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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 工藝

        基于SRAM工藝FPGA的保密性問題

        • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對FPGA器件進行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置
        • 關(guān)鍵字: 保密性  問題  FPGA  工藝  SRAM  基于  

        利用PLC系統(tǒng)控制閃光對焊工藝過程的設(shè)計

        • 利用PLC系統(tǒng)控制閃光對焊工藝過程的設(shè)計,閃光對焊作為一種先進的焊接技術(shù),具有無需添加焊接材料、生產(chǎn)率高、成本低、易于操作等優(yōu)點。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,焊接的零件截面越來越大,遇到了一些技術(shù)問題,如焊接加熱難、生產(chǎn)率低、產(chǎn)品合格率低等。為了
        • 關(guān)鍵字: 工藝  過程  設(shè)計  閃光  控制  PLC  系統(tǒng)  利用  

        流程工藝設(shè)備垂直聯(lián)網(wǎng)的設(shè)計方案

        • 工業(yè)以太網(wǎng)是一個基于以太網(wǎng)技術(shù)標準進行實現(xiàn)所有控制、調(diào)節(jié)儀器設(shè)備自動化技術(shù)的高層次概念。因為一般情況下企業(yè)已擁有把辦公計算機連接成為一個網(wǎng)絡(luò)的LAN以太網(wǎng)了,而這種網(wǎng)絡(luò)有可能與工業(yè)以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng),并且仍然使用
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  方案  聯(lián)網(wǎng)  垂直  工藝  設(shè)備  流程  

        在40-nm 工藝節(jié)點實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件

        • 實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件引言
          Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
          40-nm ASIC 無風(fēng)險移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和
        • 關(guān)鍵字: 40  nm  工藝  定制    

        淺談項目教學(xué)在電子工藝實訓(xùn)環(huán)節(jié)中的應(yīng)用

        •  SMT小型電子產(chǎn)品的安裝是高等職業(yè)學(xué)校應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)中《電子產(chǎn)品工藝實訓(xùn)》課程的一個重要項目。結(jié)合《電子產(chǎn)品工藝》這門課程的特點,我們在電子實訓(xùn)環(huán)節(jié)采用了項目教學(xué)模式,即師生雙方共同在實訓(xùn)室參與項目教學(xué)
        • 關(guān)鍵字: 環(huán)節(jié)  應(yīng)用  工藝  電子  教學(xué)  項目  

        基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法

        • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法,1. 引言

          對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用,F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇,嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口,雙端口
        • 關(guān)鍵字: RAM  重構(gòu)  模塊  設(shè)計  方法  FPGA  平臺  0.13  微米  CMOS  工藝  

        0.6μm CMOS工藝全差分運算 放大器的設(shè)計

        • 0 引言
          運算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分,如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計中,速度和精度是兩個重要因素,而這兩方面的因素都是由運放的各種性能來決定的。
          本文設(shè)計的帶共模反饋的兩級高增益運
        • 關(guān)鍵字: CMOS  工藝  放大器  全差分    

        基于0.5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計

        • 針對DC-DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能,提出一種改進的欠壓鎖存電路。所設(shè)計的電路在不使用額外的帶隙基準電壓源作為比較基準的情況下,實現(xiàn)了閾值點電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個電路采用CSMC0.5 μm BCD工藝設(shè)計,使用HSpice軟件仿真,結(jié)果表明所設(shè)計的UVLO電路具有結(jié)構(gòu)簡單、反應(yīng)靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點。
        • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計  工藝  BCD  基于  

