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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲(chǔ)器

        中國(guó)存儲(chǔ)及半導(dǎo)體新勢(shì)力,必須正視即將到來的專利問題

        • 隨著中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的逐步量產(chǎn),專利戰(zhàn)肯定會(huì)爆發(fā),不過要說中國(guó)因此會(huì)受到限制也不是絕對(duì),關(guān)鍵還是自身核心技術(shù)的提升。無論如何,不僅僅是存儲(chǔ)領(lǐng)域,專利是崛起的中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)必須馬上就正視的問題。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  南亞科  

        老杳:有關(guān)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器的專利問題

        •   近期有關(guān)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的專利問題再次成為媒體關(guān)注的熱點(diǎn)。   原因很簡(jiǎn)單,每每海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手評(píng)價(jià)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器,都會(huì)將專利列為必不可少的障礙之一,特別是臺(tái)灣的某些同行。   最近因?yàn)槊拦馄鹪V福建晉華更將這一問題推向媒體關(guān)注焦點(diǎn),專利真會(huì)成為大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的障礙嗎?   老杳認(rèn)為不會(huì)!   首先,美光起訴福建晉華并不是專利侵權(quán),而是商業(yè)秘密.   說國(guó)際存儲(chǔ)器大廠已經(jīng)向中國(guó)存儲(chǔ)器廠商發(fā)起專利戰(zhàn)有點(diǎn)聳人聽聞。   第二,沒有任何一家中國(guó)存儲(chǔ)器廠商對(duì)外宣傳不尊重國(guó)際大廠的專利權(quán)。   中
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  

        為何存儲(chǔ)器在十大芯片公司中稱霸五席?

        •   需求量大、供不應(yīng)求是存儲(chǔ)器上升的主因  近日,Gartner最近提前預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)4197億美元,增長(zhǎng)22%,并給出2017年世界芯片公司排行榜。令人驚嘆的是半導(dǎo)體市場(chǎng)不僅一反前幾年的低迷徘徊,而是增長(zhǎng)亮麗;而且存儲(chǔ)器企業(yè)占了五席!      先查一下Gartner前兩年的數(shù)據(jù):  *Gartner的2016年全球半導(dǎo)體總收入為3435億美元,相比2015年的3349億美元增長(zhǎng)了2.6%[1]。Gartner研究總監(jiān)James Hines解釋道:“全球半
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  芯片  

        存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩

        • 三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫,新產(chǎn)能將在2019年后開出,屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過于求。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  NAND  

        中韓存儲(chǔ)器業(yè)紛擴(kuò)產(chǎn),2019 年半導(dǎo)體原料大缺貨?

        • 中韓半導(dǎo)體廠商大擴(kuò)產(chǎn),相關(guān)產(chǎn)能 2018、2019 年開出。各大廠商增產(chǎn),半導(dǎo)體原料需求大增,供給卻未相對(duì)成長(zhǎng),外界憂慮 2019 年半導(dǎo)體原料可能會(huì)爆發(fā)缺貨危機(jī)。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  

        嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生,作為電子工程師的你知道嗎?

        •   隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上,形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器,在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧?! 〗谂_(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中,首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用2
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SRAM  

        三星半導(dǎo)體未來將著重非存儲(chǔ)器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展

        •   根據(jù)韓國(guó)媒體《The Investor》的報(bào)導(dǎo),三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會(huì)議”上,由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布,未來三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲(chǔ)器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門在尋求當(dāng)前除了最賺錢的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之外,未來新的營(yíng)收來源計(jì)劃。   報(bào)導(dǎo)指出,三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會(huì)議”,是三星為接下來半年的營(yíng)運(yùn)策略定下計(jì)劃的重要會(huì)議。而
        • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)器  

        清華大學(xué)攜手兆易創(chuàng)新于IEDM發(fā)表阻變存儲(chǔ)器論文

        •   12月2-6日,第63屆國(guó)際電子器件大會(huì)(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國(guó)加州舊金山舉行,清華大學(xué)微納電子系吳華強(qiáng)課題組的2篇文章入選其列,分別題為“類腦計(jì)算中阻變存儲(chǔ)器的氧空位分布無序效應(yīng)模型(Modeling disorder effect of the oxygen vacancy distribution in filamentary analog RRAM for neuromorphic computing)”和“用于類腦計(jì)算
        • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  存儲(chǔ)器  

