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晶體管
晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
晶體管輸出驅(qū)動(dòng)電路
- 晶體管輸出驅(qū)動(dòng)電路
- 關(guān)鍵字： 晶體管 驅(qū)動(dòng)電路
氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷
- 伊利諾伊大學(xué)研究人員開(kāi)發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運(yùn)行(500℃以下)，但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過(guò)多的熱量，這會(huì)限制他們的性能。 基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個(gè)來(lái)自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡(jiǎn)單而且低成本。 采用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，坎·拜拉姆的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過(guò)熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 晶體管
1nm晶體管現(xiàn)身！
- 以物理學(xué)規(guī)則來(lái)看，電晶體的最小尺寸被認(rèn)為是5奈米，但透過(guò)采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個(gè)極限已經(jīng)被突破… 碳奈米管從過(guò)去幾十年就已經(jīng)用于制作實(shí)驗(yàn)性電晶體，但大多是當(dāng)做電晶體通道(channel);美國(guó)勞倫斯柏克萊國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實(shí)現(xiàn)了號(hào)稱全世界最小的電晶體。 采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
- 關(guān)鍵字： 1nm 晶體管
晶體管介紹
【簡(jiǎn)介】
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]
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