EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
下半年存儲(chǔ)器漲勢(shì)迎拐點(diǎn)：2017全年價(jià)格漲幅仍十分可觀
- 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷(xiāo)售額都將創(chuàng)出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創(chuàng)新高的原因都是由于價(jià)格瘋漲。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長(zhǎng)2%，閃存出貨量增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)器銷(xiāo)售額創(chuàng)新高雖然是正面作用，但并非主要原因。 存儲(chǔ)器價(jià)格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價(jià)格都持續(xù)向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價(jià)格季度平均增長(zhǎng)率為16.8%，NAND閃存價(jià)格季度平均增
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
紫光國(guó)芯終止重組：一次國(guó)家扶持與商業(yè)考量的磨合
- 7月16日晚間，紫光國(guó)芯公告稱(chēng)終止對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)股權(quán)收購(gòu)計(jì)劃。這是紫光國(guó)芯繼2015年800億定增失利、收購(gòu)臺(tái)灣力成與南茂部分股權(quán)計(jì)劃接連折戟后，首次轉(zhuǎn)向內(nèi)部整合后的又一次失利。 但據(jù)券商分析師分析，主要在于長(zhǎng)江存儲(chǔ)短期內(nèi)無(wú)法產(chǎn)生收益。對(duì)于投資周期長(zhǎng)的存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目，即便是國(guó)家大力扶持存儲(chǔ)器的背景下，收購(gòu)者也不能放棄對(duì)投資回報(bào)的考量。“紫光系”內(nèi)部整合后的再次失利，背后是國(guó)家扶持和市場(chǎng)化思維的不斷磨合，暫時(shí)終止收購(gòu)體現(xiàn)了紫光國(guó)芯的市場(chǎng)化經(jīng)營(yíng)路徑。 2014年，在工信部、
- 關(guān)鍵字： 紫光國(guó)芯 存儲(chǔ)器
“攪局者”帶領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入“芯”未知階段
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)7月13日?qǐng)?bào)道，世界的半導(dǎo)體市場(chǎng)此前一直以美韓日廠商唱主角，現(xiàn)在中國(guó)企業(yè)正試圖參與進(jìn)來(lái)，而中國(guó)企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場(chǎng)混亂的風(fēng)險(xiǎn)因素。 在全球股市上，半導(dǎo)體相關(guān)股正在成為熱點(diǎn)。美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)(SOX)在1100點(diǎn)左右，這是2000年IT泡沫以來(lái)的高水平。但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在步入一個(gè)未知的階段，其中一個(gè)要素就是中國(guó)。 矛頭指向中國(guó)有失公允 眾所周知，無(wú)論日經(jīng)中文，或是西方的有些論點(diǎn)把矛頭指向中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)是不公平的。任何國(guó)家都有權(quán)決定自身的發(fā)展策略，而中國(guó)要發(fā)展半
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器
東芝存儲(chǔ)器的真正的出售期限？
- 6月21日，東芝(Toshiba)趕在股東大會(huì)前，宣布將優(yōu)先與日美韓聯(lián)盟，針對(duì)東芝存儲(chǔ)器公司出售案進(jìn)行交涉。東芝所選擇的日美韓聯(lián)盟，以產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)、貝恩資本(Bain Capital)、政策投資銀行(DBJ)為主軸，加上韓國(guó)業(yè)者SK海力士(SK Hynix)、甚至傳出部分日企共同參與其中。 然而，外傳日美韓聯(lián)盟出價(jià)雖超過(guò)2兆日?qǐng)A(約177億美元)，卻不是最高出價(jià)者。只不過(guò)，日本官方始終無(wú)法放下對(duì)鴻海集團(tuán)的忌憚之心，致使東芝以“綜合評(píng)價(jià)”的方式，優(yōu)先選擇日美韓聯(lián)
- 關(guān)鍵字： 東芝 存儲(chǔ)器
2017年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)4000億美元, 歷史新高
- 國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測(cè)，2017年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收將達(dá)到4014億美元，較2016年增加16.8%。這將是全球半導(dǎo)體營(yíng)收首度突破4000億美元大關(guān);2010年時(shí)創(chuàng)下3000億美元紀(jì)錄，更早之前則是在2000年時(shí)超越了2000億美元。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲(chǔ)器缺貨帶動(dòng)整體半導(dǎo)體市場(chǎng)的榮景。由于存儲(chǔ)器廠商抬高DRAM和NAND的價(jià)格，其營(yíng)收和獲利隨之成長(zhǎng)。” Gartner預(yù)估2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)的營(yíng)收提升幅度高達(dá)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器
Gartner：存儲(chǔ)器市場(chǎng)泡沫將于2019年破裂
- 據(jù)韓國(guó)民族日?qǐng)?bào)報(bào)道，Gartner預(yù)測(cè)三星電子將失去在今年以來(lái)年取得的許多收益。 存儲(chǔ)器市場(chǎng)泡沫將于2019年破裂。 7月12日，Gartner預(yù)測(cè)稱(chēng)，雖然今年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額首次超過(guò)4000億美元，但到2019年，繁榮景象將會(huì)消失。 Gartner研究副總裁安德魯•諾伍德推測(cè)稱(chēng)，“企業(yè)在儲(chǔ)存器市場(chǎng)大量投資，但之后將再次失去這些利潤(rùn)。據(jù)推測(cè)，隨著儲(chǔ)存器供應(yīng)商增加新的供應(yīng)量，存儲(chǔ)器市場(chǎng)泡沫將于2019年破裂。這也意味著三星電子將失去在今年以來(lái)年取得的許多收益&rd
