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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）---功率半導體的熱阻
- / 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關(guān)斷過程中和導通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
- / 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應(yīng)的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導體熱容
- / 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關(guān)系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型
- 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導體模塊的熱擴散
- / 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應(yīng)為熱的橫向傳
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
- / 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章 《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》 和 《功率半導體芯片溫度和測試方法》 分別講了功率半導體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
- 前言 /功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。驅(qū)動IC電流越來越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動器，驅(qū)動電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
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揭秘熱設(shè)計：集成電路設(shè)計的關(guān)鍵密碼
- 熱設(shè)計是一個至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領(lǐng)域；但其對于集成電路設(shè)計的意義卻不容忽視——畢竟，溫度是導致大多數(shù)半導體在現(xiàn)實應(yīng)用中失效的最大環(huán)境因素。元件的預期壽命會隨著溫度的每一度升高而縮短。本文將帶您深入探討設(shè)計工程師在熱設(shè)計過程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問題。具體來說，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題。針對可靠性的熱設(shè)計熱設(shè)計是一個復雜的課題，但其中也有一些基礎(chǔ)原理值得深入探討。首先讓我們回顧一下在印刷電路板（PCB
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開關(guān)電源的熱設(shè)計方法詳解
- 開關(guān)電源已普遍運用在當前的各類電子設(shè)備上，其單位功率密度也在不斷地提高。高功率密度的定義從1991年的25w/ ...
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