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存儲(chǔ)
存儲(chǔ) 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)
SK海力士開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開(kāi)始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比，長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)向企業(yè)領(lǐng)域： 目標(biāo)今年 HBM 產(chǎn)量增加 3 倍，明年再翻番
- IT之家 5 月 8 日消息，三星公司在最近召開(kāi)的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來(lái)公司存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí) PC 和移動(dòng)設(shè)備上，而是放在 HBM、DDR5 服務(wù)器內(nèi)存、企業(yè)級(jí) SSD 等企業(yè)市場(chǎng)。IT之家翻譯三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june 在電話會(huì)議上表達(dá)內(nèi)容如下：我們計(jì)劃到 2024 年年底，HBM 芯片的供應(yīng)量比去年增加 3 倍以上。我們已經(jīng)完成協(xié)調(diào) HBM 芯片供應(yīng)商，在共同努力下目標(biāo)在 2025 年讓 HBM 芯片產(chǎn)量再翻一番。英偉達(dá)目前已經(jīng)轉(zhuǎn)型成為 AI 硬件巨頭，成為全
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全球五大存儲(chǔ)原廠最新財(cái)報(bào)公布！
- 近期，存儲(chǔ)五大廠三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)最新一季財(cái)報(bào)已紛紛披露，五大廠業(yè)績(jī)均呈上行態(tài)勢(shì)。目前觀察市況手機(jī)、PC和服務(wù)器等終端應(yīng)用需求回溫，帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求上漲，但值得注意的是，行業(yè)總體復(fù)蘇態(tài)勢(shì)有所放緩，市場(chǎng)期待后續(xù)存儲(chǔ)新技術(shù)帶動(dòng)市場(chǎng)持續(xù)回溫。存儲(chǔ)五大廠業(yè)績(jī)均呈上行態(tài)勢(shì)三星：新機(jī)發(fā)布疊加存儲(chǔ)漲價(jià)，一季度凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)931.87%4月30日，三星電子發(fā)布一季度最新財(cái)報(bào)。據(jù)悉，受益于Galaxy S24旗艦手機(jī)銷(xiāo)售強(qiáng)勁，加上存儲(chǔ)器價(jià)格上漲，并且高附加值產(chǎn)品需求提升，三星電子一季度財(cái)銷(xiāo)售額71.
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江波龍嵌入式存儲(chǔ)選型指南
- FORESEE嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品線于2011年創(chuàng)立，同年推出國(guó)內(nèi)首款量產(chǎn)eMMC。經(jīng)過(guò)十余年與行業(yè)客戶(hù)的共同成長(zhǎng)，目前 FORESEE嵌入式存儲(chǔ)涵蓋了Flash、DRAM、多芯片封裝三大 類(lèi)系列產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、工業(yè)控制、智能手機(jī)、平板電腦、智能電視、智能穿戴、網(wǎng)絡(luò)通信等諸多領(lǐng)域。同時(shí)，嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品與高通（Qualcomm）、聯(lián)發(fā)科（MediaTek）、紫光展銳（UniSOC）等一眾芯片平臺(tái)廠商建 立了長(zhǎng)期緊密的合作關(guān)系，全面滿(mǎn)足全球眾多消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)領(lǐng)域、汽車(chē)領(lǐng)域等企業(yè)穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品供應(yīng)需求
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全球兩大存儲(chǔ)廠新消息！
- 近日，三星、鎧俠兩大存儲(chǔ)廠公布新消息：三星量產(chǎn)第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開(kāi)始量產(chǎn)第9代V-NAND4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開(kāi)始量產(chǎn)，鞏固了其在NAND閃存市場(chǎng)的地位。據(jù)三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，達(dá)到3.2Gbps。除了這個(gè)新接口外，三星還計(jì)劃通過(guò)擴(kuò)大對(duì)PCIe 5.0的支持來(lái)鞏固其在高性能SSD市場(chǎng)的地位。憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組，
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業(yè)界首創(chuàng)512GB CXL AIC內(nèi)存擴(kuò)展卡，江波龍革新AI與高性能計(jì)算領(lǐng)域內(nèi)存技術(shù)
- 人工智能大模型計(jì)算、高性能計(jì)算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等行業(yè)的迅猛發(fā)展，對(duì)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存性能的需求日益提升，業(yè)界對(duì)具備高帶寬、低延遲性能且超大容量的內(nèi)存需求也愈發(fā)迫切，以支持CPU和GPU進(jìn)行高速、大吞吐量的浮點(diǎn)運(yùn)算。在此背景下，江波龍日前在CFMS2024展出了一款基于Compute Express Link (CXL)技術(shù)的創(chuàng)新內(nèi)存擴(kuò)展設(shè)備——CXL 2.0 AIC內(nèi)存擴(kuò)展卡，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供了強(qiáng)大的內(nèi)存支持。據(jù)悉，這款CXL 2.0 AIC內(nèi)存擴(kuò)展卡采用了非DRAM on-board封裝設(shè)計(jì)，可兼容多
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價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)
- 市場(chǎng)對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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江波龍企業(yè)級(jí)SSD再度通過(guò)OpenCloudOS兼容性認(rèn)證，產(chǎn)品力獲認(rèn)可
- 近日，江波龍旗下企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品FORESEE UNCIA 3836系列企業(yè)級(jí)SATA SSD產(chǎn)品完成與OpenCloudOS/TencentOS相互兼容認(rèn)證。測(cè)試認(rèn)證期間整體運(yùn)行穩(wěn)定，在功能、性能及兼容性方面表現(xiàn)良好。自研高能固件鍛造硬核產(chǎn)品力FORESEE UNCIA 3836系列SATA SSD由江波龍自主研發(fā)，產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專(zhuān)業(yè)可靠性設(shè)備驗(yàn)證，打造高可靠、高穩(wěn)定的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)方案。該款產(chǎn)品采用128層3D eTLC NAND Flash，支持SATA 6.0Gbps接口，容量覆蓋480GB至3.84TB，耐
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首顆自研2D MLC NAND Flash 江波龍構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力