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器
ReRAM即將跨入3D時(shí)代？
- 莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱(chēng)成功為ReRAM開(kāi)發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)… 可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲(chǔ)存類(lèi)型的“通用”存儲(chǔ)器，不僅提供了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的速度，又兼具快閃存儲(chǔ)器(flash)的密度與非揮發(fā)性。然而目前，flash由于搶先進(jìn)入3D時(shí)代而較ReRAM更勝一籌?！ ∪缃?，莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(Moscow Institute of Physics and Technolo
- 關(guān)鍵字： ReRAM 存儲(chǔ)器
SK Hynix有望獲得東芝存儲(chǔ)器33%股權(quán)？INCJ：簽約時(shí)間未定
- 據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)知情人士透露，在東芝公司將出售旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)東芝存儲(chǔ)器的出售計(jì)劃中，包含 SK Hynix 擁有最高可取得33%股權(quán)的選擇權(quán)(option)，而東芝在對(duì)外發(fā)表的聲明中從未提到過(guò)該選擇權(quán)，SK 若成為日本官民基金“產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)”(INCJ)以外的大股東的話，相信勢(shì)必引來(lái)西部數(shù)據(jù)更大的反對(duì)。 東芝于6月21日決定由 INCJ、美國(guó)投資基金以及韓國(guó) SK Hynix 等所籌組的“日美韓聯(lián)盟”為半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲(chǔ)器&rdqu
- 關(guān)鍵字： SK 存儲(chǔ)器
中國(guó)DRAM夢(mèng)初現(xiàn)曙光
- 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要實(shí)現(xiàn)制造DRAM夢(mèng)己經(jīng)初現(xiàn)曙光，近期由臺(tái)灣咨詢(xún)時(shí)報(bào)報(bào)道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業(yè)界的廣泛興趣。 一直低調(diào)行事的合肥“睿力”DRAM項(xiàng)目，由前應(yīng)用材料公司資深副總裁David王寧國(guó)領(lǐng)軍。 匯總消息，“睿力”做DRAM，采用19納米制程工藝。該項(xiàng)目總占地面積約1582畝，一期總投資額約80億美元，一期的兩層廠房預(yù)計(jì)2017年三季度完工。目前已開(kāi)始下設(shè)備的PO訂單，計(jì)劃今年10月設(shè)備開(kāi)始安裝，有望2
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
出售延期 東芝存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)繼續(xù)運(yùn)作
- 6月21日，東芝宣布選擇日本投資人和美國(guó)私募股權(quán)公司貝恩資本聯(lián)合的團(tuán)隊(duì)作為旗下存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)優(yōu)先競(jìng)購(gòu)者，并計(jì)劃在6月28日達(dá)成最終協(xié)議。 不過(guò)，計(jì)劃沒(méi)有變化快，東芝日前表示，由于操作程序復(fù)雜，還有大量工作要做，所以雙方簽約時(shí)間要繼續(xù)延遲。東芝方面沒(méi)有給出具體要延后到什么時(shí)間。 其實(shí)對(duì)于這樣的結(jié)果業(yè)界并沒(méi)有感到特別意外，因?yàn)樽詵|芝宣布將出售旗下存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)后，已經(jīng)經(jīng)歷了無(wú)數(shù)的傳言和不確定，再加上目前西數(shù)正在狀告東芝，所以在最終協(xié)議簽字之前，一切都存在變數(shù)。 雖然東芝和優(yōu)先競(jìng)購(gòu)方?jīng)]有達(dá)成最終協(xié)
- 關(guān)鍵字： 東芝 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器產(chǎn)品供應(yīng)持續(xù)吃緊 下半年價(jià)格依然看漲
- 隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增，今年來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。 南亞科總經(jīng)理李培瑛說(shuō)，第2季DRAM市場(chǎng)狀況穩(wěn)定，下半年需求將比上半年好，對(duì)第3季并不悲觀。 聯(lián)合報(bào)系數(shù)據(jù)照 需求增加，供應(yīng)端產(chǎn)能卻未同步增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來(lái)出現(xiàn)罕見(jiàn)同時(shí)供應(yīng)吃緊的情況。 隨著時(shí)序逐漸步入傳統(tǒng)旺季，加上短時(shí)間新產(chǎn)能
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
厚翼科技推出實(shí)時(shí)非易失性存儲(chǔ)器測(cè)試與修復(fù)解決方案
- 目前 SoC 設(shè)計(jì)對(duì)于各類(lèi)內(nèi)存( RAM、 ROM、 NVM、 DRAM、Embedded DRAM) 需求的比重越來(lái)越大， 以車(chē)用電子與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品而言， 使用 非易失性?xún)?nèi)存 ( Non-Volatile Memory; NVM) 的比重與容量都已經(jīng)大幅提升。 隨著車(chē)用電子與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品需求的帶動(dòng)，系統(tǒng)芯片的質(zhì)量、可靠性與低成本是現(xiàn)&n
- 關(guān)鍵字： 厚翼科技 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲(chǔ)器電路
存儲(chǔ)器相關(guān)帖子
存儲(chǔ)器資料下載
存儲(chǔ)器視頻
存儲(chǔ)器專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473