美光表示24年和25年大部分時間的高帶寬內存已售罄
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美光目前在高帶寬內存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因為該公司表示其 HBM3E 內存供應已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現在英偉達的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計算，因此美光似乎準備搶占相當大的HBM市場份額。
圖片來源：美光
“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經售罄，我們 2025 年的絕大部分供應已經分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財報電話會議準備的講話中表示?！拔覀兝^續(xù)預計 HBM 比特份額相當于 2025 年某個時候的整體 DRAM 比特份額。”
美光最初的 HBM3E 堆棧是 24 GB 8Hi 模塊，數據傳輸速率為 9.2 GT/s，每臺設備的峰值內存帶寬超過 1.2 TB/s。其中六個堆棧將用于 Nvidia 的 H200 GPU for AI 和 HPC，總共可實現 141 GB 的高帶寬內存。由于美光是第一家開始商業(yè)化出貨HBM3E的公司，因此它將出售一船HBM3E封裝。
Mehrotra表示：“我們有望在2024財年從HBM獲得數億美元的收入，并預計從第三財季開始，HBM的收入將增加我們的DRAM和整體毛利率。
美光負責人表示，它已經開始對其 12-Hi HBM3E 立方體進行采樣，該立方體將內存容量提高了 50%，從而能夠對更大的語言模型進行 AI 訓練。這些 36 GB HBM3E 立方體將用于下一代 AI 處理器，其產量將在 2025 年增加。
由于 HBM 的制造涉及專用 DRAM 的生產，因此 HBM 的產能提升將極大地影響美光為主流應用制造 DRAM IC 的能力。
“HBM 產量的增加將限制非 HBM 產品的供應增長，”Mehrotra 說?！皬恼麄€行業(yè)來看，HBM3E消耗的晶圓供應量大約是DDR5的三倍，可以在同一技術節(jié)點中產生給定數量的比特。”
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