        三星半導(dǎo)體未來將著重非存儲(chǔ)器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展

        •   根據(jù)韓國(guó)媒體《The Investor》的報(bào)導(dǎo),三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會(huì)議”上,由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布,未來三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲(chǔ)器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門在尋求當(dāng)前除了最賺錢的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之外,未來新的營(yíng)收來源計(jì)劃。  報(bào)導(dǎo)指出,三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會(huì)議”,是三星為接下來半年的營(yíng)運(yùn)策略定下計(jì)劃的重要會(huì)議。而根據(jù)知情人士的透露,在金奇南被任命為三星半導(dǎo)體部門C
        • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)器  

        中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起 誰將成為“攪局者”?

        • 從國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的趨勢(shì)來看,紫光國(guó)際以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成為“攪局者”,于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言,將是一把利劍,也是打破美日韓壟斷國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的希望。
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  芯片  

        美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)決定調(diào)查海力士存儲(chǔ)器模組侵權(quán)案

        •   據(jù)韓國(guó)媒體《etnews》報(bào)導(dǎo),日前遭美國(guó)芯片廠Netlist控告兩項(xiàng)存儲(chǔ)器模組侵權(quán)的韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士,美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)3日宣布,決定立案開始調(diào)查。調(diào)查最終結(jié)果,一旦被裁定有侵犯專利權(quán)的事實(shí),ITC將有權(quán)利引用美國(guó)海關(guān)337條款,禁止使用侵權(quán)技術(shù)的產(chǎn)品輸入美國(guó)。   報(bào)導(dǎo)指出,SK海力士是在2017年的10月31日遭Netlist控訴侵犯專利權(quán),指SK海力士?jī)身?xiàng)存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品,包括RDIMM和LRDIMM等用于服務(wù)器的存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品侵犯了Netlist的專利權(quán)。不過,該案曾在20
        • 關(guān)鍵字: 海力士  存儲(chǔ)器  

        Yole:供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲,市場(chǎng)年均增長(zhǎng)9%

        •   存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長(zhǎng)的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì),2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為9%,到2022將達(dá)到1350億美元,DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計(jì)約占95%。此外,供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲,導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)!   存儲(chǔ)器的需求來自各行各業(yè),特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言,每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長(zhǎng)三倍以上,預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右,而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
        • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  

        紫光南京存儲(chǔ)器基地實(shí)質(zhì)啟動(dòng)

        • 當(dāng)前南京已經(jīng)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之城,包括臺(tái)積電、紫光都落地于此。
        • 關(guān)鍵字: 紫光  存儲(chǔ)器  

        三星2017年豪擲260億美元投資 欲遏制中國(guó)存儲(chǔ)器廠商發(fā)展

        •   根據(jù)IC Insights最新發(fā)布的17年麥克林報(bào)告指出,今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長(zhǎng)35%,達(dá)到908億美元。   而三星今年在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出達(dá)到260億美元,是去年支出的兩倍還多。IC Insights總裁Bill McClean表示:“我追蹤半導(dǎo)體行業(yè)的37年里,從沒有見過如此激烈的半導(dǎo)體資本支出增長(zhǎng)。 可見,今年三星的巨額開支在半導(dǎo)體行業(yè)史上是史無前例的。”   下圖顯示了自2010年以來三星為其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資本支出。2010年,該公司首次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入了超過1
        • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)器  

        存儲(chǔ)器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下

        •   DRAM漲勢(shì)不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲(chǔ)器漲幅過大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng),不堪侵蝕獲利,已開始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢(shì)將止步,價(jià)格有下調(diào)壓力。   調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃,都為未來DRAM市場(chǎng)投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長(zhǎng)11.8%,但成長(zhǎng)已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價(jià)格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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        存儲(chǔ)器介紹

        什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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