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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲

        國產(chǎn)品牌康盈半導(dǎo)體自研存儲產(chǎn)品獲國際認可,斬獲兩大國際獎項

        • 據(jù)悉,近日由國際獎項協(xié)會(IAA)主辦的美國好設(shè)計獎和美國MUSE設(shè)計獎公布了2024年度獲獎名單,KOWIN康盈半導(dǎo)體旗下子品牌DIGIERA產(chǎn)品——隨存之芯小金剛便攜式磁吸移動固態(tài)硬盤憑借新穎的設(shè)計、獨特的功能、極速的性能備受關(guān)注及收獲了業(yè)內(nèi)的高度認可,斬獲美國好設(shè)計獎鉑金獎項和美國MUSE設(shè)計獎金獎。這款硬盤完美融合了前沿科技與現(xiàn)代美學(xué),為用戶帶來了全新的使用體驗,成為設(shè)計與功能并重的典范。深受海內(nèi)外消費者喜愛:便攜式磁吸移動固態(tài)硬盤此次獲獎的隨存之芯小金剛磁吸PSSD,目前已成為深受海內(nèi)外消費者喜
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        Blueshift宣布內(nèi)存技術(shù)重大突破

        • 2024年12月,科技公司Blueshift正式發(fā)布了一項突破性的內(nèi)存技術(shù),聲稱能夠?qū)PU計算速度提升高達50倍,同時將能耗降低65%。這一創(chuàng)新技術(shù)有望徹底改變數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用領(lǐng)域。Blueshift的這項技術(shù)突破主要依托于先進的內(nèi)存架構(gòu)和優(yōu)化的數(shù)據(jù)處理機制。與傳統(tǒng)的計算架構(gòu)不同,新技術(shù)通過更高效的數(shù)據(jù)傳輸和存儲管理,顯著減少了延遲并提升了處理性能。此外,該技術(shù)的節(jié)能特性使其在滿足高性能計算需求的同時,大幅降低了功耗,契合了當前綠色計算的發(fā)展趨勢。Blueshift公司表示,這一技術(shù)突破將為云計算、人工智
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        基于 HAMR 熱輔助磁記錄平臺,希捷推出 30/32TB 容量 Exos M 機械硬盤

        • 12 月 17 日消息,希捷 Seagate 品牌官網(wǎng)現(xiàn)已上線了 Exos M 系列企業(yè)級機械硬盤。目前該系列 HDD 包含兩款產(chǎn)品,分別為 30TB CMR 的 ST30000NM004K 和 32TB SMR 的 ST32000NM003K,每盤片容量不小于 3TB。?Exos M 系列機械硬盤產(chǎn)品頁面顯示其將 Mozaic 3+(IT之家備注:即“魔彩盒 3+”) 尖端技術(shù)同 90% 的可靠成熟技術(shù)相結(jié)合,這意味著該系列產(chǎn)品基于希捷的 HAMR 熱輔助磁記錄平臺。目前暫不清楚這兩款 Exo
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        三星大規(guī)模人事調(diào)整,代工、存儲等部門負責(zé)人變更

        • 11月27日,三星電子宣布了2025屆總裁級別人事變動,以增強未來的競爭力,主要變動包括制度、部門管理、人員職務(wù)等層面方面。制度和部門管理變化主要包括,存儲業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)變?yōu)镃EO直接領(lǐng)導(dǎo)制度;更換代工業(yè)務(wù)負責(zé)人,重組業(yè)務(wù)線;在Foundry部門設(shè)立總裁級CTO職位;在DS部門設(shè)立總裁級管理戰(zhàn)略職位;任命DS業(yè)務(wù)負責(zé)人為CEO,建立各事業(yè)部CEO業(yè)務(wù)責(zé)任制;成立DX事業(yè)部負責(zé)人領(lǐng)導(dǎo)的質(zhì)量創(chuàng)新委員會,推動質(zhì)量領(lǐng)域的根本性創(chuàng)新。具體的人員職務(wù)調(diào)整則如下:全永鉉(Young Hyun Jun),原三星電子副社長兼半導(dǎo)體
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        消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

        •  10 月 29 日消息,《韓國經(jīng)濟日報》當?shù)貢r間昨日表示,根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖,三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400,而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm(12 納米級)DRAM。報道表示三星第 10 代(即下代) V-NAND 將被命名為 BV(Bonding Vertical) NAND,這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)
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        雙十一 | 鎖定這份「存儲好物攻略」,西部數(shù)據(jù)邀您盡享高效生活

