rSRAM消除“軟錯(cuò)誤”對(duì)電子系統(tǒng)的威脅 作者：eaw 時(shí)間：2005-04-28 來(lái)源：eaw 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 意法半導(dǎo)體(ST)公布的一項(xiàng)新技術(shù)rSRAM，完全可以消除近年來(lái)不斷困擾電子設(shè)備制造商的 “軟錯(cuò)誤”難題。由于該技術(shù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)SRAM存儲(chǔ)單元的改進(jìn)方法是在單元結(jié)構(gòu)內(nèi)以垂直方式增裝附加電容器，因此，芯片面積以及制造成本都不會(huì)受到較大的影響。www.st.com
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