晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管，集成度翻倍并實(shí)現(xiàn)卓越性能
- IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計(jì)算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實(shí)現(xiàn)。例如，大家最常見的案例就是半導(dǎo)體行業(yè)的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實(shí)際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院官方公告，該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬景團(tuán)隊(duì)繞過 EUV 工藝，研發(fā)出性能優(yōu)異的異質(zhì) CFET 技術(shù)
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放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別
- 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有
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你不知道的半導(dǎo)體歷史故事
- 你知道嗎？世界上第一個半導(dǎo)體晶體管并不是用硅材料做的，而是用一種叫作“鍺”的稀有元素做的。在上世紀(jì)三四十年代初，使用半導(dǎo)體制作固態(tài)放大器的想法被陸續(xù)提出，第一個實(shí)驗(yàn)結(jié)果是由波歐與赫希完成的，使用的是溴化鉀晶體與鎢絲做成的閘極，雖然它的操作頻率只有一赫茲，并無實(shí)際用途，卻證明了類似真空管的固態(tài)三端子組件的實(shí)用性。 二戰(zhàn)后，貝爾實(shí)驗(yàn)室提出想要做出固態(tài)放大器的目標(biāo)，經(jīng)過幾位科學(xué)家的實(shí)驗(yàn)和改進(jìn)，最終由巴丁和布萊登用涂蠟鎢絲和硅制成第一個點(diǎn)接觸電晶體，繼而制作出第一個語音放大器。在這之后，蕭克萊設(shè)想是否能使用
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分
- 晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管 1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安 2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率 3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具
- 上月，三星代工（Samsung Foundry）部門悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。 而來自應(yīng)用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。（來自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
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應(yīng)用材料推出運(yùn)用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運(yùn)用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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臺積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息 晶體管密度是5nm工藝1.7倍
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，正如外媒此前所預(yù)期的一樣，芯片代工商臺積電在今日開始的全球技術(shù)論壇上，披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺積電全球技術(shù)論壇，是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇，論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息，但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下，外界最期待的還是5nm之后的下一個全新工藝節(jié)點(diǎn)3nm工藝。在今天的論壇上，臺積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝，仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)（FinFET)晶體管，不會采用三星計(jì)劃在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上使用的
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Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？
- Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國際超大規(guī)模集成電路會議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結(jié)構(gòu)研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu)，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點(diǎn)上引入的，仍在持續(xù)推進(jìn)，而接下來最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，重新設(shè)計(jì)晶體管底層
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比官方宣傳還猛！臺積電5nm晶體管密度比7nm提高88％
- 一般來說,官方宣傳數(shù)據(jù)都是最理想的狀態(tài),有時候還會摻雜一些水分,但是你見過實(shí)測比官方數(shù)字更漂亮的嗎?臺積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn),第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn),蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它,而且消息稱初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶完全包圓,尤其是蘋果占了最大頭。臺積電尚未公布5nm工藝的具體指標(biāo),只知道會大規(guī)模集成EUV極紫外光刻技術(shù),不過在一篇論文中披露了一張晶體管結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。WikiChips經(jīng)過分析后估計(jì),臺積電5nm的柵極間距為48nm,金屬間距則是30nm,鰭片間距25
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全球進(jìn)入存量競爭 半導(dǎo)體行業(yè)迎來國產(chǎn)替代機(jī)遇期
- 全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入存量競爭的時代，受益于5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢，中國半導(dǎo)體行業(yè)將繼續(xù)保持較高增速。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2022年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到12925億人民幣。在半導(dǎo)體第三次轉(zhuǎn)移的趨勢和國家的大力支持下，國產(chǎn)半導(dǎo)體公司將在未來10年迎來發(fā)展的黃金時期，值得投資者密切關(guān)注 國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司10月22日注冊成立，注冊資本2041.5億元，略超此前市場預(yù)期的2000億元。根據(jù)《關(guān)于征集浙江省數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)投資基金項(xiàng)目的通知》顯示，大基金二期主要聚焦集成電
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“馴服”鋰離子 創(chuàng)造一個“超長待機(jī)”的世界
- 2019年，諾貝爾化學(xué)獎頒發(fā)給了研發(fā)鋰離子電池的科學(xué)家?！ 『檬露嗄ィ娡鶜w?！ ∪豢茖W(xué)家，他們“馴服”了鋰離子，為所有人創(chuàng)造了一個可重復(fù)充電“超長待機(jī)”的世界。時至今日，鋰離子電池這種輕巧、可充電且功能強(qiáng)大的發(fā)明，出現(xiàn)在每個人都熟悉不已的手機(jī)、筆記本電腦、電動汽車等幾乎所有電子類產(chǎn)品中。它還可以存儲來自太陽能和風(fēng)能的巨大能量，從而使無化石燃料社會成為可能。 人人都愛鋰離子電池 現(xiàn)在，于全球范圍內(nèi)，你都能看到鋰離子電池正在為人類的日?；顒犹峁﹦恿?。其中最常見的方式就是為便攜式電子設(shè)備供電。 我們
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賽靈思發(fā)布世界最大FPGA芯片：350億晶體管
- 賽靈思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，擁有多達(dá)350億個晶體管，密度在同類產(chǎn)品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。雖然具體面積沒有公布，和日前那個1.2萬億晶體管、46225平方毫米、AI計(jì)算專用的世界最大芯片不在一個數(shù)量級，但在FPGA的世界里，絕對是個超級龐然大物，從官方圖看已經(jīng)可以蓋住一個馬克杯的杯口。相比之下，AMD 64核心的二代霄龍為320億個晶體管，NV
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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