        • 無論你是準備深潛學(xué)術(shù)海洋的學(xué)生黨,熱愛記錄生活的攝影師,或是熱衷于創(chuàng)意表達的內(nèi)容創(chuàng)作者,渴望在電競世界中尋求激情的玩家,都亟需一款存儲設(shè)備來妥善分享與存取自己的寶貴數(shù)據(jù)。雙十一盛典即將來襲,西部數(shù)據(jù)帶來旗下全品類存儲產(chǎn)品選購寶典,讓大家輕松Get適合自己的存儲好物。幕后之寶:攝影師私藏好物大揭秘每次按下快門都是對珍貴瞬間的凝固,更是對生活的觀察、表達和記錄。隨著數(shù)碼相機的普及和手機攝影的發(fā)展,同時在AI技術(shù)的加持下,繁復(fù)的后期過程也可以被集成縮短在數(shù)秒內(nèi),如今攝影已變得越來越受歡迎。。閃迪移動固態(tài)硬盤系列
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        TrendForce:預(yù)計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%

        • IT之家?10 月 15 日消息,根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查,NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響,wafer 合約價于第三季率先下跌,預(yù)期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到,模組產(chǎn)品部分,除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐,有望于第四季小漲 0% 至 5%;PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預(yù)期,采購策略更加保守。TrendForce 預(yù)估,第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
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        GMIF2024聚焦產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新之道 共謀存儲生態(tài)繁榮發(fā)展

        • 今年以來,得益于AI+大數(shù)據(jù)時代存儲需求的爆發(fā),疊加下游去庫存成效顯著,帶動存儲行業(yè)復(fù)蘇率先引領(lǐng)半導(dǎo)體市場進入了周期性新拐點。在產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵時期,“破局共贏”已成共識。 近日,第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會在深圳隆重召開,本次峰會以“AI驅(qū)動 存儲復(fù)蘇”為主題,匯聚半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè),圍繞全球存儲器技術(shù)創(chuàng)新、工藝創(chuàng)新、產(chǎn)品創(chuàng)新、應(yīng)用創(chuàng)新、生態(tài)建設(shè)等熱門話題,從各自立場、角度發(fā)表精彩分享,剖析存儲產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新之道,為行業(yè)奉上一場貫通生態(tài)的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)盛宴。   G
        • 關(guān)鍵字: AI  大數(shù)據(jù)  存儲  GMIF2024  

        擁抱AI 時代,共贏存儲產(chǎn)業(yè)未來!第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會在深圳成功召開

        • 金秋鵬城,共襄盛會。9月27日,由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟、深圳市存儲器行業(yè)協(xié)會主辦,廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會協(xié)辦,愛集微咨詢(廈門)有限公司、海通證券股份有限公司承辦的“第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會(Global Memory Innovation Forum)”在深圳隆重召開,本次峰會以“AI驅(qū)動 存儲復(fù)蘇”為主題,匯聚存儲產(chǎn)業(yè)鏈主流終端廠商、模組廠商、封測廠商、設(shè)備材料廠商等細分領(lǐng)域頭部企業(yè)及投資機構(gòu)代表,共同探討行業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)演進、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展等熱點話題,積極推動產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展,共
        • 關(guān)鍵字: 存儲  GMIF2024創(chuàng)新峰會  深圳  

        第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會最新議程發(fā)布!四大亮點待解鎖,更多精彩現(xiàn)場揭曉!

        • 金秋鵬城,盛事將啟。第三屆 GMIF2024 創(chuàng)新峰會將于9月27日在深圳灣萬麗酒店隆重開幕。以“AI驅(qū)動,存儲復(fù)蘇”為主題,峰會匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游的關(guān)鍵企業(yè),致力于打造國際化、高水準的交流合作平臺,推動產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展、共贏未來。本屆峰會聚焦AI趨勢下存儲技術(shù)的革新與應(yīng)用,規(guī)模升級、議程豐富,形式多元,呈現(xiàn)四大亮點。 大咖云集,前沿共探——解碼技術(shù)創(chuàng)新趨勢 來自北京大學(xué)集成電路學(xué)院、美光科技、西部數(shù)據(jù)、Solidigm、Arm、紫光展銳、Intel、科大訊飛、瑞芯微、慧榮科技、佰維存儲、勝
        • 關(guān)鍵字: GMIF2024 創(chuàng)新峰會  AI  存儲  

        第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會演講嘉賓陣容重磅揭曉!眾多行業(yè)大咖與您9月27日相約深圳

