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存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)亟待“翻身仗”，四大廠商最新營(yíng)收幾何？
- 2023年已過去一大半，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)雖仍處于待復(fù)蘇階段，但歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，業(yè)界期盼的暖風(fēng)或許正在到來(lái)。從多家廠商最新營(yíng)收來(lái)看，整體營(yíng)收仍是下降趨勢(shì)，但各廠商營(yíng)收出現(xiàn)了環(huán)比增長(zhǎng)的跡象，預(yù)示著需求正在慢慢升溫。群聯(lián)電子：9月營(yíng)收月增25%存儲(chǔ)器控制芯片商群聯(lián)電子公布，其9月營(yíng)收為50.04億元新臺(tái)幣，月增25.38%，年增4.05%，重返50億元新臺(tái)幣大關(guān)，創(chuàng)14個(gè)月新高。根據(jù)數(shù)據(jù)，群聯(lián)電子第三季營(yíng)收為123.88 億元新臺(tái)幣，較第二季成長(zhǎng)近24%，年減15%；2023年前三季累計(jì)營(yíng)收324.74 億元新臺(tái)幣
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存儲(chǔ)芯片的「寒冬期」即將過去
- 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售最差時(shí)期已過，價(jià)格已止跌。
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UCODE標(biāo)簽存儲(chǔ)器擴(kuò)展對(duì)供應(yīng)鏈及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的影響
- 每年有數(shù)百億個(gè)RAIN RFID標(biāo)簽穿梭于價(jià)值鏈，識(shí)別跟蹤各類物品。在大多數(shù)情況下，只需少量的存儲(chǔ)空間便可以存儲(chǔ)產(chǎn)品和標(biāo)簽ID，從而區(qū)分各個(gè)物品，并報(bào)告物品在系統(tǒng)中的位置和/或狀態(tài)。那么，為什么某些RAIN RFID標(biāo)簽提供額外的存儲(chǔ)空間呢？因?yàn)樵谀承┣闆r下，特別是在供應(yīng)鏈和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中（IoT），即使一點(diǎn)點(diǎn)額外的存儲(chǔ)空間也會(huì)帶來(lái)很大的影響。除了產(chǎn)品和標(biāo)簽ID外，擴(kuò)展存儲(chǔ)器標(biāo)簽可以存儲(chǔ)其他信息，有助于提升效率、提高自動(dòng)化水平并降低運(yùn)營(yíng)成本。 什么是擴(kuò)展存儲(chǔ)器標(biāo)簽？提供擴(kuò)展存儲(chǔ)器的RAIN RFI
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新的存儲(chǔ)器研究使密度躍升100倍
- 存儲(chǔ)密度躍升 10 到 100 倍？
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三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案
- 今日，三星電子宣布，已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲(chǔ)器最低的功耗，可助力汽車制造商為消費(fèi)者打造優(yōu)秀的出行體驗(yàn)。為滿足客戶的不同需求，三星的UFS 3.1（通用閃存）將推出128、256和512千兆字節(jié)（GB）三種容量。在未來(lái)的汽車（電動(dòng)汽車或自動(dòng)駕駛汽車）應(yīng)用中，增強(qiáng)的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中，256GB容量的產(chǎn)品，功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%，還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品
- 4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬(wàn)次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫(kù)存水位過高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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人大代表馮丹：加快國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè)，真正實(shí)現(xiàn)自主可控
- 信息社會(huì)離不開數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，金融、電信、互聯(lián)網(wǎng)等，更需要高可靠、高安全的海量存儲(chǔ)系統(tǒng)，存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)是數(shù)據(jù)的載體，關(guān)乎數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)安全、國(guó)家安全。在今年全國(guó)兩會(huì)期間，全國(guó)人大代表、華中科技大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院教授馮丹提出了《關(guān)于加快國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè)的建議》。馮丹認(rèn)為，應(yīng)加快數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈，助力數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展?！皬膽?zhàn)略高度重視數(shù)據(jù)存力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，將數(shù)據(jù)存力指標(biāo)納入國(guó)家體系，盡快形成我國(guó)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的頂層規(guī)劃和具體目標(biāo)，打造一批典型示范項(xiàng)目，加快先進(jìn)存力的開發(fā)與應(yīng)用?！瘪T丹建議，制定獨(dú)立的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)強(qiáng)鏈補(bǔ)
