隨著人工智能、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展，全球存儲市場競爭日益激烈，存儲芯片市場正迎來前所未有的變革。據(jù)悉，三星電子、SK海力士等存儲巨頭紛紛加大在新技術(shù)領(lǐng)域的投入，以應(yīng)對市場的快速變化和競爭壓力，搶占市場份額和商業(yè)機會。

在這些新技術(shù)中，CXL和定制芯片、chiplet技術(shù)尤為引人關(guān)注，成為了各大存儲大廠競相角逐的新戰(zhàn)場。

綜合韓媒報道，SK海力士副總裁文起一在學(xué)術(shù)會議上稱，Chiplet芯粒/小芯片技術(shù)將在2~3年后應(yīng)用于DRAM和NAND產(chǎn)品。值得注意的是，SK海力士正在內(nèi)部開發(fā)Chiplet技術(shù)，不僅加入了UCIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，也已于2023年在全球范圍內(nèi)申請注冊了用于 Chiplet技術(shù)的MOSAIC商標(biāo)。

▲ SK 海力士 HBM3E 內(nèi)存

文起一在會議上還表示，用于連接HBM內(nèi)存各層裸片的新興工藝混合鍵合目前面臨諸多挑戰(zhàn)，但該工藝仍將是未來方向。混合鍵合對CMP（注：化學(xué)機械拋光）加工步驟提出了更高精細度要求；此外封裝加工引起的碎屑污染問題也對HBM內(nèi)存的良率造成明顯影響。

但并非所有存儲產(chǎn)品控制器功能都需要使用先進工藝，采用Chiplet設(shè)計可將對工藝要求較低的功能模塊剝離到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影響功能實現(xiàn)的同時大幅降低成本。