- 據東芝近日官網宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場效應管）計劃在今年 8 月下旬開始量產。據了解，該新產品使用全新的器件結構，具有低導通電阻，且開關損耗與第二代產品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項新技術量產了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結構，將其與 PN 二極管 并聯放置 ，能將可靠性提升 10 倍 。雖然上述器件結構可以顯著提升可靠性，可它卻有著無法規(guī)避的缺點 —— 特定導通電阻和性能
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東芝 半導體 場效應管
- 和傳統的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN
的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN
的寄生參數極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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202207 東芝 共源共柵 GaN
- 受訪人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術統括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 回答：自從半導體產品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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東芝 GaN 級聯共源共柵
- 日本最大的公用事業(yè)公司東京電力公司（Tepco）正考慮加入一個競購聯盟，共同競購半導體制造商東芝。這家日本最大的電力公司是看上了東芝的核電業(yè)務，希望加入競購聯盟。
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日本 公用事業(yè) 東京電力 東芝
- 近年來，隨著科技的飛速發(fā)展，從“制造”向“智造”轉型的故事正在全球迅速上演。無論是井然有序的自動化工廠還是數字化的信息管理系統，無一不在彰顯智造時代的到來。然而智能制造這件事在20世紀60年代之前，可沒有這么容易。當時在工廠生產線中，大部分使用的是繼電器、接觸器等控制系統，這些系統存在著修改難、體積大、噪聲大、維護不方便以及可靠性差等弊端。為了改進這些問題，美國某汽車生產商向社會公開招標，號召大家設計一種新的系統來替換繼電器系統，并提出了著名的“通用十條”招標指標。于是在1969年，第一臺可編程控制器誕生
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東芝 控制器
- 安富利旗下全球電子元器件產品與解決方案分銷商e絡盟宣布擴大與東芝的全球合作，進一步大幅拓展東芝產品線并增加產品庫存。 通過擴大合作，e絡盟將能為全球客戶供應東芝的800種產品，2023年將進一步增加到1000多種，其中還將包含東芝推出的更多新品。 近幾年，受疫情和半導體供應短缺影響，客戶的采購方式明顯發(fā)生了改變。為此，e絡盟與東芝達成此次新合作，以便e絡盟客戶能夠便捷地購買到新設計及現有設計改進所需組件。盡管e絡盟在過去幾年里只供應少數幾個東芝產品系列，但銷售成績斐然。而此次新增系列
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東芝 光電耦合器
- 繼2022年1月11日東芝電梯（中國）有限公司被認定為全球研發(fā)中心后，6月15日,上海市第三十五批跨國公司地區(qū)總部和研發(fā)中心頒證儀式在上海展覽中心舉行，東芝電梯（中國）有限公司總經理野杁朗友應邀出席頒證儀式并作為企業(yè)代表發(fā)言。 &nb
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東芝 電梯
- 光耦器件對于電路保護的重要性是不言而喻的，是業(yè)界公認的“隔離器”。隨著行業(yè)的發(fā)展，光半導體器件性能也得到了極大提升，但是面對著低壓的使用場景，傳統的光耦元器件很難幫其實現高速通信功能，設計者們在找不到合適替代器件的條件下，不得不增加外圍輔助電路設計，從而使光耦實現隔離保護。這樣一來不僅讓電路設計變得復雜化，同時也增加了器件成本，其應用價值大幅降低。在光電子器件領域耕耘多年的東芝半導體研發(fā)出了一款適用于低壓高速率傳輸應用的光耦器件——TLP23x2，它能夠很好地幫助電子工程師解決低壓環(huán)境中光耦傳輸延時性的問
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光耦 東芝
