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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

        武漢存儲器和網(wǎng)絡(luò)安全 兩大國家級基地融合發(fā)展

        •   “國家存儲器基地、國家網(wǎng)絡(luò)安全人才與創(chuàng)新基地,都落戶武漢并啟動建設(shè),但并沒有形成合力。”昨日,參加全國兩會的全國人大代表、華中科技大學(xué)計算機學(xué)院院長馮丹建議,統(tǒng)籌推進兩大國家級基地充分融合,形成網(wǎng)絡(luò)安全產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢,確保武漢在國家存儲器和網(wǎng)絡(luò)安全戰(zhàn)略中處于領(lǐng)先地位。   馮丹分析,國內(nèi)企業(yè)在存儲器芯片制造上自有核心技術(shù)偏少,關(guān)鍵部件、先進工藝等依賴進口,容易受制于人,安全性難以保障;網(wǎng)絡(luò)安全人才培養(yǎng)定位較狹窄,對硬件安全、網(wǎng)絡(luò)空間安全認(rèn)識有待加強。“兩個基地相互融
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  芯片  

        發(fā)展3D NAND閃存的意義

        • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開,長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法,及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

        各大廠搶進3D NAND致存儲器價格大漲

        •   據(jù)海外媒體報道,去年下半年以來NANDFlash市場供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3DNAND,但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。   不過,隨著3DNAND加速量產(chǎn),下半年產(chǎn)能若順利開出,將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。   2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮,如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進14納米,東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進入15納米,美光導(dǎo)
        • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  

        數(shù)項投資啟動 我國存儲器產(chǎn)業(yè)有望率先獲突破

        •   2月12日,總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán),矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新年伊始,我國存儲器產(chǎn)業(yè)便連續(xù)爆出兩項重要消息,表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進當(dāng)中。而隨著數(shù)項重大投資的啟動,存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。   國際存儲巨頭警惕中國存儲力量成長   盡管存儲器屬于高度壟斷的行業(yè),但是我國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日,紫光集團在南京正式建立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,主要產(chǎn)品為3DNA
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

        新型存儲器技術(shù)未來將主導(dǎo)存儲器市場

        •   存儲器主導(dǎo)著許多SoC,我們很少聽說某個設(shè)計包含太多的存儲器。然而,存儲器消耗了大部分的系統(tǒng)功耗,雖然這對于許多系統(tǒng)可能不是關(guān)鍵問題,但是對于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)邊緣設(shè)備而言,總功耗是非常重要的。   幾乎所有系統(tǒng)的存儲需求都在變化。雖然新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間,但仍未被廣泛采用。然而,許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點已然將近。   過去50年中,SRAM和DRAM已經(jīng)成為存儲器層次結(jié)構(gòu)的主力,F(xiàn)LASH最近幾年也在加入了“戰(zhàn)場”。所有這些存儲結(jié)構(gòu)在往較小的幾何結(jié)構(gòu)縮放的
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

        RRAM 或?qū)⒏膶懘鎯ζ鳉v史—兼評國內(nèi)學(xué)者如何做出一流成果

        •   導(dǎo)語:上世紀(jì)中葉單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明以及硅集成電路的研制成功,為后來的科技進步奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨后,科研工作者們不斷探索,先后將多種新型材料引入該產(chǎn)業(yè),才有了如今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。全世界都在尋找更優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料的道路上不曾止步,而一種新型二維材料的出現(xiàn),或指明了未來存儲器的發(fā)展方向。   三維(3D)材料以其實用性好,加工簡便及成本低廉等特點一直在各大行業(yè)的占據(jù)著主導(dǎo)地位,而無論在科研界還是工業(yè)界,人們對二維材料的研究與應(yīng)用卻始終屈指可數(shù)。我們知道所有物質(zhì)的結(jié)構(gòu)都是由原子在三維空間堆疊而
        • 關(guān)鍵字: RRAM  存儲器  

        長江存儲在3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進展

        •   近日,由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。據(jù)長江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(ICTech Summit 2017)上介紹,32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項指標(biāo)測試,達(dá)到預(yù)期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā),在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術(shù)研發(fā)部項目資深技術(shù)總監(jiān)霍宗亮的帶領(lǐng)下
        • 關(guān)鍵字: 長江存儲  存儲器  