        • 2024年9月27日,由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟、深圳市存儲器行業(yè)協(xié)會主辦,廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會協(xié)辦,愛集微咨詢(廈門)有限公司、海通證券股份有限公司承辦的“第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會(Global Memory Innovation Forum)”將在深圳灣萬麗酒店舉辦。   第三屆 GMIF2024 創(chuàng)新峰會以“AI驅(qū)動,存儲復(fù)蘇”為主題,以存儲視角,鏈接半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和學(xué)界,聚集了北京大學(xué)、美光科技、西部數(shù)據(jù)、so
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        未來存儲產(chǎn)品將導(dǎo)入Chiplet技術(shù)

        • 隨著人工智能、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展,全球存儲市場競爭日益激烈,存儲芯片市場正迎來前所未有的變革。據(jù)悉,三星電子、SK海力士等存儲巨頭紛紛加大在新技術(shù)領(lǐng)域的投入,以應(yīng)對市場的快速變化和競爭壓力,搶占市場份額和商業(yè)機會。在這些新技術(shù)中,CXL和定制芯片、chiplet技術(shù)尤為引人關(guān)注,成為了各大存儲大廠競相角逐的新戰(zhàn)場。綜合韓媒報道,SK海力士副總裁文起一在學(xué)術(shù)會議上稱,Chiplet芯粒/小芯片技術(shù)將在2~3年后應(yīng)用于DRAM和NAND產(chǎn)品。值得注意的是,SK海力士正在內(nèi)部開發(fā)Chiplet技術(shù),不僅加入
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        江波龍自研芯片新進展,2xnm SLC NAND Flash驚艷亮相ELEXCON2024深圳電子展

        • 8月27日至29日,江波龍攜旗下行業(yè)類存儲品牌FORESEE亮相ELEXCON2024深圳國際電子展,展示其在存儲領(lǐng)域的最新技術(shù)成果。在此次展會上,江波龍首款2xnm SLC NAND Flash自研芯片產(chǎn)品首次亮相,再次體現(xiàn)了江波龍在技術(shù)創(chuàng)新之路的攀升;汽車電子、消費電子、智能穿戴和AI服務(wù)器四大主流市場的存儲解決方案同臺,呈現(xiàn)了江波龍在不同應(yīng)用的產(chǎn)品硬實力。 新品發(fā)布2xnm SLC NAND Flash產(chǎn)品采用2xnm先進制程工藝,支持DTR模式,不僅實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的166MHz
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        穩(wěn)定可靠、壽命更長,憶聯(lián)RM561為智能終端打造出眾存儲體驗

        • 回望過去,智能終端的發(fā)展經(jīng)歷了從功能單一到多元、從笨重到輕便、從低性能到高性能的深刻變革。早期的智能終端受限于存儲技術(shù)和處理器能力,用戶體驗往往不盡如人意。然而,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,尤其是存儲技術(shù)的突破,智能終端的性能與體驗得到了質(zhì)的飛躍。eMMC(Embedded Multi Media Card)作為嵌入式多媒體存儲卡,因其集成度高、功耗低、性能穩(wěn)定等特點,已成為智能終端存儲解決方案的首選。在此背景下,憶聯(lián)推出的eMMC RM561存儲解決方案,以其卓越的性能、高壽命、持久穩(wěn)定、兼容性強
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        臺積電、高通兩大半導(dǎo)體巨頭試水存儲賽道?

        • 近日,晶圓代工巨頭臺積電和半導(dǎo)體芯片設(shè)計龍頭廠商高通各自公布了多項半導(dǎo)體技術(shù)專利,其中都包括一項與存儲領(lǐng)域相關(guān)的專利。臺積電:雙端口靜態(tài)隨機存取存儲器單元電路靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)通常用于集成電路中。SRAM單元具有保持數(shù)據(jù)而不需要刷新的有利特征。隨著對集成電路速度的要求越來越高,SRAM單元的讀取速度和寫入速度也變得越來越重要。然而,在已經(jīng)非常小的SRAM單元的規(guī)模不斷縮小的情況下,這樣的要求很難實現(xiàn)。例如,形成SRAM單元的字線和位線的金屬線的薄層電阻變得越來越高,因此SRAM單元中的線路和位
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        存儲介紹

        存儲   cún chǔ  ?。ù娲鎯Γ?  1.把錢或物等積存起來?!肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗?,應(yīng)行存儲款項?!薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》:“每年新漕進倉,倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲,將某倉存儲某年米色數(shù)目,造冊先期咨部存案?!?魯迅 《書信集·致李小峰》:“《舊時代之死》之作者之家族,現(xiàn)頗窘,幾個友人為之集款存儲,作孩子讀書之用。”   2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細 ]
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