- 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶(hù)高度認(rèn)可。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問(wèn)世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問(wèn)帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲(chǔ)產(chǎn)品組合帶來(lái)更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。 越過(guò)高門(mén)檻NA
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FORESEE全新工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM，高可靠性助力工業(yè)自動(dòng)化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
- 在智能制造與工業(yè)自動(dòng)化日益精密的今天，數(shù)據(jù)處理的實(shí)時(shí)性、穩(wěn)定性和耐久性成為衡量系統(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo)，內(nèi)存條作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心部件，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果，尤其是在工業(yè)控制、電力應(yīng)用、電信設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域，對(duì)內(nèi)存條的穩(wěn)定性和耐用性要求更為嚴(yán)苛。近日，江波龍推出全新的FORESEE工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM，為嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境下的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供強(qiáng)大而可靠的“穩(wěn)定內(nèi)核”。FORESEE工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM覆蓋4GB、8GB、16GB、32GB多種容量選擇，擁有1R×8、2R×8、1R×16
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消息稱(chēng)三星 Galaxy Watch 7 存儲(chǔ)空間增加到 32GB，共有三個(gè)版本
- 3 月 25 日消息，據(jù)外媒 SamMobile 報(bào)道，Galaxy Unpacked 活動(dòng)將于2024 年 7 月舉行，比以往要提前幾周?，F(xiàn)在，關(guān)于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光?！鳪alaxy Watch 6根據(jù)爆料，三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個(gè)版本，比以往多一個(gè)，但仍然不知道被命名為什么。三星還升級(jí)新品的存儲(chǔ)空間，將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB，用來(lái)存儲(chǔ)戶(hù)外鍛煉的離線音樂(lè)、應(yīng)用程序以及
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美光表示24年和25年大部分時(shí)間的高帶寬內(nèi)存已售罄
- 美光目前在高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)上處于劣勢(shì)，但看起來(lái)情況正在迅速變化，因?yàn)樵摴颈硎酒?nbsp;HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)已售罄，并分配到 2025 年的大部分時(shí)間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達(dá)的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計(jì)算，因此美光似乎準(zhǔn)備搶占相當(dāng)大的HBM市場(chǎng)份額。圖片來(lái)源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應(yīng)已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議準(zhǔn)備的講話中表示。“我們繼續(xù)預(yù)計(jì) HBM
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CFMS2024 | 江波龍：突破存儲(chǔ)模組經(jīng)營(yíng)魔咒
- 3月20日，2024中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“CFMS2024”）在深圳成功舉行，本屆CFMS2024以“存儲(chǔ)周期 激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)，共同探討新的市場(chǎng)形勢(shì)下的機(jī)遇。在CFMS2024峰會(huì)上，江波龍董事長(zhǎng)、總經(jīng)理蔡華波發(fā)表了題為《突破存儲(chǔ)模組經(jīng)營(yíng)魔咒》的演講，分享公司從“存儲(chǔ)模組廠”向“半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)”全面轉(zhuǎn)型升級(jí)的戰(zhàn)略布局，以及如何實(shí)現(xiàn)從銷(xiāo)售模式到用芯服務(wù)的模式跨越。（江波龍董事長(zhǎng)、總經(jīng)理 蔡華波）蔡華波深入剖析了存儲(chǔ)模組廠當(dāng)前面臨的經(jīng)營(yíng)痛點(diǎn)。隨著市場(chǎng)競(jìng)
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SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器‘HBM3E’，全球首次投入量產(chǎn)并開(kāi)始向客戶(hù)供貨
- · 繼HBM3，其擴(kuò)展版HBM3E也率先進(jìn)入量產(chǎn)階段· 研發(fā)完成后僅隔7個(gè)月開(kāi)始向客戶(hù)供貨，期待能實(shí)現(xiàn)最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲(chǔ)技術(shù)全球領(lǐng)先地位，并鞏固業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM3E*，將在3月末開(kāi)始向客戶(hù)供貨。這是公司去年8月宣布開(kāi)發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個(gè)月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實(shí)現(xiàn)了全球首次向客戶(hù)供應(yīng)現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過(guò)成功HBM3
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集邦咨詢(xún)：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩
- 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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存儲(chǔ)介紹
存儲(chǔ)
cún chǔ ?。ù娲鎯?chǔ)儲(chǔ)） 1.把錢(qián)或物等積存起來(lái)?！肚鍟?huì)典事例·戶(hù)部·庫(kù)藏》：“戶(hù)部奏部庫(kù)空虛，應(yīng)行存儲(chǔ)款項(xiàng)?！薄肚鍟?huì)典·戶(hù)部倉(cāng)場(chǎng)衙門(mén)·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉(cāng)，倉(cāng)場(chǎng)酌量舊存各色米多寡勻派分儲(chǔ)，將某倉(cāng)存儲(chǔ)某年米色數(shù)目，造冊(cè)先期咨部存案?！?魯迅 《書(shū)信集·致李小峰》：“《舊時(shí)代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個(gè)友人為之集款存儲(chǔ)，作孩子讀書(shū)之用。” 2.指積存的錢(qián)或物等 [ 查看詳細(xì) ]
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