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	碳化硅！
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
                                
        
                  

                                
        
                    
        基本半導體銅燒結技術在碳化硅功率模塊中的應用
        
                                                            
          
                    	
        • 引言：隨著新能源汽車產業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結技術已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風險，在
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        • 關鍵字：
                        基本半導體  銅燒結  碳化硅  功率模塊                          
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        碳化硅競爭升級，中國企業(yè)施壓國際大廠
        
                                                            
          
                    	
        • 作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，擁有更加優(yōu)異的物理和化學特性，使得 SiC 器件能降低能耗 20% 以上，減少體積和重量 30%~50%，可滿足中低壓、高壓、超高壓功率器件制備要求。SiC 器件可廣泛應用于電動汽車、軌道交通、智能電網、通信雷達和航空航天等領域。SiC 主要用于功率器件制造，與傳統(tǒng)硅功率器件制造工藝不同，SiC 器件不能直接在 SiC 單晶材料上制造，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，在外延層上制造器件。在 SiC 產業(yè)鏈上，關鍵部分主要集中
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        • 關鍵字：
                        碳化硅                          
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        碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用
        
                                                            
          
                    	
        • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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        • 關鍵字：
                        202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏                          
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        成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術
        
                                                            
          
                    	
        • 據日經中文網報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。據介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質方面更具優(yōu)勢。該技術可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術一直未應用在實際生產中。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態(tài)等，成功量產出了6
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        • 關鍵字：
                        碳化硅  襯底                          
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        ST：2025年碳化硅將全面升級為8英寸
        
                                                            
          
                    	
        • 6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產量和生產率，以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。意法半導體功率分立與模擬產品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉向8英寸?！彪S著晶圓尺寸的增加，每片可以生產更多的芯片，每顆芯片的生產成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。意法半導體計劃明年
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        • 關鍵字：
                        碳化硅  意法半導體                          
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        安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產，供應先進功率半導體
        
                                                            
          
                    	
        • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當地帶來先進的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進半導
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        • 關鍵字：
                        安森美  碳化硅  功率半導體                          
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        一文了解SiC MOS的應用
        
                                                            
          
                    	
        • 作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
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        • 關鍵字：
                        SiC  MOS  碳化硅  MOSFET                          
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        電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
        
                                                            
          
                    	
        • 本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一個數學模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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        • 關鍵字：
                        電驅逆變器  碳化硅  電動汽車  大功率                          
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        天岳先進上海碳化硅基地驗收
        
                                                            
          
                    	
        • 作為天岳先進三大SiC材料生產基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上海基地項目似乎更受關注。近日，天岳先進上?；仨椖颗读俗钚逻M展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產業(yè)區(qū)的生產基地第一個項目完成驗收，意味著該生產基地由此進入新的發(fā)展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產據悉，天岳先進上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達產后，SiC襯底的產能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產能規(guī)劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進的市場地位再進一步。近年來
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        • 關鍵字：
                        天岳先進  碳化硅                          
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        意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產業(yè)園
        
                                                            
          
                    	
        • ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產業(yè)園將實現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區(qū)內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進程和高能效轉型服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
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        • 關鍵字：
                        意法半導體  碳化硅                          
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        ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠
        
                                                            
          
                    	
        • 自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設是支持汽車、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產，到2033年達到滿負荷生產，滿產狀態(tài)下每周可生產多達15,000
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        • 關鍵字：
                        ST  意大利  碳化硅                          
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        布局海外市場，兩家半導體企業(yè)開展合作
        
                                                            
          
                    	
        • 根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯(lián)合實驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產品的高新技術企業(yè)，目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發(fā)、成果轉移轉化
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        • 關鍵字：
                        碳化硅  化合物半導體                          
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        這家GaN外延工廠開業(yè)!
        
                                                            
          
                    	
        • 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態(tài)披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區(qū)再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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        • 關鍵字：
                        碳化硅  氮化鎵  化合物半導體                          
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        安森美2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會即將啟動
        
                                                            
          
                    	
        • 智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應用場景，共同探討最新的能效設計挑戰(zhàn)，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導體技術的落地，實現應用系統(tǒng)的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應用場景日益多樣化。新能源
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                        安森美  碳化硅  功率解決方案                          
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        碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數據底座 
        
                                                            
          
                    	
        • 隨著人工智能技術的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術融入業(yè)務流程中，以提升質量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領域，人工智能、自動駕駛等新興產業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產業(yè)，可帶動原材料與設備2000億級產業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關鍵業(yè)務打造穩(wěn)定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業(yè)化的企業(yè)
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                        碳化硅    浪潮信息  MES  核心數據底座                           
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        碳化硅！介紹
        
      			
        
		      	
        
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