- 我們常說的“通信”是一種信息傳輸方式，常用的比如串口、RS-485、CAN等等都是通信的方式之一。通信易受干擾，一旦有干擾，信號會變得不穩(wěn)定，輕則交互的數據因為有錯誤而變得沒有意義，重則會損壞通信設備，直接造成經濟損失。那么如何解決這種干擾呢？一般情況下，會在這種通信線路上搭載數字隔離模塊或者數字隔離芯片，但是這種模塊或者芯片會因通信速率增加成本提高，同時會占用很大的PCB空間。有人會考慮利用光耦的隔離特性來實現數字隔離效果，但通信速率過高時，光耦可能會因數據處理不及時出現數據丟失的情況。東芝對以上兩種方
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光耦 通信 東芝
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設備的開關電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的15
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- 東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產功率半導體。該廠預計于2024財年開始量產，整體供應的產能將會是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在 2024 財年開始。當第一階段的生產滿載時，東芝的功率半導體產能將是之前的2.5 倍（2021財年）。東芝表示，功率半導體是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。目前汽車電子和工業(yè)設備自動化的需求正在擴大，對低壓MOSFET（金屬氧
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- 11月29日消息，隨著通用電氣、東芝、西門子等老牌行業(yè)巨頭分崩離析，亞馬遜、蘋果、Alphabet、微軟以及Meta等科技巨頭正在崛起并取而代之，成為新的、無所不能的“多角化集團”（Conglomerate）。
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- 財聯社（上海，編輯阿樂）訊，據日經亞洲報道，東芝最早將在2023年將自己拆分成三家公司，分別專注于基礎設施、儀器設備和半導體業(yè)務。東芝稱分拆公司是考慮的選項之一，尚未做出最終決定?！ 〈伺e是東芝公司戰(zhàn)略的一部分，通過創(chuàng)建不同利潤結構和不同增長型戰(zhàn)略的獨立公司，為股東創(chuàng)造價值。市場預計這三家公司都將在未來某個時候上市，東芝股東將獲得分拆后的獨立公司的股份。 東芝在許多領域都有涉足——從核電站和熱電站的運營到運輸系統，從電梯制造到空調、硬盤驅動器和半導體芯片的生產。這些業(yè)務每年利潤高達2000億至800
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東芝 拆分 鎧俠 半導體存儲
- 在中國大陸最大的閃存芯片廠商——長江存儲剛剛在全球市場上取得1%的份額同時，美日韓等國的閃存芯片巨頭接連拋出巨額并購計劃?！ ‘數貢r間周三，美媒《華爾街日報》爆料稱，全球第三大閃存芯片廠商美國西部數據打算并購排名第二的日本鎧俠，并且已進行“深入談判”。若并購成功，西部數據將掌握全球三分之一的市場份額。而就在去年10月，排名全球第四的韓國閃存芯片廠商SK海力士宣布并購排名第六的美國英特爾的閃存業(yè)務?！ 蟮乐赋?，雖然西部數據并購鎧俠需得到日本政府的批準，但中國監(jiān)管機構的態(tài)度才是關鍵。目前，SK海力士收購
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- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP4590A”，這是一種采用DIP6封裝的1-Form-B（常閉）光繼電器。該繼電器提供行業(yè)領先的[1]1.2A增強型導通額定電流和60V斷態(tài)輸出端額定電壓。近日開始批量出貨。1.2A導通額定電流屬業(yè)界最高[1]電流，比東芝現有產品TLP4176A[2]的電流高140%。最大額定工作溫度為110℃，通過提供溫度裕度，有助于暖通空調（HVAC）、安全系統、樓宇自動化系統設備等大量使用1-Form-B繼電器的應用簡化設計。此外，TLP4590A還提
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東芝 TLP4590A 光繼電器
東芝介紹
東芝（TOSHIBA），是日本最大的半導體制造商，亦是第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團旗下。
歷史
東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。
兩家公司中第一個成立的是田中制造所，那是日本國內第一家電報設備制造公司；是由田中久重于1875年創(chuàng)立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀初期，公司以供應日本國內的重型機電制造為主業(yè)；在明治維新之后，公司更躍升為世界的工業(yè)大廠之一。
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