        新存儲器激活“中國芯” 將推動存儲技術(shù)變革

        •   星島環(huán)球網(wǎng)消息:集成電路俗稱芯片,是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,被譽為國家的工業(yè)糧食。而存儲器是存儲信息的主要載體,占集成電路市場的四分之一,我國存儲器市場占全球市場的一半,但缺乏自主知識產(chǎn)權(quán)和人才,導(dǎo)致高密度、大容量存儲器完全依賴進口。這給我國信息安全帶來了極大的隱患。   為解決此難題,中科院院士、中科院微電子所研究員劉明領(lǐng)導(dǎo)的新型非易失存儲器研究團隊辛勤耕耘十多年,憑著“把冷板凳坐熱”的精神,終于摘得2016年度國家自然科學(xué)獎二等獎。15年來,他們在高密度、大容量存儲器領(lǐng)域積累
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  中國芯  

        國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機制

        •   存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看,存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè),同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè),同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下,考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性,以及長期大投入、高風(fēng)險特性,研究認(rèn)為,盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機制,無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面,都是一件非常有意義的事情。   存儲
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

        新型存儲器有望推動存儲技術(shù)的變革

        •   集成電路,俗稱“芯片”,是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,被譽為國家的工業(yè)糧食。而存儲器是存儲信息的主要載體,占集成電路市場的四分之一,我國存儲器市場占全球市場的一半,但缺乏自主知識產(chǎn)權(quán)和人才,導(dǎo)致高密度、大容量存儲器完全依賴進口。這給我國的信息安全帶來了極大的隱患。   為解決此難題,有一個團隊默默耕耘了十多年時間,正是憑著這種“把冷板凳坐熱”的精神,使他們終于摘得2016年度國家自然科學(xué)獎二等獎的桂冠。這正是中國科學(xué)院微電子研究所劉明院士領(lǐng)導(dǎo)的新型非易失存儲器
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  

        國內(nèi)存儲器項目建設(shè)火熱 亟需制定預(yù)警機制

        • 在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰(zhàn)略的大背景下,考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動和不確定性,以及長期大投入、高風(fēng)險特性,研究認(rèn)為,盡快建立并完善行業(yè)定期監(jiān)測分析和預(yù)警機制,無論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面,都是一件非常有意義的事情。
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        各類半導(dǎo)體資本支出排行預(yù)估:存儲器第一、晶圓代工第二

        •   據(jù)Gartner及SEMI預(yù)估,2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望展現(xiàn)強勁成長動能,各類晶片的銷售金額都將比2016年增加。特定應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)和記憶體兩大類產(chǎn)品向來是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收最主要的來源,2017年這兩類產(chǎn)品占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收更將站上5成大關(guān),因此相關(guān)業(yè)者的資本支出將維持在高檔。其中,記憶體業(yè)者為了推動3D NAND量產(chǎn),料將進行大手筆投資,使得記憶體的資本支出將從2016年的不到200億美元增加到227億美元,晶圓代工的資本支出則為145億美元,比2016年微幅成長。
        • 關(guān)鍵字: 存儲器  晶圓  

        臺媒:國家大基金帶動未來大陸半導(dǎo)體投資黃金3年

        •   據(jù)臺灣媒體報道,正值2016年底圣誕假期、2017年新春伊始之際,大陸傾國家之力戮力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超趕美日臺韓的雄心依然未歇,12月下旬和1月上旬期間,先后傳來大陸晶圓代工龍頭中芯國際聘請臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)業(yè)務(wù)的前營運長蔣尚義,出任該公司獨立董事一職,隨后又有大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展要角紫光集團延攬聯(lián)電前執(zhí)行長孫世偉,出任紫光集團全球執(zhí)行副總裁的消息,顯示大陸官方所強力主導(dǎo)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,即使在歲末年終、新年初始之時,強烈的企圖心依舊展現(xiàn)其拉攏臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才、技術(shù),助力大陸半導(dǎo)體遍地開花的決心。   事
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        存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口?

        •   在上海一場以“匠心獨運,卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會上,長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中,他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題,作了深刻的分析。     為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)   在詳細(xì)介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前,楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據(jù)他的說法,在全球的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品中,NAND 和
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        存儲器介紹

        什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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