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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

        傳希捷與SK海力士結(jié)盟 全球存儲器版圖將大變革?

        • 硬盤大廠爭相與Flash廠商結(jié)盟,全球存儲器產(chǎn)業(yè)鏈供貨、版圖又將迎來什么樣的變化?
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  希捷  

        莫大康:十年來全球半導體業(yè)改變了什么?

        • 十年時間匆匆而過,全球半導體業(yè)發(fā)生大的改變,產(chǎn)業(yè)己趨越來越成熟,增長己顯乏力。
        • 關(guān)鍵字: 半導體  存儲器,  

        IC Insights:2017年全球存儲器市場同比增長10%

        •   在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產(chǎn)能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多,從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌,2015年存儲器銷售額最終為780億美元,同比下降了3%。   這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價太狠,IC Insi
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

        斯坦福: 新的存儲器技術(shù)可能更節(jié)能

        •   科學家們經(jīng)常會發(fā)現(xiàn)尚未完全理解其中因果的事物令人興趣盎然,但是對于工程師而言,此種未知奧秘卻是夢魘。工程師的工作是將基礎知識轉(zhuǎn)化為實用技術(shù),這意味著需要洞察細節(jié)?! ?2月5日,全球頂級研究人員匯聚舊金山,參加IEEE國際電子組件會議(IEDM)。斯坦福大學團隊在會議上發(fā)表的一篇論文,正是這種洞察細節(jié)精神的體現(xiàn)?! ∮蒊BM電子工程師出身的黃漢森教授(H. S. Philip Wong)領(lǐng)導的該團隊,在深入研究一種新型數(shù)據(jù)存儲技術(shù)。對于智能手機和其他移動設備而言,高效節(jié)能
        • 關(guān)鍵字: 斯坦福  存儲器  

        非揮發(fā)性存儲器規(guī)模將超越SSD

        •   NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異,勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟,即將卷土重來,成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導指出,F(xiàn)lash SSD速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多,但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異,因此Flash SSD在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時,仍有延遲、錯誤等缺點。反觀NVM除了速度更快之外,其存儲器還擁有持久型儲存的功能
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  SSD  

        丁文武談存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展:要舍得持續(xù)投資

        •   12月9日下午消息 在今天召開的“2016中國存儲峰會”上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武在發(fā)言中表示,中國的存儲產(chǎn)業(yè)跟全球相比還有很大的差距,尤其在存儲芯片方面差距更大。   “2015年我國集成電路進口額達到2307億美元,其中存儲器進口占比達到的1/4。中國有這么大的存儲市場,如何發(fā)展中國存儲產(chǎn)業(yè),這是擺在產(chǎn)業(yè)界最大的課題。”丁文武說,“我們一直在呼吁要把存儲器作為國家戰(zhàn)略,因為中國有這么大的市場需求;從信息安全、產(chǎn)業(yè)
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  集成電路  

        國內(nèi)存儲器領(lǐng)域發(fā)展成“三足鼎立”之勢

        • 合肥、北京、福建中國大陸有關(guān)存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐漸形成三股力量,并正在發(fā)展之中。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  紫光  

        Flash缺貨,存儲器成為三星的搖錢樹

        •   NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社)   根據(jù)DIGITIMES的報導,NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè),2017年將增加至13兆韓元,其中4兆韓元用于DRAM,F(xiàn)lash則約9兆韓元,遠不如原
        • 關(guān)鍵字: Flash  存儲器  

        大陸存儲器產(chǎn)業(yè)崛起將改變?nèi)虍a(chǎn)業(yè)版圖

        •   南韓兩大半導體廠Samsung與SKHynix共組半導體希望基金,資金規(guī)模約2000億韓元(約55億元新臺幣),顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球記憶體市場的競爭力與影響力。   不過半導體希望基金規(guī)模不大,預期重點不在建置新廠、擴張產(chǎn)能,而是鎖定技術(shù)研發(fā),特別是DRAM、NANDFlash、行動記憶體、新興記憶體等產(chǎn)品的研發(fā)。   南韓半導體國家隊的成軍,主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業(yè)已成為大陸官方投資的重要方向,企圖實現(xiàn)從無到有的局面。大陸記憶體產(chǎn)業(yè)奠定在當?shù)匦枨罂焖僭鲩L的基礎,以
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  晶圓  

        [ARM筆記]內(nèi)存管理單元地址變換過程

        •   1. 地址的分類  以前的程序很小,可以全部裝入內(nèi)存中運行,隨著技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了如下兩種情況:  1)有的程序很大,它要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能一次性裝入內(nèi)存中;  2)多任務系統(tǒng)中有很多程序需要同時運行,它們要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能把所有的程序全部裝入內(nèi)存中?! 嶋H上,一個程序在運行前,沒有必要全部裝入內(nèi)存,而僅需要將那些當前要運行的部分先裝入內(nèi)存,其余部分在用到的時候再從磁盤調(diào)入,而當內(nèi)存耗光時,再將暫時不用的部分調(diào)出到磁盤。這使得一個大程序可以在較小的內(nèi)存空間
        • 關(guān)鍵字: ARM  存儲器  

        3大理由看透 快閃存儲器明年前景

        • 今年的低基期襯托出明年的高成長,對明年快閃記憶體的需求增長有明顯的幫助。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  

        大陸存儲器需求進展超預期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

        •   日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大,帶動價格上揚,2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠,表現(xiàn)亮眼。   東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明,由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切,東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。   平田表示,在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn),競爭激烈的情況下,大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段,是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查,目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元,價格
        • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲器  

        大陸存儲器需求進展超預期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

        •   日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大,帶動價格上揚,2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠,表現(xiàn)亮眼。   東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明,由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切,東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。   平田表示,在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn),競爭激烈的情況下,大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段,是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查,目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元,價格
        • 關(guān)鍵字: 東芝  存儲器  

        高速SDRAM存儲器接口電路設計(Altera FPGA開發(fā)板)

        異步SRAM存儲器接口電路設計(Altera FPGA開發(fā)板)

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        存儲器介紹

        什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]

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