晶圓 文章 進入晶圓技術社區(qū)
Intel 14A工藝至關重要!2025年之后穩(wěn)定領先
- 這幾年,Intel以空前的力度推進先進制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領先地位,現(xiàn)在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領先地位。目前,Intel正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標,Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中,Intel 3作為升級版,應用于服務器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續(xù)發(fā)布,其中前者首次采用純E核設計,最多288個。In
- 關鍵字: 英特爾 晶圓 芯片 先進制程 1.4nm
瞄準AI需求:臺積電在美第二座晶圓廠制程升級至2nm
- 最新消息,臺積電官網(wǎng)宣布,在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm,量產(chǎn)時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日,在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上,CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經(jīng)封頂,最后的鋼梁已經(jīng)吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm,臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應,他表示是為了支持AI相關的強勁需求。在OpenAI訓練
- 關鍵字: AI 臺積電 晶圓 制程 2nm 3nm
地震對全球芯片產(chǎn)業(yè)的沖擊
- 今年4月初,中國臺灣地區(qū)發(fā)生近25年來的最大地震,引發(fā)了全球各行業(yè)的關注,特別是半導體行業(yè),甚至有媒體發(fā)文稱:全球半導體供應鏈抖音臺灣地震而亮起紅燈。為什么這么說呢?我們知道,全球最大的半導體代工廠臺積電就位于臺灣省,其向世界各大半導體公司供貨,特別是蘋果、英偉達和高通等頭部公司,如果負責全球半導體代工產(chǎn)量近七成的臺灣生產(chǎn)線出現(xiàn)問題,那么不排除全球半導體供應鏈崩潰的可能性。目前評估結果顯示,此次強震對臺積電核心代工生產(chǎn)設施和DRAM(一種半導體存儲器)生產(chǎn)線未造成嚴重影響,讓外界稍稍松了口氣。但有分析認為
- 關鍵字: 臺積電 地震 美光 晶圓
2026年,中國大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示,2026年,中國大陸將超越韓國和中國臺灣,成為IC晶圓產(chǎn)能的領先地區(qū),而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國大陸一直在領先優(yōu)勢的芯片制造能力上進行大量投資,并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場份額。此外,KnometaResearch預計,2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長率為4.5%,2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底,中國大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%,落后韓國和中國臺灣幾個百分點。預計到2025年,中國大陸的產(chǎn)能份額
- 關鍵字: IC 晶圓 半導體市場
晶合集成5000萬像素BSI量產(chǎn)
- 繼90納米CIS和55納米堆棧式CIS實現(xiàn)量產(chǎn)之后,晶合集成CIS再添新產(chǎn)品。近期,晶合集成55納米單芯片、高像素背照式圖像傳感器(BSI)迎來批量量產(chǎn),極大賦能智能手機的不同應用場景,實現(xiàn)由中低端向中高端應用跨越式邁進。晶合集成規(guī)劃CIS產(chǎn)能將在今年內(nèi)迎來倍速增長,出貨量占比將顯著提升, 成為顯示驅(qū)動芯片之外的第二大產(chǎn)品主軸。近年來,5000萬像素CIS已在智能手機配置上加速滲透。晶合集成與國內(nèi)設計公司合作,基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,使用背照式工藝技術復合式金屬柵欄,不僅提升了產(chǎn)品進光量,還兼具高
- 關鍵字: 晶圓 CIS
臺積電:設備復原率已超70%,主要機臺皆無受損情況
- 據(jù)多方媒體報道,近日,中國臺灣地區(qū)花蓮縣發(fā)生多次地震,其中最大震級為7.3級。對于地震所造成影響,臺積電對媒體表示,臺積公司在臺灣的晶圓廠工安系統(tǒng)正常,為確保人員安全,據(jù)公司內(nèi)部程序啟動相關預防措施,部分廠區(qū)在第一時間進行疏散,人員皆平安并在確認安全后回到工作崗位。雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn),主要機臺包含所有極紫外(EUV)光刻設備皆無受損。臺積電還表示,在地震發(fā)生后10小時內(nèi),晶圓廠設備的復原率已超過70%,新建的晶圓廠(如晶圓十八廠)的復原率更已超過80%。目前正與客戶保持密切溝通,
- 關鍵字: 臺積電 晶圓 設備
英國首座12英寸晶圓廠啟用
- 近日,英國半導體公司Pragmatic Semiconductor正式啟用其位于達勒姆(Durham)的最新工廠。該公司表示,這是英國首個生產(chǎn)300毫米半導體芯片的工廠。Pragmatic Park預期將在未來五年內(nèi)創(chuàng)造500個高技能工作崗位,并加強英國的科技生態(tài)系統(tǒng)。該公司還聲稱,相較傳統(tǒng)硅芯片生產(chǎn),該公司的生產(chǎn)過程更環(huán)保,耗能和水量更少,二氧化碳排放也顯著降低。Pragmatic總部設于英國劍橋,首間工廠位于達勒姆南部的Sedgefield。Pragmatic的柔性芯片技術廣泛應用于智能封裝,這種于采
- 關鍵字: MCU 晶圓 英國
300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元
- 全球應用于前道工藝的 300mm 晶圓廠設備投資,預計將在 2025 年首次突破 1000 億美元。
- 關鍵字: 晶圓
ASML前CTO,加入ASM
- 近日,ASM International NV(ASM)宣布提名Martin van den Brink為其監(jiān)事會成員。Martin van den Brink的任命將于5月13日提交給年度股東大會。據(jù)介紹,1984年,Martin van den Brink以工程師身份加入當時新成立的ASML,并于1995年成為技術副總裁(CTO)。1999年,他被任命為ASML管理委員會成員,2013年,他被任命為首席技術官。在擔任公司領導期間,他是推動ASML發(fā)展和技術創(chuàng)新的關鍵,這些創(chuàng)新幫助塑造了整個半導體行業(yè)。
- 關鍵字: ASML 半導體設備 晶圓
瘋狂的碳化硅,國內(nèi)狂追!
- 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩(wěn)定,同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統(tǒng)等領域?qū)τ谔蓟璋雽w不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息,為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實一項多供應商戰(zhàn)略,從而在
- 關鍵字: 碳化硅 英飛凌 晶圓
英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議
- 據(jù)外媒,1月23日,英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。根據(jù)聲明,雙方延長的的合作關系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性,同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應優(yōu)質(zhì)貨源。
- 關鍵字: 英飛凌 碳化硅 晶圓 Wolfspeed
SiC生長過程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知,提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要,因為它直接決定了 SiC 器件的性能,從而決定了生產(chǎn)成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圓的艱難過渡,正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長,同時具有高剛性和化學穩(wěn)定性,這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高,導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
- 關鍵字: SiC 晶圓
晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]
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