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格芯收購(gòu)瑞薩非易失性電阻式RAM技術(shù)，加強(qiáng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月9日，晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，已收購(gòu)瑞薩電子（Renesas）的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（CBRAM）技術(shù)，這是一種低功耗的存儲(chǔ)器解決方案，旨在實(shí)現(xiàn)家庭、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)及智能移動(dòng)設(shè)備的一系列應(yīng)用。格芯表示，這項(xiàng)交易進(jìn)一步加強(qiáng)了格芯的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對(duì)容易集成到其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)的嵌入式存儲(chǔ)器解決方案，擴(kuò)展了其嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）解決方案的路線圖。這項(xiàng)技術(shù)將使客戶能夠進(jìn)一步區(qū)分其SoC設(shè)計(jì)，并推動(dòng)新一代安全和智能
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筆電存儲(chǔ)器新標(biāo)準(zhǔn)，CAMM有望取代SO-DIMM
- SO-DIMM（Small Outline DIMM）因小巧尺寸設(shè)計(jì)，適合空間有限的系統(tǒng)，例如筆電、小型工業(yè)電腦、NAS、路由器等。根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)可能將戴爾和英特爾合作開發(fā)的CAMM（Compression Attached Memory Module）作為下一代標(biāo)準(zhǔn)，取代SO-DIMM。近日，國(guó)外媒體PCWorld引用戴爾資深工程師、JEDEC委員會(huì)成員Tom Schnell的說法表示，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)考慮采用CAMM成為正式標(biāo)準(zhǔn)，并讓其他制造商加以使用。Tom Sc
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隨機(jī)存取存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)?寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別?
- 存儲(chǔ)器相當(dāng)于我們的大腦的存儲(chǔ)單元，能夠保存我們的電子數(shù)據(jù)。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、寄存器和存儲(chǔ)器的區(qū)別予以介紹。如果你對(duì)存儲(chǔ)器具有興趣，不妨和小編一起來(lái)繼續(xù)認(rèn)真地往下閱讀哦。一、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory，RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)
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MCU三巨頭，三種選擇
- 半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)更新迭代，MCU也要與時(shí)俱進(jìn)。為了更好地迎接未來(lái)趨勢(shì)，有的廠商選擇從內(nèi)核下手，比如，由Arm Cortex-M內(nèi)核轉(zhuǎn)向RISC-V內(nèi)核；也有選擇集成AI，通過在MCU中加入AI加速器，讓MCU更加智能；還有一種就是本文將主要介紹的，集成新型存儲(chǔ)器。MCU作為一款需要集成CPU、SRAM、非易失性存儲(chǔ)器，以及專用外設(shè)的芯片，最常見的存儲(chǔ)器形式主要包括了 eDRAM 、SRAM 易失性存儲(chǔ)器、閃存、EEPROM 非易失性存儲(chǔ)器，這其中集成式閃存是MCU的重要特征。然而，隨著時(shí)間的推移，閃存卻逐漸
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美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器已針對(duì)新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲(chǔ)器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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三星推出面向人工智能的全新存儲(chǔ)器技術(shù)
- 據(jù)韓媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星于近日宣布，公司已經(jīng)成功運(yùn)行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100，并展示了其性能。三星稱，與其他沒有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片將AMD GPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約50%。與僅配備HBM的GPU加速器相比，配備HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了約2100GWh。2021年2月，三星推出了其首個(gè)HBM-PIM，這是業(yè)界第一個(gè)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。HBM
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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