        國產(chǎn)設(shè)備必須走自主創(chuàng)新之路

        •   半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)的技術(shù)提升及創(chuàng)新要從研究材料入手,從源頭上達到國際先進水平。在工業(yè)制備方面要加強新型工藝的開發(fā)和應(yīng)用。我國半導(dǎo)體設(shè)備性能、控制已達到國際高端水平,但穩(wěn)定性還待提升。另外,需要做高端設(shè)備工藝方面的提升和研究。   蘭州瑞德自主開發(fā)的產(chǎn)品涉及多行業(yè)、多領(lǐng)域,在國際金融危機期間,遇到的問題主要在工藝應(yīng)用和需求行業(yè)比例發(fā)生變化方面,公司根據(jù)各行業(yè)特點,公司采取新品上市、設(shè)備改制、設(shè)備派生等手段,使研、切、拋電子專用設(shè)備進入各行業(yè)的速度加快了,尤其是視窗、光學(xué)等行業(yè)。半導(dǎo)體行業(yè)仍主打高端設(shè)
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備  工藝  

        基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

        • 近年來,軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣,但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高,技術(shù)上所限難以實現(xiàn),而多采用中頻采樣的方法。而對
        • 關(guān)鍵字: Telescopic  0.13  CMOS  工藝    

        采用SiGe工藝的GPS接收機設(shè)計(一)

        • 基于美國聯(lián)邦通訊委員會(FCC)的E911定向和定位業(yè)務(wù)(LBS),期望緊跟這一標準的全球定位系統(tǒng)(GPS)接收機隨時準備在無線通信中扮演一個至關(guān)重要的角色。成功的E911/LBS產(chǎn)品與業(yè)務(wù)將會需要具有以下特征的解決方案:能在移
        • 關(guān)鍵字: SiGe  GPS  工藝  接收機    

        多晶硅企業(yè)命系裝備和技術(shù)

        •   從現(xiàn)有市場行情來看,國內(nèi)多晶硅價格下跌的趨勢將難以改變。國內(nèi)可將生產(chǎn)成本壓低到50美元/公斤以下的多晶硅企業(yè),幾乎是鳳毛麟角。   森松集團(中國)(下稱“森松”)董事總經(jīng)理薛絳穎接受記者專訪時表示,目前中國的多晶硅設(shè)備制造已較為成熟。而國內(nèi)多晶硅生產(chǎn)商的管理、技術(shù)及工藝都有待提高,這樣才能有效控制成本。   裝備技術(shù)尤為關(guān)鍵。以森松集團為例,作為國內(nèi)最大的多晶硅工藝成套設(shè)備供應(yīng)商,約有80%的國內(nèi)多晶硅廠,都使用其成套設(shè)備如還原爐以及相關(guān)技術(shù)。   該公司生產(chǎn)的還原爐要
        • 關(guān)鍵字: 工藝  多晶硅  

        我國大規(guī)模集成電路制造重大專項進入實施階段

        •   新華網(wǎng)北京3月27日電記者 27日從科技部獲悉,我國“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項進入全面實施階段?   據(jù)介紹,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項旨在開發(fā)集成電路關(guān)鍵制造裝備,掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的成套先進工藝及相關(guān)新材料技術(shù),打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進口的狀況,帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)提升和結(jié)構(gòu)調(diào)整?   重大專項是實現(xiàn)我國中長期科技發(fā)展規(guī)劃的一項重要內(nèi)容,黨中央?國務(wù)院高度重視重大專項的實施工作,多次召開
        • 關(guān)鍵字: 集成電路  工藝  

        怎樣可以降低RFID應(yīng)答器設(shè)計中的功耗

        • 應(yīng)答器設(shè)計的成本依賴于幾個因素,而不僅僅是硅的成本。事實上,芯片制造工藝的成本(就其復(fù)雜性和成熟程度...
        • 關(guān)鍵字: 功耗  低功耗  驅(qū)動  工藝  溫度  電壓  

        基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計

        • 壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展,射頻收發(fā)機也有了新的發(fā)展趨勢,即單個收發(fā)機要實現(xiàn)寬頻率多標準的覆蓋,例如用于移動數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個標準,并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu),相對于其他結(jié)構(gòu)的VCO來說該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實現(xiàn)低功耗設(shè)計,并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性,能獲得更好的相位噪聲性能。

        • 關(guān)鍵字: 寬帶  LC  VCO  設(shè)計  相噪  工藝  0.18  RF  CMOS  基于  
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        工藝介紹

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