入第三代半導體時代“
- 隨著物聯(lián)網，大數據和人工智能驅動的新計算時代的發(fā)展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環(huán)節(jié)的產業(yè)鏈。全球新一輪的產業(yè)升級已經開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質半導體材料。已在智能電網，軌道交通，新能源，開關電源等領域得到了應用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質和廣闊的
- 關鍵字： 碳化硅，半導體
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
新基建驅動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應用分析
- 2020年2月，碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的？下一步產品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點在哪里？為此，電子產品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關電源應用高級市場經理 陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
- 關鍵字： MOSEFT 碳化硅 SMD
碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? （《電子產品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市 場經理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續(xù)模 式
- 關鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關電源應用,高級市場經理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續(xù)
- 關鍵字： SiC UPS
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